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纳米α-Al_2O_3和γ-Al_2O_3颗粒增强镍-磷复合镀层的性能对比 总被引:3,自引:0,他引:3
采用化学镀技术制备了纳米α-Al2O3和γ-Al2O3颗粒增强的镍-磷复合镀层,利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、电子探针等对复合镀层的物相结构、表面形貌、成分分布进行了分析,还对比了复合镀层与镍-磷镀层的显微硬度、耐磨性和耐腐蚀性。结果表明:与镍-磷镀层相比,纳米Al2O3颗粒的加入没有改变镀层的晶体结构,但使镀层的显微硬度明显提高;纳米α-Al2O3颗粒的加入提高了镀层的耐腐蚀性和耐磨性,而纳米γ-Al2O3颗粒的加入反而使镀层耐磨性和耐腐蚀性下降。 相似文献
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直流电弧等离子体制备纳米SiC及其催化特性 总被引:1,自引:0,他引:1
利用工业块体硅为硅源, CH4为碳源, 在含有H2和Ar混合气氛中, 采用直流电弧等离子体法制备SiC纳米粒子。CH4含量影响SiC纳米粒子的化学组成和形貌。结果显示: 产物中含有3C-SiC和6H-SiC两种物相, 而在CH4压力为0.005 MPa条件下制备的SiC纳米粒子还含有Si/SiC核壳结构。利用制备的SiC纳米颗粒作为催化剂, 在恒光强下光电催化还原脱除2,4-二氯酚中的Cl原子。结果显示在-1.02 V偏压下光电催化180 min后, 对2,4-二氯酚的去除效率达92.5%, SiC纳米粒子的吸附效率为19.6%。因此, SiC纳米颗粒可取代贵金属, 作为低成本光电催化候选材料用于污水处理。 相似文献
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用于检测电气设备电晕的盘锥天线的研制 总被引:1,自引:0,他引:1
为实现对变电站内电气设备电晕放电的检测,研究并设计了宽频带、高增益和水平面(H面)全向性的天线作为电晕检测的传感器。通过分析盘锥天线的辐射特性和特性阻抗,确定其设计为电晕检测天线具有优势,用离散化方法加工出的盘锥天线,在10MHz~1GHz以上具有良好的频率响应特性,平均增益4dB以上,在变电站检测试验中表现出良好的电晕放电信号接收能力。基于该天线可以开发出固定式或车载式电晕监测和定位系统,该系统可以监测整个变电站设备的电晕情况并且其工作不与设备发生接触。 相似文献
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为了研究电磁参数和涂层的厚度对单/双层吸波材料的吸收性能的影响,以期制备出具有良好的电磁匹配特征的吸波材料,利用通过单/双层吸波涂层内电磁波传播的理论机制,计算机模拟技术,分析了涂层厚度、电磁参数及频率变化对材料的电磁波吸收性能影响的规律.同时提出了双层吸波材料设计中厚度匹配和阻抗匹配等基本原则.结果显示,随着厚度的增加,吸波材料对电磁波的吸收峰向低频移动,并且相继出现多个吸收峰.当电磁匹配常数M=0.25时,涂层材料展现了很好的吸波性能.对于双层吸波材料,阻抗渐变原则和厚度匹配规律直接影响到其吸收性能. 相似文献
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【目的】 比较低分子肝素两种皮下注射方法后瘀斑、硬结发生率及疼痛程度,以探讨最佳的皮下注射方法,为规范护理流程提供依据。方法 纳入2016年3-9月接受皮下注射低分子肝素123例患者,采用自身对照法,每例患者分别接受2种不同皮下注射方法:实验侧(患者左侧腹部):缓慢推注时间为10 s,停留10 s之后拔针,不按压;对照侧(患者右侧腹部):缓慢推注时间为10 s,注射后即拔针,拔针后按压3 min。注射后2、12 h采用视觉模拟评分(VAS)评价注射局部疼痛程度;观察两种方法所致皮下瘀斑和硬结的发生率。结果 实验侧VAS疼痛评分2、12 h(0.88±0.66,0.34±0.47),均低于对照侧(2.02±0.65,1.19±0.63),P<0.05;两组皮下注射不良反应发生率比较:实验侧瘀斑(10.5%)低于对照侧瘀斑发生率(23.5%),t=2.736,P<0.05;实验侧硬结发生率(0.04%)低于对照侧硬结发生率(15.4%),t=2.946,P<0.05。结论 低分子肝素皮下注射持续推注时间10 s,停留10 s,拔针后不按压的方法,可减少患者皮下瘀斑、硬结的发生率及减轻疼痛的程度。
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红外光谱法是一种能快速分析检测果蔬农药残留的新型分析技术,能够简单快捷地检测水果、蔬菜上的农药残留,并且红外光谱法能实现对果蔬的无损检测,因此,在农产品安全检测领域有着极其广泛的应用。笔者将针对红外光谱技术在蔬菜农药残留检测中的应用进行分析,并结合经验提出自己的看法。 相似文献
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采用放电等离子烧结(SPS)制备钨(W)和钛锆钼(TZM)连接件。通过高能球磨和调节温度烧结出高致密度纯W块体,相对密度可达97.0%以上。在制备的纯W块体表面铺置TZM合金粉末,烧结TZM的同时对W和TZM进行连接,实现了异种金属块体与粉末的一步烧结连接。研究烧结温度和降温速率对W/TZM合金接头的微观组织和力学性能的影响。结果表明:W与TZM结合良好,烧结温度在1400~1600℃范围内时,W/TZM接头的剪切强度随烧结温度的升高而增大;在相同烧结温度下,采用快速冷却方式获得的接头剪切强度高于缓慢冷却接头的;当烧结温度为1600℃并采取快速冷却降温时,W/TZM接头的剪切强度达到最大,为159.7 MPa。 相似文献