溶胶-凝胶法制备聚丙烯酸酯/纳米TiO2有机-无机杂化材料的研究

以丙烯酸酯单体为原料,采用常规溶液聚合法制备了聚丙烯酸酯溶液,以钛酸正丁酯为前驱体,水解制备纳米二氧化钛溶胶,两者在常温高剪切力下共混,制得聚丙烯酸酯/纳米TiO2有机-无机杂化材料。分别用透射电子显微镜(TEM),原子力显微镜(AFM),双光束紫外-可见分光光度计UV-VIS,热重分析(TGA),拉伸测试研究了纳米溶胶以及杂化材料的性能。结果表明:TiO2在溶胶和杂化材料中都呈纳米级均匀分散,而且杂化材料的光学,热学,力学性能都比纯聚丙烯酸酯有显著的提高。     

纳米材料在纺织领域的最新研究进展

综述了纳米技术在纺织品抗菌除臭、抗静电、抗紫外线、自清洁、抗老化褪色、高强耐磨、耐高温阻燃、隐身、仿生可降解等方面的最新研究进展。阐述了纳米材料在纺织工业的应用，指出纳米技术对于研发新型功能性织物、扩大高附加值纺织品的应用范围具有重要意义。     

纳米材料在纺织领域的最新研究进展

综述了纳米技术在纺织品抗菌除臭、抗静电、抗紫外线、自清洁、抗老化褪色、高强耐磨、耐高温阻燃、隐身、仿生可降解等方面的最新研究进展。阐述了纳米材料在纺织工业的应用,指出纳米技术对于研发新型功能性织物、扩大高附加值纺织品的应用范围具有重要意义。     

可溶性聚苯胺/聚乙烯醇掺杂氧化石墨烯复合材料的制备

通过加入十二烷基苯磺酸钠(SDBS)制备了可溶性的聚苯胺/聚乙烯醇掺杂氧化石墨烯导电复合材料。通过XRD、SEM、TEM、FT-IR、TGA、CV对合成的复合材料进行了表征和分析,结果表明聚苯胺/聚乙烯醇能够插入到氧化石墨烯的层间和包裹在氧化石墨烯的表面形成复合物。用十二烷基苯磺酸钠掺杂的聚苯胺/聚乙烯醇/氧化石墨烯材料具有很好的溶解性和导电性能,将复合物进行还原和再次用酸掺杂之后,发现复合材料的导电性得到进一步提升。     

半导体耦合法改性纳米TiO2薄膜在DSSC中的应用

染料敏化纳米晶TiO2薄膜太阳能电池具有成本低廉、制作简单和环保等优点,吸引了国内外研究者的广泛关注。综述了半导体复合TiO2薄膜在DSSC中应用的研究进展,重点阐述了半导体复合TiO2薄膜的机理,总结了半导体复合TiO2薄膜的种类及制备方法,并分析了其对太阳能电池光电性能的影响。     

原位聚合制备聚吡咯/石墨烯复合材料及其电化学性能研究

通过原位聚合法制备出聚吡咯/石墨烯(PPy/GE)复合材料。用红外光谱(FT-IR)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)等分析手段对复合材料的结构和形貌进行表征,发现聚吡咯均匀地包覆在石墨烯表面。循环伏安测试表明复合材料对电极对I-/I3-电解质氧化还原体系具有较好的催化能力。电化学交流阻抗测试结果说明掺入聚吡咯后可有效降低石墨烯对电极的电荷转移阻抗。组装成染料敏化太阳能电池(DSSCs),在AM 1.5(100mW.cm-2)的模拟太阳光照射下,得到4.12%的光电转换效率。     

含酸性桃红2R的TiO2杂化材料的制备与性能研究

用Sol-Gel法制备含偶氮类有机染料酸性桃红2R的TiO2杂化材料,探讨了材料的最佳制备工艺条件无机前驱体TBOT在溶剂DMF中的浓度为0.10～0.20mol·L-1,选用催化剂为冰乙酸,且冰乙酸与TBOT物质的的量之比为81至51.此外,还对最佳工艺条件下制得的材料进行了红外、紫外和热重、差热测试,发现与小分子染料酸性桃红2R相比,材料的热分解温度提高了30℃,而且透光性也比纯染料提高了很多,而且通过AFM检测发现薄膜表面平整,无相分离,为热释电材料及器件的制备及实用化提供了理论依据.     

金红石型纳米TiO2紫外屏蔽性能的相关应用及改性研究

金红石型纳米TiO2对可见光的透射性强,具有极好的吸收、散射紫外线能力,可作为紫外屏蔽剂广泛应用于涂料、化妆品、纺织、木材加工等行业.但纳米TiO2同时也具有光催化性能,是有机基体发生光氧化的催化剂,且在有机基体中的分散性和稳定性不好,需经表面处理以解决这些问题.本文针对金红石型纳米TiO2防紫外性能的相关应用、存在的...     

硅溶胶稳定性影响因素的研究进展

硅溶胶是二氧化硅微粒在水中均匀扩散形成的胶体溶液,有酸性和碱性之分.本文简要介绍了硅溶胶的结构及稳定机理,综述了影响硅溶胶稳定性的系列因素,包括pH值、粒径、电解质等,并对硅溶胶的研究前景进行了展望.     

组分非梯度KTN热释电薄膜的制备及其性能研究

为使KTN热释电薄膜能够在较宽的温度范围内有较高的热释电系数,本文在Pt/Ti/SiO2/Si基片上采用Sol-Gel法制备了两种多组分成分非梯度分布的KTN热释电薄膜.用XRD分析了薄膜的晶相结构,并研究了其铁电、介电和热释电性能.结果表明,两种薄膜均具有钙钛矿型结构,且均可观察到典型的电滞回线.在100kHz频率下,Ⅰ型薄膜在16～43℃,εr=332,tg δ=0.21,14～46℃平均热释电系数为3.246×10-4C/(cm2·K),计算所得Fv=3.58×10-7C·cm/J,Fd=1.42×10-5C·cm/J,Ⅱ型薄膜在17～46℃,εr=987,tgδ=0.18,14～44℃平均热释电系数为2.797×10-4C/(cm2·K),电压响应优值为1.04×10-7C·cm/J,探测度优值为7.69×10-6C·cm/J.