计算机网络安全与加密技术研究

随着数据时代的到来,互联网得到广泛应用,计算机网络安全问题与加密技术应用的重视程度越来越高。数据加密是构建计算机网络安全运行重要手段,合理使用加密技术确保计算机网络安全成为当前社会直面的重要问题,本文通过对影响计算机网络数据安全的因素进行分析,研究数据加密的技术的特性,并对其在计算机网络安全中的实际应用进行探讨。     

基于Ansys的C14125曲轴连杆车床主轴的动态特性分析

通过建立C14125曲轴连杆车床主轴的有限元模型,利用Ansys有限元分析软件对其进行谐响应分析,通过加载,仿真了工况下主轴的振动情况,得到了该主轴发生共振的条件,并提出来避免共振的几点措施。     

邯钢连退线薄板宽规格深冲钢炉内褶皱问题分析

邯钢连退线在生产深冲钢,尤其是生产宽规格薄板深冲钢过程中,频繁出现炉内板带褶皱现象,严重的导致炉内发生断带事故,严重影响生产线的稳定运行和产品成材率。为减少邯钢连退线生产薄板宽规格深冲钢炉内褶皱,提高邯钢连退线运行的稳定性,提高产品成材率,本文从深冲钢的化学成分出发,研究了退火工艺以及炉内张力对薄板宽规格深冲钢生产的影响,解决了连退线薄板宽规格深冲钢炉内褶皱问题。     

无锌花热镀锌板细微锌花缺陷分析

无锌花热镀锌板的锌层均匀、牢固、有利于涂层、耐腐蚀性强、表面平整美观,应用比较广泛。邯钢西区热镀锌机组投产后生产的无锌花产品,偶尔出现的细微锌花是制约产品表面质量的主要缺陷。对这种细微锌花缺陷的产生机理和影响因素进行了分析,提出了控制此缺陷的措施,取得了较好效果。     

硫酸-酒石酸钾钠宽温阳极氧化槽液体系研究

为解决传统阳极氧化温度范围偏窄的问题,本文介绍了一种宽温硫酸阳极氧化槽液体系,通过对2219、2A14、5A06三种材料在不同温度条件下的阳极氧化处理,对槽液体系中的硫酸含量和添加剂含量进行了优化,并通过系列试验研究得到了不同阳极氧化温度时适用的工艺参数。结果表明,以酒石酸钾钠含量为50 g/L,硫酸含量为160～200 g/L构成的宽温阳极氧化槽液体系,可以满足5～35℃槽液温度条件下,铝合金阳极氧化膜层耐腐蚀性能要求。     

基于点云的铣刀螺旋槽截面预测模型

基于点云离散的思想,将铣刀棒料离散为点云集合,将砂轮简化为回转面及中心矢量表达的二维模型,建立判断棒料截面点云与砂轮回转面是否包含的磨削切除预测模型,并利用预测截面点云集合计算螺旋槽相关参数。采用OCC建立实际仿真磨削的点云切除过程模块,实现对预测螺旋槽截面的显示以及结构参数的精确计算。通过改变砂轮结构位置参数,给出螺旋槽截面相关参数变化规律,并对其中具体实例进行了结果显示。     

加强水能资源管理促进农村水电建设

本文介绍了重庆市的水能资源开发和管理现状,就如何进一步加强水能资源开发和管理工作提出了建议。     

CsPbI2Br无机钙钛矿太阳能电池稳定性的研究进展

有机-无机杂化钙钛矿材料中易挥发的有机成分(MA⁺,FA⁺)用高耐热性无机金属铯离子(Cs⁺)取代,用其制备的太阳能电池具有优异的热稳定性。自2016年以来,以CsPbI₂Br材料作为光活性层的无机钙钛矿太阳能电池(IPSCs)的光电转换效率(PCE)从9.84%提高到18.06%,但是IPSCs的稳定性问题仍然制约其商业化。本文总结和分析了影响CsPbI₂Br IPSCs稳定性的因素,从制备工艺、离子掺杂、界面优化等方面评述了近年来IPSCs稳定性的研究进展,并展望了CsPbI₂Br IPSCs的研究趋势和发展方向。     

蔬菜大棚区用电管理

兰陵县是山东省蔬菜主产区,素有“山东南菜园”的美誉。近年来,由于产业政策的调整,兰陵无公害蔬菜基地种植规模逐年扩大,对电力的依赖需求也越来越高。兰陵县供电公司结合兰陵蔬菜大棚区发展形势,从营销管理、安全生产、供电服务、设备运行维护等方面进行了规范加强,健全完善了棚区管理制度,优化了工作执行流程,创新管理模式和科技手段应用,多方位、多角度为棚区用电客户提供个性化和差异化服务,使棚区供电可靠、安全经济运行,有效提升了企业优质服务水平,实现了企业和客户的双赢。     

硅晶片的液流悬浮超光滑加工机理与实验

建立了基于机器人的液流悬浮超光滑加工系统。配置出了适用的悬浮加工液,通过对硅晶片的大量加工实验研究,得到了加工时间、工具转速和粒子浓度对工件表面质量的影响规律。实验结果表明:当加工时间在60 min、工具转速为6 000 r/min上下、粒子浓度为30 g/L左右时,加工效果最佳。加工后的硅晶片表面粗糙度Ra能达到1.55 nm。深入分析了液流悬浮超光滑加工的去除机理,硅晶片的液流悬浮超光滑加工是机械冲击作用和化学作用的综合结果,加工液中的磨料颗粒有对工件表面的机械冲击作用和对化学反应的催化作用。理论分析和实验结果表明,通过采用液流悬浮加工新技术,可以实现对半导体材料硅晶片的纳米水平的超光滑加工,获得表面无塑性变形和晶格缺陷的纳米精度表面。