控制定向聚集水热合成制备多种形貌的纳米钛酸锶

通过聚乙烯醇（PVA）辅助的水热合成方法制备出了纳米钛酸锶（SrTiO3）材料。X射线衍射（XRD）证明其结构为立方钙钛矿结构;透射电子显微镜（TEM）观察显示通过控制原料中锶和钛的浓度可以控制合成出具有花状纳米结构、纳米线及纳米线网状结构形貌的纳米SrTiO3材料。选区电子衍射（SAED）和高分辨透射电镜（HRTEM）证明不同形貌的纳米SrTiO3为类单晶结构。研究结果表明反应物中锶和钛的浓度是控制定向聚集合成不同形貌纳米SrTiO3结构的主要因素。     

含Mg的TiO_2纳米点薄膜的制备及蛋白吸附性能

通过改变Mg先驱体加入量,形成含Mg离子5 mol%和10 mol%(相对于Ti)的TiO2溶胶。根据分相自组装原理,采用旋涂法和500℃热处理,制备出含Mg的TiO2纳米点薄膜。利用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、BCA试剂盒等测试手段对薄膜形貌和结构进行了分析,并对薄膜的蛋白吸附能力进行了评价。结果表明,Mg离子的加入,不影响分相自组装过程,能形成含Mg的TiO2纳米点薄膜;Mg离子在纳米点表面层富集;Mg离子的释放是改变蛋白吸附能力的可能原因,由Mg离子含量为5 mol%溶胶形成的纳米点薄膜呈现蛋白吸附能力提高。     

喷雾热分解法玻璃镀膜

介绍了喷雾热分解法在热玻璃基板上镀膜的基本工艺过程,对镀膜溶液的配制、雾化、蒸发干燥、热解成膜进行了较为详细的论述,并介绍了几种镀膜的实验条件、主要工艺参数及对镀膜质量的影响因素.     

金属诱导晶化法制备多晶硅薄膜研究进展

本文介绍了金属诱导晶化非晶态硅制备多晶硅薄膜的新方法 ,综述了制备金属 /非晶态硅复合薄膜的各种方法与晶化结果 ,着重介绍了金属低温诱导的机理及其在器件应用方面的可行性     

CuPc/ZnS多层复合薄膜的制备及光电性能的研究

为了找到制备具有最佳光电导性能的CuPc/ZnS多层复合薄膜的工艺参数 ,研究了CuPc/ZnS多层复合膜的层数系列、CuPc膜层的厚度系列、ZnS膜层的厚度系列和基板温度系列的光电导性能和结构。利用表面电位衰减、紫外 可见光谱和X射线衍射分析了复合薄膜的光电导性能和结构及其关系 ,探讨了改变复合膜层数、CuPc膜层和ZnS膜层的厚度以及基板温度对CuPc/ZnS多层复合薄膜的光电导性能和结构的影响     

不同稳定剂的sol—gel法制备LiNbO3薄膜的研究

研究了分别以HCOOH、CH3COOH、HNO3和H2C2O4作稳定剂的LiNbO3薄膜先驱液的稳定性，发现H2C2O4作稳定剂的先驱液的稳定性最好；用sol-gel法在Si(110)和玻璃基板上在一定温度下制备了分析以它们作稳定剂的LiNbO3薄膜，并对LiNbO3薄膜进行了IR、XRD和SEM表征，结果表明，生成的LiNbO3为多晶，以HNO3作稳定剂制备的LiNbO3薄膜形貌最好。图5，参6。     

复合光导层液晶光阀的研究

介绍了一种具有柱状结构的a-Si：H／nc—Si复合光导层的液晶光阀，复合光导层是通过热蒸发和等离子体辉光放电沉积方法，采用Al诱导a-Si：H制成的。经过测试，这种柱状结构薄膜具有电导各向异性，其横向电导率小于纵向电导率。用这种薄膜制成的液晶光阀其分辨率达到5001p／inch。     

Al/a-Si∶H复合薄膜的电导性能

采用真空热蒸发与PECVD方法,在经特殊设计的"单反应室双沉积"设备中沉积了Al/a-Si∶H复合薄膜,并利用扫描电子显微镜、X射线衍射、Raman及X射线光电子谱等方法对复合薄膜在不同Al层厚度和不同温度退火后的晶化及电导行为进行了研究.结果表明,Al/a-Si∶H复合薄膜在不高于250℃的退火条件下即开始出现硅的晶体相.退火温度越高,Al层越厚,形成多晶硅的量越多.Al/a-Si∶H复合薄膜的电导率受Al原子在a-Si∶H中掺杂效应的影响,比纯a-Si∶H薄膜的大.随着硅晶体相在复合薄膜中的生成,复合薄膜的电导率受晶相比控制,晶相比增加,电导率增大.     

化学络合法在溶胶－凝胶过程中的应用

在利用溶胶－凝胶技术制备先进玻璃及陶瓷时，经常碰到诸如这样一些问题：金属醇盐先驱体在醇中的溶解度小；反应活性大，易生成沉淀；而且一些醇盐很难直接买到。化学络合物方法可以克服这些缺点。本文阐述了添加络合剂的络合方法在溶胶－凝胶上的应用，包括如下几个方面：（１）改变一些醇盐的溶解度，使之溶解在醇溶剂中；（２）控制先驱体的反应活性；（３）变非醇盐先驱体为醇盐光驱体；（４）合成有机－无机复合材料；（５）通过络合剂的作用合成一些易潮解的凝胶；最后讨论了络合物凝胶的分子设计等问题。