喷雾热解法制备SnO2:Sb透明导电薄膜

采用喷雾热解技术制备出了光电性能优良的SnO_2:Sb透明导电薄膜,对薄膜的结构特性、光电性质以及制备条件对薄膜性能的影响进行了研究。并进一步研究了喷雾热解法中薄膜的形成过程和工艺参数对薄膜微观结构和性能的影响。实验结果表明:在Sb掺杂量为11％(摩尔分数)和基板温度为500℃的条件下,SnO_2:Sb薄膜具有最佳的光电性能,平均可见光透过率为82％,方块电阻达13.4Ω/□,电阻率为4.9×10~(-4)Ω·cm。     

生物陶瓷涂层

本文对各种生物陶瓷涂层制备方法，涂层材料本征性能，涂层材料在模拟生物环境下和在生物体内的性能进行了评述。     

生物陶瓷涂层

本文对各种生物陶瓷涂层制备方法、涂层材料本征性能、涂层材料在模拟生物环境下和在生物体内的性能进行了评述。     

不同A位元素（La、Y、Ca）的ACu3Ti4O12陶瓷介电性能研究

利用传统陶瓷烧结方法，成功制备了巨介电常数陶瓷CaCu₃Ti₄O₁₂以及Ca被Y或La取代后的Y_2/3Cu₃Ti₄O₁₂和La_2/3Cu₃Ti₄O₁₂体系.利用X射线衍射仪，测定了材料的物相结构，利用阻抗分析仪测定了不同频率和温度下材料的介电常数和介电损耗.研究结果表明，3种材料结构相似，都具有相同的类钙钛矿结构，但Y_2/3Cu₃Ti₄O₁₂ 、La_2/3Cu₃Ti₄O₁₂系统中具有较多的缺陷，这些缺陷是由Y和La取代Ca产生的，会对材料的介电常数产生很大的影响.体系满足极化模型，极化粒子的松弛活化过程直接与所需克服的势垒相关，而不同体系中存在的不同缺陷改变了ACu₃Ti₄O₁₂体系的松弛激活能，在Y和La取代Ca后的体系中松弛激活能要远大于取代前的CaCu₃Ti₄O₁₂体系.     

湿化学法制备生物标识用纳米CdSe材料

以水溶液为介质,在室温条件下制得了CdSe的纳米材料(QD).并在此基础上对用巯基类化合物对其进行表面改性,通过包裹修饰,可以合成针对生物荧光标识的理想材料.结果表明随着反应pH值的增加,改性材料在紫外/可见光谱上产生了明显的蓝移,表现出明显的量子尺寸效应.最后又利用合成的经巯基丙酸修饰的CdSe量子点标识了牛血清白蛋白(BSA),证实CdSe量子点能够与BSA结合.     

高聚物基骨替代材料复合技术的研究进展

概述了高聚物基骨替代材料复合技术的研究现状，着重介绍了高聚物基体和增强材料的选择要求，注射模塑成型、仿生沉积、原位复合等复合技术，并评价了不同基体材料的生物学性能。     

镧掺杂二氧化钛纳米球涂层的制备与亲水性表征

采用基于溶胶-凝胶和旋节分相相结合的方法在硅基板表面制备La3+掺杂二氧化钛纳米球涂层。通过扫描电子显微镜、X射线光电子能谱仪测试样品的表面形貌以及元素组成,并利用接触角测量仪测试样品的静态接触角。结果表明:在硅基板表面形成一层大小基本一致,分布均匀的、致密La3+掺杂纳米球状二氧化钛,其中掺杂离子是以置换的方式存在于二氧化钛晶格中。基板表面的纳米点中含有的元素包括La,Ti,O。与处理后的纯硅基板和纯二氧化钛纳米点阵相比,掺入La3+后,样品表面的润湿性能增强。     

氮化硼光电薄膜材料的制备及其性能研究

本文通过热丝辅助等离子体增强化学气相沉积法 (HF PECVD)在单晶硅片和石英片衬底上分别成功生长了氮化硼薄膜材料。用X射线衍射 (XRD和傅立叶变换红外光谱 (FTIR)分析了薄膜样品的结构和组成 ,用扫描电镜 (SEM)观察了薄膜样品的表面形态 ,用紫外—可见光分光光度计 (UV)研究了薄膜样品的紫外吸收特征 ,并确认薄膜样品的光学能隙。此外 ,本文还探讨了衬底的超声预处理在薄膜材料生长中所起的作用     

Al/a-Si∶H复合薄膜的电导性能

采用真空热蒸发与PECVD方法,在经特殊设计的"单反应室双沉积"设备中沉积了Al/a-Si∶H复合薄膜,并利用扫描电子显微镜、X射线衍射、Raman及X射线光电子谱等方法对复合薄膜在不同Al层厚度和不同温度退火后的晶化及电导行为进行了研究.结果表明,Al/a-Si∶H复合薄膜在不高于250℃的退火条件下即开始出现硅的晶体相.退火温度越高,Al层越厚,形成多晶硅的量越多.Al/a-Si∶H复合薄膜的电导率受Al原子在a-Si∶H中掺杂效应的影响,比纯a-Si∶H薄膜的大.随着硅晶体相在复合薄膜中的生成,复合薄膜的电导率受晶相比控制,晶相比增加,电导率增大.