Basic Problems in Design and Inverse Engineering Solution for Outer Characteristic of Vehicle Suspension Shock Absorbers

Based on the theory and the practical experiences of linearity design of feasible design area and inverse solution of non-linear outer characteristic of suspension shock absorber, in accordance with non-linearity outer characteristic formed by open-up damping coefficient, full-open damping coefficient and smoothness to safety ratio of suspension shock absorber, a method and a research conclusion of the feasible design and inverse solution for the basic problems of designing and inverse solution of non-linear outer characteristic of suspension damping compo-nents are provided.     

新型负热膨胀材料的研究

介绍了近几年负热膨胀材料的研究成果及其主要发展,分析了此类材料的负热膨胀性能、结构特点、制备技术、应用中存在的主要问题及发展趋势,探计了负热膨胀材料在今后研究中所面临的问题.     

高气压下氢化微晶硅薄膜的高速沉积

利用甚高频等离子增强化学气相沉积(VHF-PECVD)制备了一系列微晶硅(μc-Si:H)薄膜。研究分析了功率密度、硅烷浓度和气体流量在较高沉积气压(500 Pa和600 Pa)下对薄膜生长速率、结晶状况和电学特性的影响。研究表明:在高压强条件下,硅烷浓度和气体流量对沉积速率影响显著,而功率密度影响较弱;高沉积速率生长的薄膜孵化层较厚;电学特性较好的薄膜位于非晶/微晶过渡区。经过工艺的初步优化,在高压强(600 Pa)条件下,使微晶硅薄膜的沉积速率提升到2.1 nm/s。     

高电导率高晶化率p型微晶硅薄膜的制备

利用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,以B2H6为掺杂剂,在玻璃衬底上制备了厚度为40nm左右的p型微晶硅薄膜.为获得高电导率高晶化率的薄膜,采用正交实验法对衬底温度、氢稀释比及硼烷掺杂比等主要沉积参数进行初步优化.Raman光谱和电导率测试结果表明:(1)在实验选取的参数范围内,衬底温度是影响薄膜暗电导率和晶化率的最主要因素,其次是氢稀释比,硼烷掺杂比的影响相对较小;(2)通过正交优化,获得了暗电导率为2.05S·cm-1、晶化率为86%的p型微晶硅薄膜.     

一种双输入八开关九电平逆变器及其调制策略

针对现有多电平逆变器存在使用器件较多以及调制策略复杂的问题,提出一种仅由2个直流输入源、8个开关管、1个开关电容和1个二极管组成的双输入八开关九电平逆变器。所提出逆变器的电容器充放电自平衡,不需要额外的电容电压平衡电路和复杂控制算法。4对开关工作状态互补,进一步降低了调制策略的复杂度。介绍逆变器的拓扑结构和工作原理,分析调制策略。实验结果验证了该拓扑及其调制策略的有效性和可行性。