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采用热丝化学气相沉积(HFCVD)法,以甲烷和氢气为反应气体,在YGl3(WC-13%Co)硬质合金基体上制备了金刚石膜.膜中存在大量五重对称结构的正二十面体金刚石晶粒(IDC).当尺寸较小时晶粒为较完整的正二十面体形状,尺寸达微米级后晶粒为带有"沟槽"或"凹坑"的变种正二十面体形状.研究了IDC的形成机制,并进行了计算机模拟.结果表明:对于四面体立方结构来说,IDc的{111}孪晶面与正常{111}孪晶面相比存在2.87°的差异,孪晶面两侧原子几何位置失配,使其成为畸变孪晶面,这种畸变孪晶面导致IDC晶粒存在"凹坑"和"沟槽";IDC的晶核是正十二面体烷(C20H20). 相似文献
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化学脱钻对硬质合金沉积金刚石薄膜的影响 总被引:3,自引:1,他引:3
采用HFCVD系统,以Cu4和H2为反应气体,分别在YG3、YG6、YG10、YG13硬质合金上沉积了金刚石薄膜,研究了化学脱钴处理对不同钴含量硬质合金沉积金刚石薄膜的影响。通过对105个样品的实验结果进行统计分析发现,YG3所得金刚石薄膜样品具有足够结合强度的比例为89%;而YG6、YG10和YG13所得样品的相应值分别为24%、7%和0%。相反,YG3、YG6、YG10和YG13所得金刚石薄膜严重破坏的比例分别为0%、64%、72%和79%。研究表明,化学腐蚀脱钴处理能够解决金刚石涂层形核率低的问题,但难以解决高钴硬质合金的附着性差的问题。 相似文献
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本论文研究了一种添加Ce并具有高Cu/Li的新型Al–Cu–Li–Ce合金在双极均匀化热处理过程中微观结构的演化过程,并重点探讨了该合金中?1(Al8Cu4Ce)相的形成过程及其形成机制。在凝固过程中Ag, Mg富集的粗大的TB (Al7Cu4Li)相和原生的AlCuCe相共同形成。双极均匀化热处理后有两种类型的?1相出现。该相的形成模式包括,通过Ce不断的由Al基体向在TB相上新形核的?1相扩散并导致该粒子不断长大,以及原生的AlCuCe相通过不断缩水并伴随Cu,Ce向各个方向扩散,由之转变为细小弥散的?1相。同时分析发现在合金凝固过程中产生的这种先析AlCuCe相,不但能够促进晶粒形核,同时能够阻止晶粒进一步长大,最终导致含铈的铸态合金晶粒得到细化。 相似文献
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YG6硼化综合处理后基体温度对金刚石薄膜的影响 总被引:4,自引:1,他引:4
采用热丝化学气相沉积(HFCVD)方法,以甲烷和氢气为反应气体,在经950℃×6h硼化综合处理后的YG6(WC–6%Co)硬质合金基体上制备了金刚石膜。使用场发射扫描电子显微镜(FESEM)和X射线衍射仪(XRD)对金刚石薄膜进行检测分析、对比,研究了基体温度对金刚石薄膜形貌和生长织构的影响,比较了硼化综合处理与二步法处理对金刚石薄膜附着性能的影响。结果表明,当沉积气压为2.67kPa,碳源浓度为3.3%时,薄膜表面形貌和生长织构随着基体温度改变有明显的变化,硼化综合处理较二步法预处理更加有效地改善了膜–基附着性能。 相似文献
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用热丝法在硬质合金基体上沉积金刚石膜的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
用XRD,SEM和Raman光谱仪,洛氏硬度计等分析检测手段。研究了经表面两步法侵蚀后,YG15硬质合金基体上用热丝法沉积出的金刚石薄膜的晶体结构,显微组织,化学纯度及粘结性能等,结果表明,硬质合金基体表面一定深度范围内钴含量的变化。对金刚石薄膜的晶体结构取向,组织形态,化学纯度及粘结性能等有很大影响。(1)在基体表面深度约为5μm范围内,当钴含量为0.81%时,金刚厂长汪膜具有明显的{111}面取向,其金刚石纯度较高;而当钴含量为1.05%时,具有{110}和{111}面的混合取向,其金刚石纯度较低,且其薄膜具有较高的内应力。(2)当CVD沉积温度为800℃时,金刚石薄膜的晶粒度约为1-3μm。(3)与多边形金刚石薄膜相比,菱形金刚石薄膜与硬质合金基体具有较高的粘结性能。 相似文献
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某竣工事故桩,通过托换,进行单桩承载力检测,采取桩身钻孔后压浆加固处理,成功解决了检测与加固的难题,本办法可供同行借鉴与参观。 相似文献
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本文通过微观观察和拉伸测试的手段,对比研究了在一种高Cu/Li比的新型Al–5.8wt%Cu–1.3wt%Li合金中分别加入Ce, Zr或者两者共同添加对其合金的微观组织与力学性能的影响。微观观察表明:当Ce和Zr共同添加合金与单一添加Ce或者Zr的合金比较,金属间化物弥散体由粗大的多边形颗粒转变成无规则的细小粒子,相应的拉伸断口断裂模式由脆性的沿晶断裂向塑性穿晶断裂转变。进一步微观分析表明:Ce的添加促进了Al-Cu-Li合金中主要强化相T1的析出。Ce和Zr共同添加合金与单一添加Ce合金相比,由于相对较少的Cu被束缚在尺寸较小的AlCuCe弥散体中,该合金基体中的Cu过饱和度在固溶淬火后相对更高。因此,Al-Cu-Li-Ce-Zr合金与Al-Cu-Li-Ce合金相比较其析出相种类向T1转变,尺寸变得更小,晶粒更加细化导致了该合金在峰时效时抗拉强度,屈服强度分别相对提高了19.6%和16.1%并具有与之相当的延伸率。 相似文献
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采用射频磁控溅射法在镜面抛光单晶硅片表面制备Si过渡层,然后以甲烷和氢气为反应气体,采用热丝化学气相沉积法制备金刚石膜,去除基体Si和Si过渡层后,在自支撑金刚石膜的形核面上采用射频磁控溅射法沉积ZnO薄膜。通过X线衍射、Raman光谱分析、场发射扫描电镜和原子力显微镜等对膜层的表面形貌和微观结构进行测试与表征。结果表明:相对于无过渡层的样品,溅射Si过渡层能有效增加单晶硅基体表面金刚石的形核密度,降低金刚石膜形核面上非金刚石相的含量,提高金刚石膜的质量,所得金刚石自支撑膜的形核面更加光滑,表面粗糙度从6.2 nm降低到约3.2 nm,且凸起颗粒和凹坑等缺陷显著减少,在形核面上沉积的ZnO薄膜具有较高的c轴取向。 相似文献