TF12G封堵剂的研制与现场应用

针对目前堵炮眼采用的堵剂为普通水泥或超细水泥，存在着成功率低、有效期短、容易发生施工事故等问题，研制了高水固结颗粒封堵剂TF12G。介绍了TF12G的组成成分、作用机理，以及该产品的室内评价、现场试验等情况，试验表明TF12G是一种性能良好的封堵剂，在油水井堵炮眼方面具有良好的推广前景。     

齿轮粗加工中滚刀代用方法

<正>1引言在齿轮加工中,齿形粗加工序一般都采用滚齿方法加工。相对于其他方法,滚齿加工具有生产效率高、刀具寿命长、大批量生产加工成本低的特点,故被广泛应用。但滚刀的生产周期较长,对单件小     

FEA在大口径承压加筋锥盖设计中的应用

FEA在承压结构设计中体现着越来越重要的作用,能够有效弥补传统计算方法的不足。该文针对DN30000的大口径承压加筋锥盖结构,应用二维平面单元、壳单元以及三维实体单元分别对其进行有限元计算,对应力强度较大的部位进行应力分析评定,并将三种单元模型的应力和刚度计算结果进行对比,分析三种单元模型在大口径承压加筋锥盖设计中的优劣,为FEA在大口径承压加筋锥盖设计中的工程应用提供参考。     

基于改进风险图的安全完整性等级确定方法

国际功能安全标准IEC61508/61511中介绍了几种安全完整性等级(Safety Integrity Level,SIL)确定方法,但是将这些方法运用实践中时会遇到一些困难。为克服上述方法的不足,本文介绍了1种半定量的风险分析方法—改进的风险图法,以确定识别到的安全仪表功能(Safety Insumented Function,SIF)的安全完整性等级。     

1GHz 2μm双极低噪声放大器设计

给出了采用2μm双极工艺实现对1GHz低噪声放大器进行设计的具体方案。并用Ansoft公司的Designer软件进行了设计仿真，利用该方案设计的放大电路十分简单，可满足一定增益（8 dB）且其起伏度小于0.5dB．同时，该放大器的噪声也很低．在1GHz时．其带宽在100MHz内的噪声小于0.75dB。     

一种SiGe低噪声放大器测试基座的研究

对SiGe低噪声放大器(LNA)的测试技术进行了探索,开发出适合SiGe低噪声放大器的可插拔测试基座。通过对商业样品的增益G(S21)、增益平坦度、带宽、回波损耗(S11和S22)、反向隔离度(S12)1、dB压缩点(P1dB),三阶互调节点(IP3)和噪声系数(NF)等参数的测试,验证了测试系统的准确性。对所开发的单片SiGe低噪声放大器进行了测试,获得了准确的测试数据,准确表征了SiGe低噪声放大器的性能。     

一种槽线扰动的基片集成波导双模滤波器

该文提出一种新型小型化基片集成波导(SIW)双模滤波器。通过使用正交的输入输出馈线,和一段倾斜的槽线来扰动腔体的两个简并模,滤波器能产生两个传输零点(TZ)。采用该方法设计了一个中心频率为15 GHz,带宽为350 MHz的基片集成波导双模滤波器。该滤波器结构简单,成本低廉,易于加工。测试结果和仿真结果吻合,较好地验证了设计的可行性和有效性。     

用于VLSI工艺的LPCVD铝膜的特性分析

铝和铝合金已广泛地应用于VLSI工艺中的金属化器件。这样的膜能通过各种技术沉积上,但这些技术具有台阶覆盖不好这样的缺点。我们将在本文讨论通过采用三异丁稀铝作源低压化学汽相沉积的铝膜的特性。本研究工作的结果表明,这种工艺可提供出保形台阶覆盖不产生表面态,而且有希望提高芯片产量。沉积在二氧化硅上的膜具有非常好的化学纯度、粘附性和电阻特性,沉积在器件片子表面的膜表明与当今VLSI制作中的图形化、干法腐蚀等工艺相容,而且对整个器件的性能没有影响。但是,LPCVD膜有其与本身结构特征相联系的缺点,主要是电迁移阻抗和Al与Si相互扩散。本文指出了这些问题和可能解决的方法。     

双层镍STEP测试标准

拟定了测量多层镍涂层之间的电位差和厚度的标准.论述了制定和确保这些标准的技术及不同的操作参数对厚度和电位测量精度的影响.一种新的标准材料准备用于汽车制造业,作为检验其STEP测试方法.     

军用保障与快速反应的包装技术

介绍了外军快速反应包装技术的发展计划和做法,分析了国内军用包装的发展现状和差距,指出了国内快速反应的军用包装技术的发展方向.旨在探讨先进、科学、适用的军用快速反应的包装技术,以适应现代军事战争对军用包装的需求.