焦耳天平磁场系统关键技术研究

结合最近受到普遍重视的用于定义量子质量基准的焦耳天平方案,提出了一种全新的空间尺寸配比的轴对称激励线圈组结构。利用解析方法和数值计算证明通过合理配置共轴轴对称激励线圈组几何参数,当内部激励线圈和外部激励线圈的间距R与激励线圈与悬挂线圈的距离H满足R2=4/3H2,内部激励线圈、外部激励线圈、悬挂线圈匝数比满足10 000∶2 700∶430时,在焦耳天平磁场对称平面附近会形成轴向长度为2 cm的环形磁场均匀区,在该均匀区焦耳天平线圈系统互感参数具有四阶均匀性,满足互感结构参数M的准确测量要求。     

砂土地基大直径混凝土灌注长桩受力性状试验研究

通过对砂土地基中灌注桩竖向静载试验资料分析,确定了单桩承载力、研究了持力层为卵石层的长桩轴力的传递规律、沉降量与桩身压缩量的关系及桩侧阻力发挥机理。     

便捷式煤矿井环境测试仪的设计

经过对现有煤矿井下环境测试方法和手段的研究,揭示煤矿井下环境测试的现状及缺点,提出更合理、更简捷的测试方法。利用模拟传感器和数字传感器自身的特点,尽量高效测量出相应的数据,从而保证工作环境的安全性。     

砖混结构旧房屋加层地基承载力的计算及分析

对砖混结构旧房屋要求设计加层的地基承载力问题进行分析，针对此种加层工程地基径长期压密，承载力提高的特点，提出了该地基承载力提高值的计算公式，并指出应注意的问题，该方法安全可靠，经济效益显。     

精密控温箱内腔温度稳定性的理论研究

针对精密控温箱内腔温度难以达到稳定的问题,提出利用Laplace方程对精密控温箱绝热层与均温层的厚度比进行理论研究,结合非稳态热传导方程,求解得到:当绝热层与均温层的厚度比近似为1:1时,精密控温箱内腔温度的稳定性最好。     

利用微弧氧化法制备四方相BaTiO3薄膜的结构特征及铁电性能

利用微弧氧化技术在钛衬底上直接制备了四方相钛酸钡铁电薄膜.利用X射线(XRD)、HP4192A阻抗分析仪和铁电测试系统(FTS)等手段对薄膜样品的相结构、介电和铁电性能进行了研究.结果表明,工艺参数为Ba(OH)2浓度为0.5mol/L,电流密度为150mA/cm2,温度为57℃,反应时间5～20min的薄膜主要要由四方相BaTiO3构成.在微弧氧化过程中,弧点的连续移动是形成四方相BaTiO3的主要原因.此工艺参数下薄膜的剩余极化值为0.271和-4.62μC/cm2(Pr),与其对应的矫顽场强度分别为20和-2.8kV/cm(Ec).该薄膜具有良好的铁电性能.     

微波反射光电导衰退技术在InGaAs台面结器件工艺中的应用

微波反射光电导衰退法是一种非接触式的半导体材料少子寿命表征手段，本文用微波反射光电导衰减法测试了台面InGaAs光电器件制备中各单项工艺（刻蚀、腐蚀、硫化）中InCaAs样品的少子寿命分布，结果表明，离子刻蚀使得样品少子寿命降低，非均匀性增大，而湿法腐蚀能够在一定程度上修复离子刻蚀带来的损伤，损伤区域中心的少子寿命增大，寿命分布也更加均匀，硫化钝化能够进一步提高损伤区域少子的寿命，却使寿命分布均匀性变差。可见，微波反射光电导衰减法可以简单无损地得到样品少子寿命分布，对工艺改进具有重要的指导意义。     

平面型铟镓砷线列探测器的制备及伏安特性研究

通过闭管锌扩散制备了256元平面型铟镓砷(In0.53Ga0.47As)线列探测器,室温下焦平面平均峰值探测率为5.79×1011cmHz1/2W-1,不均匀性为31%,平均峰值响应率为0.33 A/W.并且通过拟合其伏安曲线得到了器件的理想因子和串联电阻,基于这两个相互独立的参数可以对器件不同区域的性质加以考查,结果表明器件材料具有较好的均匀性,而器件的欧姆接触电阻偏大,且不均匀性达到39%,为工艺的改进提供了重要依据.     

反渗透海水淡化压力能回收装置进展

反渗透海水淡化在各类淡化技术中迅速崛起得益于压力能回收装置的发展.从该类装置的结构、原理、能量回收效率、设备维护和使用寿命等方面分析比较了国内外各类装置的性能, 对该类装置的研究进展进行了综述分析.结果表明:正位移式装置各方面性能优于离心式, 但现有的正位移式装置存在各自的缺陷, 相关核心技术为国外掌握, 今后的研发重点是设计具有自主产权且性能优越的压力能回收装置.