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InSb是3~5 μm中波红外波段具有重要研究意义的材料。本文以单位内部生产的InSb(100)衬底为基础,通过摸索InSb(100)衬底的脱氧、生长温度和V/III束流比,获得了高质量的InSb同质外延样品,1.5 μm样品的表面粗糙度RMS≈0.3 nm(10 μm×10 μm),FWHM≈7 arcsec;采用相同的生长温度和V/III束流比并采用原子层外延缓冲层的方法在GaAs(100)衬底上异质外延生长本征InSb层,获得了较高质量的异质外延InSb样品,1.5 μm样品的室温电子迁移率高达6.06×104cm2 V-1s-1,3 μm的样品最好的FWHM低至126 arcsec。InSb材料的同质和异质外延优化生长可为高温工作掺Al的InSb器件结构的优化生长提供重要参考依据。 相似文献
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443.
针对高职院校教学发展的要求,从以研究型教学为核心,采用灵活多样的教学方式,在教学中贯穿工程实例教学、启发式教学等方法对<土力学与地基基础>课程的教学进行了探讨. 相似文献
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对用计算机绘制的工程图中尺寸标注的封闭现象进行了分析。将尺寸标注系统转换成无向图的形式,然后采用一种智能路径搜索的算法,对无向图所对应的邻接矩阵进行遍历,完成对整个标注系统中的所有尺寸标注搜索的过程。通过邻接矩阵的状态变化来对工程图中尺寸标注的封闭现象进行检验。这种新的计算方法实现了在一个标注系统中对多个尺寸封闭现象的无丢失查找。 相似文献
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446.
人力资源优化和建立激励机制的几点建议 总被引:4,自引:0,他引:4
本文简要分析受计划经济体制影响,给企业带来的弊端,并提出人力资源优化和建立激励机制的几点建议. 相似文献
447.
不同冻结速度对食品质量的影响 总被引:3,自引:0,他引:3
食品的贮藏方法很多, 然而国内外都是以冷冻为主, 冷冻贮藏在低温条件下, 既能保持高质量的产品品质, 又不会使食品受到污染, 因此得到了广泛应用. 然而食品在冻结过程中存在着不同程度的物理变化、组织变化和化学变化, 致使冻结食品的风味、食味下降.食品冻结速度, 按时间划分通常是指食品中心温度以30分钟之内通过冰结晶最大生成带, 即从-1℃降到-5℃, 称为快速冻结; 反之, 超过30分钟通过冰结晶生成带的为 相似文献
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以GaAs(100)为衬底,采用原子层外延(ALE)的方法在GaAs缓冲层和常规InSb外延层间引入85个周期约30 nm的InSb低温缓冲层,以快速降低InSb和GaAs界面间较大的晶格失配(14.6%)对外延层质量造成的不利影响,从而改进异质外延薄膜的电学性能。实验结果显示,ALE低温缓冲层能较快地释放晶格失配应力,降低位错密度。室温和77 K的Hall测试显示,引入低温ALE缓冲层生长的InSb/GaAs异质外延薄膜,其InSb外延层本征载流子浓度和迁移率等电学性能较常规的方法有着较大的改进。 相似文献
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450.