进位移位寄存器序列的流密码价值评价

首先简要综述了进位移位寄存器序列的已有结论,以FCSR序列、2—adic数和分母为奇数的有理数间的关系为线索,介绍了2—adic复杂度、有理逼近算法及L—序列;然后从流密码安全性的新指标、作为基本序列等方面对FCSR序列的流密码价值进行了评价。     

InN薄膜的退火特性

对InN薄膜在氨气氛下的高温退火行为进行了研究.利用XRD,SEM和XPS对样品进行了分析.结果表明,InN薄膜的结晶质量和表面形貌并不随退火温度单调变化.由于高温退火时N原子的挥发,剩下的In原子在样品表面聚集形成In颗粒.当退火温度高于425℃时,In原子的脱吸附作用增加,从而导致样品表面的In颗粒在退火温度高于425℃时逐渐减少.XRD和SEM结果表明In颗粒密度最高的样品具有最差的结晶质量.这种现象可能是由于In颗粒隔离了其下面的InN与退火气氛的接触,同时,金属In和InN结构上的差异也可能在InN中导致了高密度的结构缺陷,从而降低了InN薄膜的结晶质量.     

一种新的截面轮廓特征点识别与分段曲线类型判别算法

截面特征处理技术是基于特征的反求工程CAD建模中的一个重要组成部分,而特征点识别、分段曲线类型判别是其首要环节。本文提出一种新的算法:首先对截面数据点排序;然后基于协方差矩阵的特征值分析自适应地确定支撑区域;在此基础上计算离散点的曲率进而完成特征点识别并实现数据分段;最后确定每个分段数据所对应的曲线类型。实验表明:算法精度较高,为基于特征的截面曲线重建提供了依据。     

Remote‐Loaded Platelet Vesicles for Disease‐Targeted Delivery of Therapeutics

The recent emergence of biomimetic nanotechnology has facilitated the development of next‐generation nanodelivery systems capable of enhanced biointerfacing. In particular, the direct use of natural cell membranes can enable multivalent targeting functionalities. Herein, this study reports on the remote loading of small molecule therapeutics into cholesterol‐enriched platelet membrane‐derived vesicles for disease‐targeted delivery. Using this approach, high loading yields for two model drugs, doxorubicin and vancomycin, are achieved. Leveraging the surface markers found on platelet membranes, the resultant nanoformulations demonstrate natural affinity toward both breast cancer cells and methicillin‐resistant Staphylococcus aureus. In vivo, this translates to improved disease targeting, increasing the potency of the encapsulated drug payloads compared with free drugs and the corresponding nontargeted nanoformulations. Overall, this work demonstrates that the remote loading of drugs into functional platelet membrane‐derived vesicles is a facile means of fabricating targeted nanoformulations, an approach that can be easily generalized to other cell types in the future.     

拉曼-纳斯衍射声光Q开关的实验研究

实验研究了拉曼-纳斯(R-N)衍射的声光相瓦作用长度与声波光波参数之间的关系,确定了最佳声光相互作用长度.在此基础上,分别设计以水和TeO2晶体为声光介质的R-N衍射Q开关器件,测量了器件的衍射效率、衍射角和插入损耗等参数.应用TeO2晶体开关器件调制长脉冲Nd:YAG/KTP激光器,当重复频率为10 kHz时得到了脉...     

高速Viterbi译码器的VLSI设计与实现

在优化结构的基础上,实现了一种回溯长度为64的(2,1,7)高速Viterbi译码器.该译码器采用改进的加比选单元(ACS),降低了硬件复杂度,提高了时钟运行频率.改进的回溯单元采用了分块循环存储器,对数据读取结构进行改进,提高了译码器的数据吞吐率.基于SMIC0.18μmCMOS工艺,该译码器最高工作时钟频率可达180MHz,等效逻辑门约为28683门.经过验证比较,结果表明实现的高速Viterbi译码器在各个指标上如实现面积、回溯长度和约束长度比现有的各种方案有较大幅度的提高,因此该译码器在数字通信领域具有良好的应用前景如DTV和HDTV.     

基于改进BP网络的柴油机燃油故障诊断的应用

针对标准BP神经网络收敛速度较慢的问题,本文对所建立的BP网络的学习算法进行了改进,采用LM最优化算法对BP网络进行训练,替代了原来标准BP算法中的梯度下降法寻找最优网络连接权值。燃油喷射系统是柴油机的核心部分,其工作状况直接影响柴油机的燃油过程及其性能,将这种改进的BP算法应用到柴油机燃油故障诊断中,仿真实验证明,该...     

功率密度对VHF-PECVD制备μc-Si:H的影响

在不同功率密度下用甚高频化学气相沉积(VHF-PECVD)法制备了一系列微晶硅(μc-Si:H)薄膜,并对薄膜的微观结构进行了研究.重点研究了在较低的功率密度下,功率密度的改变对薄膜沉积速率和结晶状况的影响.结果表明,随着功率密度的提高,沉积速率逐渐加大,进一步提高功率密度时,沉积速率趋于饱和;与此同时,薄膜的孵化层厚度和形核密度随功率密度而变化.     

InxGa1-xN合金薄膜In的表面分凝现象

用MOCVD方法在α-Al2O3(0001)衬底上外延生长了InxGa1-xN合金薄膜.测量结果显示:所制备的InxGa1-xN样品中In的组分随外延生长温度而改变,生长温度由620℃升高到740℃,In的组分由0.72降低到0.27.这是由于衬底温度越高,In进入InxGa1-xN薄膜而成键的效率越低.样品的X射线衍射谱和X射线光电子能谱均显示:在生长温度为620℃和690℃时所生长的InxGa1-xN样品中均存在明显的In的表面分凝现象;而生长温度升至740℃时所得到的InxGa1-xN样品中,In的表面分凝现象得到了有效抑制.保持生长温度不变而将反应气体的Ⅴ/Ⅲ比从14000增加到38000,In的表面分凝现象也明显减弱.由此可以认为,较高的生长温度使得In原子的表面迁移能力增强,In原子从InxGa1-xN表面解吸附的几率增大,而较高的Ⅴ/Ⅲ比则能增加N与In成键几率,从而有利于抑制In的表面分凝.