大型数显式温控加热油炉设计制造

基于开发研制ZP-375转盘的需要,设计制造了90kW大型数显式温控加热油炉。该油炉利用温度指示调节仪和传感器,实现油炉温度的自动控制。可用于加热轴承、齿轮件和转台组件,在现场应用中取得了良好的效果,为转盘的批量化生产提供了有利的保障。     

复合绒面透明导电薄膜研究

在常规非晶硅电池绒面SnO2衬底上，采用Zn：Al重量比为5％的金属靶直流反应磁控溅射沉积ZnO，构成复合绒面SnO2／ZnO透明导电膜。控制适当ZnO厚度，既能保持SnO2绒面效果，又可阻挡H离子对SnO2的还原作用，可作为微晶硅电池的前电极。文中对ZnO沉积条件以及复合膜的形貌、电光性能进行了讨论。     

LTE FDD网络上行覆盖增强技术分析

在远距离覆盖场景下,由于LTE终端采用单天线发射模式,且最大发射功率较低,因而上行覆盖能力成为主要限制因素。分析了安装塔顶放大器和部署多天线2种上行覆盖增强技术,对其在LTE FDD宏基站和分布式基站方式下的覆盖增强效果进行了链路预算分析,用仿真验证2种技术对上行覆盖增强的有效性,并给出了LTE FDD上行覆盖增强建议。     

大分子螯合剂在低压力低磨料条件下铜膜的化学机械抛光中的应用

The mechanism of the FA/O chelating agent in the process of chemical mechanical polishing （CMP） is introduced. CMP is carried on a φ300 mm copper film. The higher polishing rate and lower surface roughness are acquired due to the action of an FA/O chelating agent with an extremely strong chelating ability under the condition of low pressure and low abrasive concentration during the CMP process. According to the results of several kinds of additive interaction curves when the pressure is 13.78 kPa, flow rate is 150 mL/min, and the rotating speed is 55/60 rpm, it can be demonstrated that the FA/O chelating agent plays important role during the CMP process.     

用炼厂气汽提含硫污水

<正> 一、污水汽提技术的发展概况六十年代初,国外就开始了含硫污水汽提技术的研究,相继发表了不少文献和专利。美国Chevron公司发明的双塔汽提处理含硫、含氨污水的WWT法于1966年开始工业化(如图1),经处理后的净化水含氨小于50ppm,含硫约5ppm,为含硫污水高度净化开辟了新的工艺路线。海湾研究公司开发了双塔汽提浓氯节流澎胀法(如图2)。Chevron公司的WWT法与海湾公司     

道岔拉杆镦挤成形工艺

本文在对传统的道岔拉杆成形工艺进行了分析的基础上，提出了镦挤成形工艺，并对新工艺折主要工艺参数进行了理论分析和实验研究，同时设计了一套生产性实用模具，并且进行了试生产。     

化学共沉淀法制备钛酸钡陶瓷粉体的工艺研究

采用化学共沉淀法制备BaTiO3陶瓷粉体，研究反应温度及溶液浓度对粉体形貌的影响。利用X射线衍射仪分析所得粉体的相结构，利用扫描电镜观察粉体形貌。结果表明，制得了单一立方相的BaTiO3陶瓷粉体，晶粒尺寸约为50～200nm，在本试验条件下，当反应溶液浓度相同时，随反应温度升高，颗粒尺寸减小，反应温度相同时，反应溶液浓度升高，BaTiO3颗粒尺寸增大，为合理控制共沉淀工艺条件以制得优质钛酸钡粉体提供依据。     

飞机环境控制系统热交换器优化研究

一种以热力学第二定律为基础的熵产分析方法,应用于飞机环境控制系统的部件级优化设计.在给出的设计条件下,通过分析空气在环控系统中的流动过程,得出系统熵产与给定初始条件的函数关系,结合热交换器设计计算过程,得到热交换器热边流动长度、冷边流动长度和高度之间比例关系对整个系统熵产的影响,并应用该分析方法对某型飞机环控系统进行了优化计算验证.分析结果对飞机环境控制系统的优化设计具有一定指导作用.     

一种用于电抗式有载分接开关电抗器的电感计算

介绍了一种用于电抗式有载分接开关的电抗器的特点及该种电抗器的设计要点。     

刻线边缘表面重构及其边缘粗糙度测量

给出了一种边缘粗糙度(LER)三维参数评估的方法。采用原子力显微镜(AFM)测量了刻线单侧边缘形貌,根据AFM的工作机理和测量特点重构边缘表面,采用回归分析方法确定了边缘表面的评价基准面。结合集成电路中光刻工艺的具体需求,提出了能够反映边缘表面形貌特征的三维LER表征参数。结合实例,计算了所提出的部分LER参数,分析了LER标准差参数的测量精度。