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纳米硅薄膜的低压化学气相沉积和电学性能研究 总被引:2,自引:0,他引:2
利用普通低压化学气相沉积技术在玻璃衬底上制备了大面积的纳米硅薄膜。不同温度下薄膜暗电导率的测试研究表明,薄膜的室温暗电导率随成膜温度的升高而增加,相应的电导激活能降低。热激活隧道击空机制可以较好地解释纳米硅薄膜特殊的电学性能。原位后续热处理研究表明,延长热处理时间以及采用低温成膜、高温后续退火的热处理方法均能有效提高其室温暗电导率。 相似文献
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为了找到制备具有最佳光电导性能的CuPc/ZnS多层复合薄膜的工艺参数 ,研究了CuPc/ZnS多层复合膜的层数系列、CuPc膜层的厚度系列、ZnS膜层的厚度系列和基板温度系列的光电导性能和结构。利用表面电位衰减、紫外 可见光谱和X射线衍射分析了复合薄膜的光电导性能和结构及其关系 ,探讨了改变复合膜层数、CuPc膜层和ZnS膜层的厚度以及基板温度对CuPc/ZnS多层复合薄膜的光电导性能和结构的影响 相似文献
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通过聚乙烯醇(PVA)辅助的水热合成方法制备出了纳米钛酸锶(SrTiO3)材料。X射线衍射(XRD)证明其结构为立方钙钛矿结构;透射电子显微镜(TEM)观察显示通过控制原料中锶和钛的浓度可以控制合成出具有花状纳米结构、纳米线及纳米线网状结构形貌的纳米SrTiO3材料。选区电子衍射(SAED)和高分辨透射电镜(HRTEM)证明不同形貌的纳米SrTiO3为类单晶结构。研究结果表明反应物中锶和钛的浓度是控制定向聚集合成不同形貌纳米SrTiO3结构的主要因素。 相似文献