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U上Al,Ti/Al镀层研究 总被引:2,自引:0,他引:2
用循环Ar^ 轰击-磁控溅射离子镀(MSIP)法在U表面上镀Al,Ti/Al,并采用俄歇电子能谱仪(AES)、扫描电镜(SEM)、电化学实验和平面磨耗实验,研究了其表面、剖面形貌和耐磨耐蚀性能,以及Al/U和Ti/Al镀层界面。结果表明:U上循环Ar^ 轰击-磁控溅射离子度Al,Ti/Al界面存在较宽的原子共混区,且Ti/Al镀层的耐磨蚀性能明显优于单一磁控溅射离子镀Al层。 相似文献
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离子轰击镀对铀上铝镀层组织及防腐蚀性能的影响 总被引:8,自引:0,他引:8
研究了偏压镀、循环氩离子轰击镀和间歇式镀对铀上铝镀层组织及防腐蚀性能的影响.结果表明,3种离子轰击镀方法对铝镀层的组织产生强烈影响,且组织的致密程度与其防腐蚀性能呈现了较好的一致性.在-100V、-200V和-500V偏压条件下,镀层组织致密、防腐蚀性好;在-300V偏压下,镀层的致密性和防腐蚀性均差,未加偏压(0V)的次之;循环氩离子轰击镀和间歇式镀对提高镀层的致密性和防腐蚀性更为显著.离子轰击镀沉积的铝镀层均可不同程度地为铀提供好的保护效果. 相似文献
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采用超高真空脉冲激光沉积(PLD)方法,在单晶Si基底表面制备了单层Au、单层U薄膜和Au/U/Au复合薄膜,应用SEM、白光干涉轮廓分析和AES分析,研究了靶基距、基片温度和激光能量对薄膜形貌、成分的影响。目前的实验结果显示,PLD所制备的Au、U薄膜表面有μm级以下粒径的液滴产生,在液滴较少位置,薄膜表面粗糙度Ra小于1 nm,在包含大液滴位置,Ra不超过15 nm。在相同沉积条件下,U薄膜表面液滴数量大于Au薄膜。优化单层薄膜沉积工艺后制备的Au/U/Au复合膜厚度约为195 nm,均方根粗糙度Rq在0.3~1.5 nm之间。AES分析显示,Au/U/Au复合膜中强化学活性的铀呈金属状态,复合膜中的氧含量低于5%(原子百分数),表层Au薄膜对U薄膜起到了良好的防氧化作用。在沉积工艺中,通过减小激光功率、增大靶基距并适当升高基片温度,可减少液滴的数量及粒径。 相似文献
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采用Ar+离子束对U薄膜表面进行反应溅射,通过白光干涉仪和台阶仪的测量与分析,着重研究Ar+离子束溅射能量、入射角度对其表面粗糙度Ra的影响,并与Ar+离子束刻蚀试验进行比对.结果表明,以30°角入射,随溅射时间的增加,能量为0.5 keV的Ar+离子束较1.0 keV对U薄膜表面粗糙度趋于减小,表面愈光滑,溅射深度仅限于纳米级,而与金属Mo的刻蚀效果相比与之相反.Ar+离子束溅射对材料表面具有超精细抛光的效果,辅之于离子束微米级刻蚀减薄,将有助于U薄膜表面精细加工. 相似文献
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吕学超 《河南水利与南水北调》2007,(8):18-19
在水利施工项目中,物资材料的消耗占有很大的比重,而主要材料消耗占物资材料消耗的80%以上。因此加强对主要材料的采购管理,对于保证施工工期、施工质量,降低工程成本,提高经济效益具有重要作用,而主材供应商的管理是主材采购管理的第一步。对主材供应商的管理,主要是考察评估、选择、再评估、淘汰更新主材供应商的过程。 相似文献
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随着微纳加工技术的发展,微纳尺度下材料的热物性参量测量变得尤为重要。首先介绍了飞秒激光测量微纳尺度下材料热物性参量的基本原理、测量系统的实现方法,对比了所采用的双温模型、双曲两步辐射模型、双曲一步模型、抛物一步模型、双相滞模型和抛物两步模型等主要的传热模型。其次,介绍了飞秒激光测量物性参量的基本特点。然后,介绍了单波长正面抽运与探测系统、双波长正面抽运及探测和加热探测不同侧3种常见结构的飞秒激光物性测量系统。最后,展望了飞秒激光物性测量的研究方向。 相似文献
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利用有效生成热模型(EHF)预测了U-Al二元体系界面初生相的形成。结果表明,在受限元素U的组分浓度范围内,UAl3的生成热ΔHf值比UAl2更负。因此,在界面相可生成的适合条件下,该体系界面初生相为UAl3,其次可能生成UAl2相。 相似文献
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采用固相真空扩散连接方法, 在873-913 K保温40-240 min条件下对轧制厚度分别为
20和60 um的Mo和Al箔进行扩散连接. 发现Mo-Al固-固界面反应初生相在Mo箔内部形核进而“破壳”生长的形貌演变模式, 成分分析表明该初生相为Al8Mo3. 初生相“破壳”后,Mo-Al界面上由Mo至Al的产物分布依次是Al8Mo3, Al5Mo和Al12Mo;在913 K保温240 min后, Al8Mo3与Al5Mo间出现Al4Mo相. 界面反应的动力学分析表明, 873-913 K条件下, Mo-Al界面反应初生相孕育期为 52-34.5 min; Al原子在Mo-Al界面新生相内和Mo箔内的扩散指前因子D01和D02分别为4.61 10-2和2.05 10-2 cm2/min, 扩散激活能G Al-1和G Al-2分别为0.98和1.48 eV. 相似文献