组成改性对BaO·Ln2O3·nTiO2介质材料温度稳定性的影响

在Ba4.5Nd9Ti18O54主相中引入Bi2O3,Pr2O3改性添加剂,考察了改性离子对材料温度稳定性的影响,研究表明:随Bi2O3含量的增长,介电常数εr显著提高,谐振频率温度系数τf呈V型变化,这与[TiO6]8-八面体畸变程度和Bi2O3在材料中的固溶限相关:在含Bi2O3的体系中引入适量的Pr2O3,温度稳定性得到较好改善,并提高了介电常数.     

莫来石对Y-TZP陶瓷摩擦磨损性能的影响

用环-块摩擦磨损试验机在室温下研究了莫来石弥散钇稳定四方氧化锆多晶陶瓷(mullite dispersed yttria stabillized tetragonal zirconia polycrystal,MDZ)与高铬铸铁(high chromium cast iron,HCCI)摩擦副在2％(质量分数)SiO2磨粒的5％NaOH溶液中的摩擦磨损性能。结果表明：载荷在100-500N范围内,含15％(质量分数,下同)莫来石的15 MDZ复合陶瓷的耐磨性明显优于20 MDZ(含有20％莫来石)。载荷500N下,虽然3Y-TZP(yttria stabillized tetragonal zirconia polycrystal,含3％摩尔分数氧化钇)中弥散15％莫来石后力学性能下降,但耐磨性提高。柱状莫来石对耐磨性的主要贡献是：具有承载作用;阻碍裂纹扩展;折断的柱状莫来石的“滚针轴承”作用减轻磨擦副之间的摩擦磨损。MDZ复合陶瓷的主要磨损机制为微观犁削和柱状莫来石晶粒脱落。     

添加SrO或SnO2对Ba4.5(Nd0.84,Bi0.16)9Ti18O54微波陶瓷介电性能的影响

对Ba4.5(Nd0.84，Bi0.16)9Ti18O54(BNBT)系微波陶瓷进行了组成改性的研究。添加不同量的SrO或SnO2于主相材料中，分别替代Ba或者Ti,合成条件为1100℃下保温3h，粉碎、成型后，在1270℃下保温3h烧成。在10GHz下用谐振腔法测量了材料的介电常数ετ。和机械品质因数Q，在20～90℃范围测量了频率温度系数τf。结果表明：Sr，Bi复合掺杂能够使BNBT材料保持较高的介电常数，同时Qf值（机械品质因数Q与测量频率之积)由5899GHz上升到9259GHz，而少量的SnO2添加有助于提高系统的介电常数并使τf值减小。     

溶胶-凝胶法合成BaAl_2Si_2O_8超细粉末的研究

以Ｂａ（ＯＨ）２·８Ｈ２Ｏ，Ａｌ（ＮＯ３）３·９Ｈ２Ｏ，ＴＥＯＳ为原料，采用溶胶凝胶法制备ＢａＯＡｌ２Ｏ３ＳｉＯ２三元系粉末，研究了不同因素对生成稳定溶胶和胶化时间的影响，用ＴＧＤＴＡ、ＸＲＤ研究了溶胶凝胶的热处理过程，用ＴＥＭ观察了粉体的粒径。     

ILGAR法CuInS2薄膜制备中的化学计量控制

采用离子层气相反应法(ILGAR)法,以CuCl、InCl3为原料,C2H5OH为溶剂,H2S为硫源在常温下合成了CuInS2薄膜,建立了前驱体溶液中[Cu]/[In]比与薄膜化学计量之间的关系.利用X-ray光电子能谱仪(XPS),X-ray衍射仪(XRD)、扫描电镜(S EM)、可见-紫外分光光度计(UV-Vis)和霍尔测试系统(HALL)等技术表征了不同化学计量下CIS薄膜的相组成、结构形貌、薄膜生长、光学和电学性质.试验表明,薄膜中Cu/In与溶液中[Cu]/[In]呈线性变化,并伴随有立方闪锌矿结构→黄铜矿结构晶型转变过程;当0.94≤Cu/In≤1.27时,测定出CIS薄膜为单相,表面较致密、均匀、附着性好;薄膜的光吸收系数高于104 cm-1,禁带宽度Eg在1.27 eV～1.35 eV之间,表面暗电阻随Cu/In的增加从102Ω·cm降为10-1 Ω.cm,载流子浓度在1016cm-3～1017cm-3.     

干摩擦条件下3Y-TZP/(Mg,Y)-PSZ陶瓷摩擦副的磨损性能的研究

采用销-盘式摩擦磨损试验机在干摩擦条件下对3Y—TZW(Mg，Y)-PSZ陶瓷摩擦副的磨损性能进行了试验研究。结果表明，3Y-TZP陶瓷的磨损率随着载荷的增加而增大。在低载低速下3Y—TZP陶瓷的主要磨损机制为塑性变形；随着载荷与滑动速度的增加，磨损主要由塑性变形和微断裂造成；在高载高速时，由于对摩偶件(Mg，Y)-PSZ表面的断裂、脱落，形成的磨屑产生磨料磨损对摩擦副表面造成进一步损伤，脆性断裂和磨粒磨损机制是其主要的失效方式。     

Dy2O3和La2O3掺杂对BaTiO3铁电陶瓷介电特性的影响

对BaTiO3和BaTiO3-Co2O3系组成进行了Dy2O3和La2O3稀土改性的研究,考察了该系统的介电温度特性和耐电性能,观察了样品的显微结构,讨论了Dy2O3和Dy2O3和La2O3在改变BaTiO3铁电温谱特性的作用,结果表明：Dy2O3和La2O3的掺杂效果存在差异,Dy2O3掺杂明显促进BaTiO3细晶化,而La2O3掺杂呈现出对BaTiO3基介质材料的Curie峰更强的压峰和移峰效应,在BaTiO3-Nb2O5-Co2O3-Dy2O3系统中可获取高介高压特性瓷料,其介电常数≈3000,tgδ＜1．5％,介电温谱符合“X7R”标准,击穿强度可达7－8kV/mm。     

Al—Al2O3—玻璃复合材料的制备与性能

采用无压烧结工艺，制备了Ａｌ－Ａｌ２Ｏ３－玻璃复合材料。研究了Ａｌ－玻璃，Ａｌ２Ｏ３－玻璃的润湿性。发现玻璃能促进Ａｌ与Ａｌ２Ｏ３结合；Ａｌ－Ａｌ２ｏ３－玻璃复合材料具有良好的强度和耐磨损性能。     

(Sr1-xMx)Al2O4(M=Ca,Ba)∶Eu发光材料的研究

以SrAl2O4∶Eu发光材料为基础,通过对基质的部分修饰,合成了(Sr1-xMx)Al2O4(M=Ca,Ba)∶Eu磷光体,并利用XRD对其晶体结构进行了研究,结果表明:加入Ca后,原来在室温下稳定存在的属于单斜晶系的鳞石英结构SrAl2O4相逐渐变成六方晶系,证明Ca有稳定六方相的作用,而加入Ba晶形则不发生改变。同时研究了该发光粉的发射光谱,讨论了Ca和Ba的引入对发光性能的影响。     

ILGAR法制备CdS薄膜新工艺的研究

采用一种薄膜制备的新方法-离子层气相反应法(ILAR)，以CdCl2为前驱体，H2S为硫源制备了CdS薄膜。利用XRD、SEM、AFM、XPS及UV—VIS透射光谱等测试分析方法对薄膜的晶型、表面化学组成、表面形貌、膜厚增长速度及光学性能进行了研究。实验结果表明：ILGAR法制备的CAS薄膜表面较致密、均匀、附着性好；在0．05MCdCl2前驱体溶液浸渍处理，薄膜以-2．8nm／cycle的恒定速率增长，且薄膜晶体沿立方(111)面具有明显的择优取向生长；400℃热处理1h，发生立方→六方晶型转变，最终为六方与立方混相结构，择优方向转为六方(002)面；薄膜经热处理后在可见光处的吸收峰发生红移，其禁带宽度降低，并且会随着膜厚的增加进一步降低。