CVD法制备Sb掺杂SnO2薄膜的结构与性能研究

采用化学气相沉积法（CVD）制备了Sb掺杂SnO2薄膜（ATO），研究了Sb掺杂量对ATO薄膜结构和性能的影响。利用X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）、X射线光电子能谱（XPS）等分析手段对所制得薄膜的结构、形貌、成分等进行了表征，XRD结果表明在基板温度为665 ℃时能够制得结晶性能较好的多晶薄膜，XPS分析确定掺杂后的Sb以Sb5+离子形式存在。讨论了Sb掺杂量对方块电阻、透射率和反射率等薄膜性质的影响，结果表明,当Sb掺杂量为2%时取得最小方块电阻为7.8 Ω/□,在可见光区薄膜的透射率和反射率随着Sb掺杂量的增加呈下降趋势。最后探讨了Sb掺杂SnO2薄膜的显色特性，认为Sb5+离子的本征吸收是薄膜显色的主要原因。     

ITO平面微电极上P(VDF-TrFE)薄膜的制备及性能表征

在ITO平面微电极上设计了P(VDF-TrFE)纳米级薄膜,以构建仅电场作用的模式,并避免其他因素的干扰.通过旋涂法制备了不同厚度的P(VDF-TrFE)薄膜,当厚度达到470 nm时,薄膜具有足够的致密度和绝缘性,能隔绝电极上的微电流和可能产生的电化学产物.由于电极上覆有薄膜,在生物电刺激的应用中,还可消除电极材料不...     

两步沉淀法合成钙钛矿相锆钛酸铅粉体及其相形成机制

用两步沉淀法低温合成了纯钙钛矿相锆钛酸铅(PbZr0.52Ti0.48O3,PZT)粉体,并利用差热分析测定了合成粉体的反应活化能,从动力学上研究了钙钛矿相PZT的形成机制.结果表明:两步沉淀法合成PZT粉体遵循连续反应机理,在热处理过程中,前驱体粉体在500 ℃处理后主要形成钙钛矿相,并伴有少量焦绿石相.经600 ℃煅烧后则完全转化为钙钛矿相.这是由于形成焦绿石相的反应活化能远大于焦绿石相转化为钙钛矿相的反应活化能,因此500℃处理后生成的少量焦绿石相在600 ℃处理后完全转化为钙钛矿相.     

宽温度稳定Ba0.80Sr0.20TiO3/Pb0.82La0.12TiO3复合厚膜的低温制备研究

利用溶胶-凝胶法合成了两种不同居里温度的Ba_0.80Sr_0.20TiO₃(BST-80)和Pb_0.82La_0.12TiO₃(PLT-12)铁电陶瓷微粉.以陶瓷微粉,低熔点玻璃粉末PbO-B₂O₃等混合配制浆料,应用丝网印刷法在ITO石英玻璃基板上制备厚膜,并在550-750℃温度下于密封的石英套管中烧结致密化,成功的在750℃低温下制备出BST-80和PLT-82晶相稳定共存的复合厚膜.厚膜的相关性能通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、阻抗仪(LCR)等手段进行测试.结果表明,厚膜的形成主要通过750℃下PbO-B₂O₂玻璃相的浸润及均匀包裹到颗粒表面并经颗粒在玻璃相中一定的液相传质过程而致密化;通过控制玻璃相的包裹及控制颗粒的扩散实现颗粒相的稳定共存.厚膜中PLT-82晶相的晶格受Pb²⁺离子扩散进入玻璃相而略有缩小.这种复合厚膜的介电常数在较宽的温度范围0-300℃间的变化率<18％,具有较高的温度稳定性.     

超高介电常数钛酸钡/乙炔黑复相材料的制备研究

研究了乙炔黑／钛酸钡复合材料的烧结条件和介电性能，利用XRD、SEM和介电性能测试仪对材料的物相结构、微观形貌和介电性能进行了观察测定。分析结果表明，这种材料在空气中烧结时，其乙炔黑极易氧化挥发，难以形成钛酸钡／乙炔黑复相体系，但在烧结过程中，乙炔黑的分解挥发会在一定程度上增加液相的出现，促进陶瓷的烧结；在氮气保护下，乙炔黑可以完好地分布于钛酸钡陶瓷体中，获得结构致密的钛酸钡／乙炔黑复相陶瓷．较好的烧结温度范围为1200-1250℃，在渗流阈值附近，钛酸钡／乙炔黑复相材料介电常数值大大提高，当乙炔黑含量在0．8-2．0wt％范围内时，其介电常数达到35000以上，比纯钛酸钡提高约12倍，介电损耗可以控制在0．2-0．7之间，具有一定的使用价值。     

镧掺杂二氧化钛纳米球涂层的制备与亲水性表征

采用基于溶胶-凝胶和旋节分相相结合的方法在硅基板表面制备La3+掺杂二氧化钛纳米球涂层。通过扫描电子显微镜、X射线光电子能谱仪测试样品的表面形貌以及元素组成,并利用接触角测量仪测试样品的静态接触角。结果表明:在硅基板表面形成一层大小基本一致,分布均匀的、致密La3+掺杂纳米球状二氧化钛,其中掺杂离子是以置换的方式存在于二氧化钛晶格中。基板表面的纳米点中含有的元素包括La,Ti,O。与处理后的纯硅基板和纯二氧化钛纳米点阵相比,掺入La3+后,样品表面的润湿性能增强。     

热压烧结羟基磷灰石生物陶瓷

采取湿化学法制取羟基磷灰石（ＨＡＰ）粉末，热压法烧结陶瓷。瓷体呈半透明。抗压强度可达６８７ＭＰａ，断裂韧性为０．９８ＭＰａｍ＾１／２，比常压烧结分别提高了三倍和一倍。并测定了开口孔率、吸水率和体密度，以及Ｘ－光衍射，电镜观察。     

晶相形成对TiSi2薄膜光学性能的影响

通过常压CVD方法由SiH4和TiCl4直接在玻璃基板上成功制备了TiSi2薄膜,用XRD、FESEM、四探针测阻仪和分光光度计研究了薄膜的结构、形貌、电学和光学性能。研究表明TiSi2薄膜的晶相是面心正交型TiSi2;薄膜的电阻率直接由晶相的形成决定,受晶相颗粒大小和晶相致密度控制,TiSi2薄膜的电阻率随薄膜中TiSi2晶相含量的增大而下降。TiSi2薄膜在400~750nm范围的可见光区具有大致相同的透射比和最小的反射比,薄膜的透射比随薄膜厚度的增加而减小。在大于750nm的红外区,薄膜电阻率越小,对红外辐射的反射比越高,且随着波长增加至25000nm,TiSi2薄膜的反射比逐渐上升到约0.95。     

溶胶-凝胶法制备LiNbO3薄膜的研究

对近年来有关溶液－凝胶法制备LiNbO3薄膜的研究进行了较详细的论述，分析讨论了在溶胶－凝胶法制备了LiNbO3薄膜过程中，各主要因素对LiNbO3薄膜制备的影响，简要地介绍了LiNbO3薄膜的一些性能。研究结果表明，目前可以用溶胶－凝胶法在蓝宝石及LiTaO3等基板（基板的晶格参数与LiNbO3的晶格参数失配较小）上制备出有光学应用的LiNbO3薄膜，制膜的热处理温度通常在500℃左右，讨论了溶胶－凝胶法制备LiNbO3薄膜过程中存在的主要问题、发展前景有今后的研究方向。     

生物陶瓷涂层

本文对各种生物陶瓷涂层制备方法，涂层材料本征性能，涂层材料在模拟生物环境下和在生物体内的性能进行了评述。