首页 | 官方网站   微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   119篇
  免费   14篇
  国内免费   3篇
工业技术   136篇
  2023年   1篇
  2021年   4篇
  2020年   3篇
  2019年   4篇
  2018年   1篇
  2015年   6篇
  2014年   12篇
  2013年   10篇
  2012年   12篇
  2011年   9篇
  2010年   6篇
  2009年   11篇
  2008年   6篇
  2007年   11篇
  2006年   4篇
  2005年   5篇
  2004年   3篇
  2003年   2篇
  2002年   1篇
  2001年   4篇
  1998年   3篇
  1997年   1篇
  1996年   3篇
  1995年   1篇
  1994年   2篇
  1993年   2篇
  1992年   2篇
  1991年   1篇
  1989年   2篇
  1985年   1篇
  1982年   2篇
  1978年   1篇
排序方式: 共有136条查询结果,搜索用时 0 毫秒
131.
Sn Sb Co(Pd)金属阳极是在半导体催化理论的启发下,于Sn Sb Co81#金属阳极涂液中滴加重量为其千分之一的PdCl_2溶液,再经500℃高温烧结而成。小试数据表明,它在电催化活性和耐腐蚀等重要的电化性能上远优于Sn SbCo阳极,甚至已在一定程度上接近或相当于RuTi贵金属阳极。62℃,1000A/M~2时析氯电位为1.088V(RuTi1.085V):1NH_2SO_4中,45℃条件下工作寿命可达155小时(RuTi为119~182小时)。SnSbCo(Pd)不必去掉旧涂层即可再生。本文还就SnSbCo(Pd)电极的氧氯差,抗钝化方法,最佳工艺条件及含钯量范围等进行了实验和讨论。同时,尝试用半导体催化的基本理论解释SnSbCo(Pd)的电化性能。  相似文献   
132.
严雪萍  成立  韩庆福  张慧  李俊  刘德林  徐志春 《半导体技术》2006,31(12):900-903,919
随着各种MEMS新产品的不断问世,先进的MEMS器件的封装技术正在研发之中.本研究综述了MEMS的封装材料,包括陶瓷、塑料、金属材料和金属基复合材料等.阐述了MEMS的主要封装工艺和技术,包括圆片级封装、单芯片封装、多芯片组件和3D堆叠式封装等.并展望了MEMS器件封装的应用和发展前景.  相似文献   
133.
采用化学气相渗透工艺在SiC纤维表面制备BN界面涂层,在比沉积温度更高的温度下分别对涂层进行热处理.采用扫描电镜、透射电镜、拉曼光谱、X射线光电子能谱等技术,对BN界面涂层的微观结构和化学成分进行分析,并对涂层进行相稳定性能研究.结果表明:在850℃沉积的BN界面涂层分别在1050、1150、1250℃下进行热处理,B...  相似文献   
134.
发动机气缸体在南海试验时发生泄漏故障.对气缸体气道表面形貌、裂纹形态及裂纹断口进行了宏微观观察、能谱成分分析,对气缸体的金相组织及硬度进行了检查.结果表明:气缸体的裂纹性质为应力腐蚀开裂;由于气道表面残留高浓度的Cl-以及材料具有较高的应力腐蚀敏感性,使得气缸体在残余应力作用下发生应力腐蚀开裂.要预防气缸体发生应力腐蚀失效,可采取加强清洗以减少Cl-的残留、改善材质状态或更换材料以降低其应力腐蚀敏感性等措施.  相似文献   
135.
为解决徐矿集团天山矿业公司矿井水处理中预沉池(调节池)中矿井水没有足够的时间停留沉淀,就被提升泵加压送入下一道工艺环节,造成下一道处理环节难度加大的问题,通过不断优化尝试,在对系统处理工艺进行分析的基础上,采取优化加药点位置的方法,使得矿井水后续处理各个环节能够正常运行,确保了处理水质的标准,满足了环保要求。对采用类似方法处理矿井水的矿井具有一定的借鉴意义。  相似文献   
136.
火焰-原子荧光光谱法测定微量金的研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
刘德林  高树林  黄炼 《黄金》2011,32(6):53-56
介绍了火焰-原子荧光光谱仪测定微量金的方法,研究了灯电流、光电倍增管负高压、燃气和辅助气流量、光源所激发原子化器上火焰位置与干扰的关系等对测定结果的影响,找出了测定微量金的最佳条件.该方法具有操作简便快速、基体干扰少、灵敏度高等优点,其最低检出限为0.000 2μg/mL,测定结果令人满意.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司    京ICP备09084417号-23

京公网安备 11010802026262号