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介绍了钛酸钡基厚、薄膜PTCR的制备方法与研究进展。射频磁控溅射和溶胶-凝胶成膜技术是制备陶瓷PTCR薄膜的较理想的方法。陶瓷PTCR厚膜技术由于具有成本低和较好的市场前景受到人们的高度重视。目前钛酸钡基PTCR厚、薄膜技术的研究已经取得了较大的进步和发展。PTCR膜材正向着低室温电阻、高升阻比和集成化的方向发展。 相似文献
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超细银包覆BaTiO3粉体的制备 总被引:7,自引:0,他引:7
讨论了金属-陶瓷复合材料超细银包覆BaTiO3粉体的制备条件,采用扫描电镜,激光粒度分布仪,比表面积分析仪及X射线荧光光谱仪表征了复合粉末颗粒的形貌和粉体的团聚状态。讨论了银在钛酸钡粉末表面的包覆形式。采用化学镀的方法在BaTiO3表面沉积金属银。在天然高分子表面活性剂的保护下,Ag(NH3)2^ 被水合肼还原得到分散性良好的不同含银量的复合粉体。最佳的反应条件是:银含量0.1%~0.5%,Sodium Alginate/Ag(质量比)20%,粉末中Ag含量小于80%,反应时间120min,水合肼浓度0.8%。实验表明所得颗粒是银包覆在BaTiO3表面的形成一定银层厚度的复合体系。 相似文献
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利用湿化学还原法制备了银(Ag)颗粒,并用正硅酸乙酯对其进行处理,通过混合和热压工艺制备了正硅酸乙酯改性的银填充聚偏二氟乙烯介电复合材料。研究了正硅酸乙酯水解得到二氧化硅(SiO2)绝缘层对该复合材料介电性能的影响。结果表明:正硅酸乙酯水解在Ag颗粒之间生成的SiO2绝缘层避免了Ag颗粒之间的直接接触,形成了内部电子阻隔层,使复合材料的渗流阈值增大,介质损耗保持较低的值(小于0.08,1kHz,体积分数28%),电导率为2.85×10-5S/m(1 kHz,体积分数28%)。由于SiO2绝缘层具有一定的厚度(计算值为10 nm),载流子在金属Ag颗粒间及颗粒与基体间跃迁相对较难,导致了该复合材料具有较低的介电常数值(ε=38.5,1 kHz,体积分数28%)。 相似文献
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中高压陶瓷电容器研究与发展 总被引:1,自引:0,他引:1
阐述了中高压陶瓷电容器研究状况及发展.主要讨论了陶瓷介质材料和结构,并指出了中高压陶瓷电容器制造工艺需要注意的问题. 相似文献
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为适应反恐斗争新形势的需要,锻炼和提高云南省反恐怖袭击事件的应对能力和实战水平,2003年7月24日11时,云南省首次大规模多警种合成、模拟实战反恐演练,在昆明消防指挥学校举行。 相似文献
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热处理对无机盐-螯合-凝胶法制备的PMN-PT弛豫铁电膜钙钛矿相形成的作用 总被引:2,自引:0,他引:2
研究了PMN-PT薄膜的无机盐-螯合-凝胶法制备,分析和讨论了薄膜热处理工艺对薄膜相结构形成的影响,探讨制备近全钙钛矿相的PMN-PT弛豫铁电薄膜的最佳工艺。 相似文献
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