浅议生态环境监测机构的风险控制

现阶段,为了探索创新性的发展途径,生态环境监测机构应始终增强风险控制意识。应加强风险管理,立足于风险控制,以求不断健康发展。     

美国网络空间领域战略思想及发展重点研究

美军将网络空间视为继陆、海、空、天外的第五大作战域,并将其列为国防部11项现代化优先事项之一,在美国等军事大国推动下,网络空间成为国家安全竞争和军事斗争的新疆域.文中对近年美国联邦政府、各部门及各军种发布的网络空间领域主要战略政策、规划计划进行梳理,研究其主要战略思想;分析美军2022财年国防预算、研究经费投向投量及重点项目的 研发情况.形成的研究成果将对我国网络空间安全领域研究提供技术支撑.     

影响煤层气开发效果的地质因素再认识

地质特征认识对煤层气开发效果起着重要作用。在资源特征相差不大的情况下,发现煤层气相邻井的产量差异仍较大。排除工程因素后,通过选取8类地质参数,细致比对了保德区块低产井与邻井的参数特征,筛查出其关键因素为煤层微幅构造与顶板封盖条件,其中以微幅构造为主。据此,重新认识并划分出区块新的次生褶皱背斜单元、向斜单元和斜坡单元,获得了不同次生褶皱构造单元的开发特征。结果表明,高、低产井分布与次生褶皱背斜、向斜相关性高达92%。其中:高产井主要分布在次生褶皱背斜变化较缓、呈隆起状的“平台”,且煤层顶板以泥岩、碳质泥岩为主,封盖性较好;低产井主要分布在次生褶皱向斜,同一井台各井开发效果差异表现为从向斜条带轴部—向斜条带内—向斜条带外的煤层气井平均单井产量不断增加,到向斜轴部的距离大于向斜曲率半径73.5%的范围为主力产气区,小于向斜曲率半径40.0%范围为产水主力区。这对煤层气新井部署、生产管理、开发调整等,具有一定的指导意义。     

3G网络中的IPv6 DNS服务器配置

说明了3G网络中IPv6递归DNS服务器地址配置的三种方法：路由器通告（RA）方案，DHCPv6方案，递归域名系统（DNS）服务器的公认任播地址方案，详细地说明了三种解决方案的操作特点。本文为3G中选择合适的方法进行主机DNS配置提供了指导。     

用JHS-3胶合砂防粉细砂

针对孤东油田大量油井出现粉细砂甚至粘土砂而严重影响生产的问题,研制了用JHS-3胶合砂防粉细砂方法。介绍了胶合砂的基本配方、主要技术指标及防砂机理。适应性分析结果表明,施工井的层数、处理半径和施工压力升幅3个因素直接影响着胶合砂的防砂堵水效果。现场20井次的应用情况可看出,胶合砂能有效地防住粉细砂和粘土砂,明显地改善产液剖面,并有显著的降水增油效果。     

螺旋槽管强化传热原理及在石化装置上的应用前景

详细介绍了螺旋槽管换热器的强化传热原理 ,阐明了在无相变和有相变两种工况下 ,螺旋槽管换热器的强化作用 ,并介绍了螺旋槽管换热器的设计计算方法。说明了在石油化工装置上应用的必要性     

冷轧带肋钢筋直径与拉丝机卷筒直径的匹配

采用被动式工艺生产冷轧带肋钢筋须经过减径、成型两台轧机连续轧制．要求钢材的秒流量相等，否则将造成断线停产或线材在拉丝机卷筒上打滑，致使卷筒严重磨损．用双层卷筒拉丝机提供动力生产冷轧带肋钢筋时，线材直径与卷筒直径的匹配是在一个小的调整范围，通过轧机拉力控制在一定范围变化，可保证成品尺寸符合公差要求而不产生打滑，从而避免了卷筒严重磨损．     

A new polysilicon CMOS self-aligned double-gate TFT technology

In this paper, a new polysilicon CMOS self-aligned double-gate thin-film transistor (SA-DG TFT) technology is proposed and experimentally demonstrated. The self-alignment between the top- and bottom-gate is realized by a backlight exposure technique. The structure has an ultrathin channel region (300 /spl Aring/) and a thick source/drain region. Experimental results show that this technology provides excellent current saturation due to a combination of the effective reduction in the drain field and the full depletion of the ultrathin channel. Moreover, for n-channel devices, the SA-DG TFT has a 4.2 times higher on-current (V/sub gs/=20V) as compared to the conventional single-gate TFT. Whereas for the p-channel devices, the SADG TFT has a 3.6 times higher on-current (V/sub gs/=-20V) compared to the conventional single-gate device.