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31.
研究以氧化锂-氧化硼-二氧化硅-氧化钙-氧化铝(Li2O-B2O3-SiO2-CaO-Al2O3,LBSCA)低熔点玻璃料为烧结助剂降低钙和锶复合掺杂钛酸锂钐[(Ca0.937 5Sr0.062 5)0.25(Li0.5Sm0.5)0.75TiO3,CSLST]微波介质陶瓷的烧成温度,探讨不同LBSCA掺量对CSLST...  相似文献   
32.
以蜂窝陶瓷为载体,采用溶胶-凝胶法在蜂窝陶瓷结构表面负载了多层TiO2光催化剂,并对其进行了显微结构分析和XRD物相分析,考察了蜂窝陶瓷镀膜前后吸附性能。结果表明:负载的TiO2光催化剂主要以锐钛矿形式存在,同时伴有少量金红石形态;蜂窝陶瓷负载TiO2光催化剂后其微孔结构及吸附性能没有明显变化,蜂窝陶瓷负载TiO2后对甲基橙的降解率在初始阶段不及TiO2粉体高,但是随着反应时间的延长,TiO2粉体将发生沉降团聚而活性降低,负载在蜂窝陶瓷上的TiO2对甲基橙的降解率高于粉体。  相似文献   
33.
以石英为骨料,钾长石为高温粘结剂,木炭为造孔剂制备无机盐/石英基复合相变储能材料用的微米孔石英多孔陶瓷基体,采用正交实验法系统研究了骨料颗粒粒度、造孔剂粒度、造孔剂含量、高温粘结剂含量及烧成温度对石英多孔陶瓷的显气孔率和抗折强度的影响.研究结果表明,影响石英多孔陶瓷抗折强度的最主要因素是长石含量,其次是骨料粒度和造孔剂粒度;影响石英多孔陶瓷显气孔率的主要因素是造孔剂含量.制备微米孔石英多孔陶瓷的优化配方和工艺是:石英、木炭和长石均过325目筛,三者质量比为7:2:1,烧成温度为1270f,保温时间为1h.该陶瓷具有以下优良的性能:显气孔率为55.12%,体积密度为1.14 g,/cm3,抗折强度为3.14 MPa,抗压强度为7.12 MPa,平均孔径为13.87 μm且孔径分布范围较窄,96%的气孔孔径在9~21 μm之间.  相似文献   
34.
采用传统固相反应烧结法,以(K0.45+xNa0.55-x)0.98Li0.02(Nb0.77 Ta0.18 Sb0.05)O3-0.005BaZrO3无铅压电陶瓷为研究对象,研究K/Na比例、粉体合成温度、烧结温度、极化工艺条件对压电陶瓷性能的影响,以及退火温度和老化时间对材料性能稳定性的影响.结果表明:该体系陶瓷粉体的合成温度为850℃.烧结温度为1130℃,x=0.04时陶瓷的压电常数d33可达372 pC/N,机电耦合系数kp达0.465.合理的极化条件为极化电压4 kV/mm,极化时间25min,极化温度120℃.压电陶瓷在125℃下具有较好的温度稳定性,但时间稳定性较差,放置300 d后压电常数才能稳定.  相似文献   
35.
采用固相反应法制备了(1-x)Li0.05(K0.5Na0.5)0.95NbO3-x(Bi0.5Na0.5)TiO3(LKNN-BNT)无铅压电陶瓷,研究了BNT的添加量x(0,0.005,0.01,0.02)对LKNN-BNT陶瓷的结构与电性能影响。X射线衍射(XRD)分析结果表明当x≤0.005时,陶瓷为正交钙钛矿结构,而当x≥0.01时,陶瓷则转变为四方钙钛矿结构,说明该陶瓷的多型相转变(PPT)区域为0.005相似文献   
36.
采用阳极氧化法在钛箔上制备了钴掺杂TiO2纳米管阵列,利用场发射扫描电子显微镜(FSEM)、X射线衍射仪(XRD)对TiO2纳米管的形貌和结构进行表征,并对其光催化活性进行了测试.研究结果表明:钴被成功地掺杂到纳米管阵列中;电解液中钻的掺入对纳米管阵列的形貌没什么影响;掺杂溶液离子浓度对催化剂活性有一定影响,但影响不大,掺杂离子浓度为0.016mol/L所得样品活性最好;煅烧温度对纳米管的晶型结构和光催化活性有显著影响.  相似文献   
37.
综述了近年来(K,Na)NbO3基无铅压电陶瓷在掺杂改性以及晶粒定向技术制备织构化陶瓷研究的新进展,重点分析了(K,Na)NbO3基无铅压电陶瓷的K/Na比为0.5和非0.5时,陶瓷压电性能上的差异,发现K/Na比偏离0.5时,具有更为优异的压电、介电性能,最后展望了(K,Na)NbO3基无铅压电陶瓷的掺杂改性及晶粒定向技术的研究趋势.  相似文献   
38.
《无机及分析化学实验》教改实践的收获与体会   总被引:1,自引:0,他引:1  
为了克服分别开设无机化学实验和分析化学实验的一些弊端,景德镇陶瓷学院科技艺术学院尝试将它们合并后独立设课,对实验内容通盘考虑、优化组合,提出了一个具有本校特色的无机及分析化学实验教学新体系。  相似文献   
39.
为了克服分别开设无机化学实验和分析化学实验的一些弊端,景德镇陶瓷学院科技艺术学院尝试将它们合并后独立设课,对实验内容通盘考虑、优化组合,提出了一个具有本校特色的无机及分析化学实验教学新体系。  相似文献   
40.
采用传统固相烧结法,制备了CaBi4Ti(1-x)NbxO1(5x=0.00-0.05,CBT-N)系铋层状结构无铅压电陶瓷。研究了Nb5+掺杂对CBT压电陶瓷压电与介电性能的影响。研究结果表明:添加Nb5+离子,改善了CBT陶瓷的烧结特性,提高了瓷体的致密度。Nb2O5的引入降低了CBT系列陶瓷的介质损耗,改善了陶瓷的压电与介电性能。当掺入量x=0.04(CaBi4Ti0.96Nb0.04O15)时制备的CBT基铋层状压电陶瓷具有优异的压电性能:d33=14pC/N,Qm=3086,εr=212,tanδ=0.0041,kt/kp=1.681。  相似文献   
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