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提出了一种In0.4Ga0.6N/GaN同型异质结构IMPATT二极管。传统GaN基IMPATT器件中存在P型GaN制造工艺不成熟的问题,本研究方案可成为GaN基IMPATT器件的替代设计方案。详细研究了In0.4Ga0.6N/GaN异质结和PN结两种不同结构IMPATT二极管的直流、交流输出特性。结果表明,In0.4Ga0.6N/GaN IMPATT二极管在不使用P型GaN的情况下,可达到优于传统PN结IMPATT二极管的性能。 相似文献
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以杭州市城市轨道交通3号线第二控制中心项目为例,对紧邻地铁车站及三污干管的超大型深基坑施工过程控制技术进行研究。针对深基坑施工过程可能存在的风险,从基坑围护设计、施工、监测等多方面详细阐述了重难点及应对措施,为类似周边环境复杂的深基坑工程提供了技术借鉴。 相似文献
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采用磁控溅射法在Si(100)衬底上生长出高取向性和多种微观形貌的InN薄膜,其中铟作为铟靶,氮气作为氮源。X射线衍射(XRD)和X射线光电子能谱(XPS)表明所有衍射峰和标准的纤锌矿晶型的InN一致,并且在(101),(100)和(002)方向具有极高的取向度。扫描电子显微镜(SEM)和能带衍射谱表明,在Si(100)衬底上可以生长出高质量的不同微观结构的InN晶体薄膜,尤其是溅射功率为60 W,溅射压强为0.4 Pa时表现为标准的正六边形结构。在室温下并且激发波长为λ=633的拉曼测试表明,可以通过E_2(High)峰计算出InN薄膜的应力,由于微观结构的不同导致应力值也不同,A1(LO)峰值比较低是由于迁移率较高导致。紫外吸收测试可以计算出的能带宽度分别为1.07,1.13,1.32 eV。XRD、SEM、XPS、霍尔效应、紫外吸收和拉曼光谱证明生长出的不同微观结构的薄膜可以适应各种需求的传感器和其他设备。 相似文献
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