SrTiO3基高压陶瓷电容器材料的改性研究

研究了Bi2O3·3TiO2和MgTiO3的加入量对SrTiO3基高压陶瓷电容器材料性能的影响,并用扫描电子显微镜（SEM）对样品进行形貌观察。实验结果表明：加入适量的Bi2O3·3TiO2能提高材料的介电常数和降低介质损耗,适量MgTiO3的加入改善了材料的温度特性,且其晶粒尺寸均匀。     

梳齿式MEMS加速度计在冲击下的失效分析

对Si基梳齿式MEMS加速度计在冲击下进行了失效分析,验证了其主要失效模式,分析了其失效机理。通过机械冲击实验并采用扫描电镜(SEM)、X射线透视系统、扫描声学显微镜(SAM)观察及电性能测试等分析技术,研究了梳齿式MEMS加速度计在冲击载荷下的结构与封装失效,运用材料力学理论加以分析论证,发现悬臂梁断裂是较为主要的失效模式,且此类器件的封装失效主要表现为气密性失效和装配工艺失效,为MEMS器件的可靠性设计提供了重要依据。     

单─厚度振动模式压电多晶体及其应用

研究了溶胶－凝胶超细粉体合成技术制备的锆钛酸铅（ＰＺＴ）固溶系多晶体和用不同纯度氧化物原材料由固相反应法制备的掺杂钛酸铅（ＰＴ）多晶体的压电各向异性性质。压电各向异性随组分偏离四方─—菱方相界（ＭＰＢ）而增大。实验证明：用氧化物固相反应技术，可获得Ｋ＿ｔ／Ｋ＿ｐ＝∞的钙Ａ位固溶改性ＰＴ组分多晶材料。论文还研究了这种材料的结晶特性、相变特性和介电特性，及相互之间的关系；比较了传输线法或谐振频谱法，计算机辅助导纳圆国法和Ｓｍｉｔｓ法的各种压电参数测试结果。对于Ｑ＿ｍ＜１００的压电晶体，导纳圆图测量法是一种十分准确的测量方法。     

丁基橡胶的结构与粘弹性能研究

不同聚合体系的丁基橡胶,加工性能有很大的差异。研究了三种不同聚合体系丁基橡胶的结构与粘弹性能的关系,指出分子量与分子量分布是影响粘弹性能的主要因素。运用大分子缠结观点对各种丁基橡胶的粘弹曲线和加工性能进行了解释。     

铅/钡摩尔比对铅酸钡陶瓷薄膜电阻率的影响

铅酸钡(BaPbO3)导电薄膜是目前最有潜力的锆钛酸铅(lead zirconate titanate,PZT)铁电器件底电极替代材料之一.用溶胶-凝胶法在氧化铝(Al2O3)基片上旋涂成型BaPbO3薄膜.由于氧化铅(PbO)的高温挥发性,因此有必要研究薄膜中的铅/钡摩尔比与薄膜电阻率之间的关系.实验比较了常规热处理(conventional thermal annealing,CTA)和快速热处理(rapid thermal annealing,RTA)方式,用X射线衍射和能量散射X射线能谱研究了热处理方式和热处理制度对薄膜方阻的影响,分别得到了CTA和RTA热处理条件下BaPbO3薄膜的最低方阻性能,与CTA热处理相比,RTA热处理技术需要更高的热处理温度,因此,CTA热处理技术更为适合BaPbO3薄膜的合成.     

铁电薄膜材料的研究进展

近年来，随着铁电薄膜制备技术的发展，其应用领域不断扩大。本文综述近年来铁电薄膜材料研究进展情况，并指出存在的问题及其发展方向。     

钙钛矿结构导电陶瓷的导电性及其掺杂影响

介绍了钙钛矿结构导电陶瓷的研究与发展,对LaGaO3、(LaSr)FeO3-δ等含La导电陶瓷和BaPbO3等不含La导电陶瓷的结构、导电机理和应用进行了详细的论述,分析了掺杂对各系列钙钛矿型导电陶瓷电导率的影响.     

Nb、Co、La掺杂对BaTiO3介质陶瓷性能的影响

为了改善钛酸钡基陶瓷的烧结性能,调控细晶结构,提高工艺稳定性和材料的介电特性,采用铌、钴、镧的柠檬酸-EDTA金属有机盐复合螯合前驱液表面包覆法对水热BaTiO3(BT)粉体进行Nb2O5、CoO、La2O3掺杂改性。实验结果表明:该工艺能够实现改性组分金属有机盐前驱物在BT上的均匀包覆,形成(Ba1–3Lax)(Ti1–Nb2Cox)O3x/2xx/3/3固溶体。当r(Nb/Co)>2时,材料呈铁电弛豫特性;r(Nb/Co)<2时,呈一般铁电特性;当r(Nb/Co)=2,随着La掺量的增加,材料的铁电弛豫特性增加;当r(Nb/Co)>2和r(Nb/Co)<2时,则La的掺量对材料的介电温度特性影响不大。     

电子陶瓷的溶胶—凝胶法制备技术

本文介绍了溶胶-凝胶法在电子陶瓷材料制备中的应用。阐述了两大类型：胶体凝胶法和聚合凝胶法,后者又分为无机聚合网络凝胶法和有机聚合网络凝胶法。简单探讨了它们各自的适用范围,重点讨论电子陶瘊材料制备过程中的粉体团聚和膜裂纹扩展等有关问题。     

电迁移作用下SnPb与Ni(P)界面金属间化合物的极性生长

采用球栅阵列封装(BGA)焊点研究共晶SnPb焊点中的电迁移行为,分析了电迁移作用下SnPb焊点与Ni(P)镀层界面金属间化合物(IMC)的极性生长现象,从原子迁移的角度提出了互连焊点微结构演化的微观机理.焊点在焊接过程中形成厚度约为2 μm的Ni3Sn4 IMC层,随后的120℃热处理并不会导致界面IMC的明显生长.而电迁移作用下,阳极焊点与镀层界面IMC出现异常生长,同时阴极焊点与镀层界面IMC生长受到抑制,最终在同一焊点中形成极性生长的现象.界面IMC的极性生长与电迁移引起的原子通量有关,Sn原子通量方向与电子流方向相同,而Ni原子通量方向相反,导致阳极界面IMC的异常生长,而相同的原子迁移特性导致阴极界面IMC的生长受到抑制.