紫色氧化钨制备工艺研究

目前,国内制备紫色氧化钨的主要工艺方法是以仲钨酸铵(APT)为原料,将其置于通有NH₃的工业回转炉中煅烧而制得。本文基于上述仲钨酸铵煅烧过程中的反应机理,探究了工业回转炉中通入H₂煅烧仲钨酸铵制备紫色氧化钨的工艺方法,并对影响紫色氧化钨质量的主要工艺参数进行了分析。结果表明,采用工业回转炉中通入H₂煅烧仲钨酸铵制备紫色氧化钨的工艺方法,可实现稳定连续地生产优质紫色氧化钨。此外,针对以上两种工艺方法的适用性方面,本文亦对其进行了相关的探讨。     

准周期a-Si:H/a-SiN_x:H超晶格

本文首次报道成功地实现了非晶态半导体准周期(无平移对称性)超晶格结构.利用辉光放电汽相淀积技术,由两种超薄的a-Si:H层和a-SiN_x:H层按Fibonacci序列程序淀积而构成一维准周期超晶格.其中两种一维周期格子的调制波长比为黄金分割τ=(1+5~(1/2))/2.剖面电子显微像和相应的电子衍射花样揭示出这类新型非晶态半导体超晶格的奇异性质.简单的理论计算给予实验衍射图像以明确的物理解释.     

氧含量对VO2-x晶格特性和结构相变影响的研究

采用沉淀法制备了氧含量不同的VO2-x纳米粉．对样品进行了差式扫描量热(DSC)、X-射线衍射(XRD)和透射电子显微镜(TEM)的测试，并结合第一性原理的计算结果，具体分析了氧含量对氧化钒纳米粉的晶格特性和结构相变造成的影响：缺氧样品中形成钒填隙，富氧样品中形成氧填隙，两种缺陷分别造成晶胞体积的膨胀；缺陷带来的各向异性造成晶粒形状的改变；同时，不同缺陷态造成的能带中电子状态的改变也可能成为影响氧化钒的结构相变特性的重要因素之一．     

天然胶乳和硅橡胶气囊导尿管的成型工艺与应用

气囊导尿管广泛应用于临床医疗,对比天然胶乳与硅橡胶气囊导尿管的性能、成型工艺和应用。天然胶乳具有优异的综合性能,采用多次浸渍工艺可制作各种规格和型号的气囊导尿管,但天然胶乳制品生物相容性差,天然胶乳气囊导尿管临床上存在过敏症、亚硝胺诱导致癌和残留硝酸钙刺激等安全风险。硅橡胶气囊导尿管临床上生物相容性和安全性较好,置留时间较长,但价格相对偏高。两种气囊导尿管各有市场需求,预计硅橡胶气囊导尿管将逐渐替代天然胶乳气囊导尿管。     

钢铁企业煤气预测及优化调度系统开发

为了实现钢铁企业高炉煤气、焦炉煤气、转炉煤气的发生量及消耗量预测和优化调度两大功能,采用数据库和模块化设计方法开发了煤气预测及优化调度系统,实现了高炉煤气、焦炉煤气、转炉煤气的日平衡,解决了钢铁企业冬、夏季节性煤气平衡矛盾突出的问题,降低了煤气的放散率,提高了煤气预测精度,为煤气管理提供指导和依据。     

大型空分装置控制方案的实现

河南煤化鹤煤煤化工空分装置采用世界先进的法液空工艺,生产能力65 000 Nm3/h高压氧气,其DCS系统选用世界知名的FOXBORO IAS系统,ESD系统采用GE PAC8000系统,ITCC采用TRICONEX的TRICON系统.自2012年投运以来,装置实现了长周期满负荷生产,自控率达到99.8％.本文介绍了整个控制系统的构成.     

组合离子注入导致非对称耦合双量子阱界面混合效应光调制反射光谱

用分子束外延系统(MBE)生长了GaAs/AlGaAs非对称耦合双量子阱(ACDQW),用组合离子注入的方法,在同一块衬底上获得了不同注入离子As+、H+和不同注入剂量的GaAs/AlGaAs非对称耦合双量子阱单元,在未经快速热退火的条件下,于常温下测量了光调制反射光谱,发现各单元的子带间跃迁能量最大变化范围可达80meV.     

主要胶乳气囊医用导管国内发展概况

简述主要天然胶乳气囊医用导管(简称气囊医用导管)国内的发展概况,包括它们的发展、用途、型式结构、规格品种和生产工艺特点,阐明了国内气囊医用导管多年来生产设备和工艺技术的发展变化,就气囊医用导管临床使用反馈的主要质量问题、危害和解决办法作了说明,提出气囊医用导管质量的改进方向。     

煤炭回采过程中上覆岩离层积水赋存变化规律探讨

应用岩层吸水性的差别理论和岩层移动理论指导井下探放顶部岩层离层积水工作,通过地表岩移观测和井下打钻注水比较,分析了瑞龙矿150106工作面上覆岩离层垂直位置和水平移动规律的判别过程,得出覆岩离层的大概位置与变化趋势,为井下优化探放水布孔设计提供了理论依据,弥补顶板探放水工程的不足。     

用于TFT有源层的Ar~+激光结晶a-Si:H的性质(英文)

This paper demonstrates the technological approach to the high performance a-Si:H thin film transistor (TFT) fabricated by the Ar+ laser-crystallization technique on the fused quartz substrates. The a-Si:H films for the active layer of TFT were prepared in a capacitively coupled glow-discharge deposition system. The films were crystallized by CW Ar+ laser scanning at low speeds (3-5 cm/s). The laser power ranges from 2.5W to 5.0W. The TEM cross-section micrograph illustrates that a liquid phase laser crystallization region (LP-LCR) has defect-free of structure with a grain size of the order of handreds of micron. In the Raman spectrum of LP-LCR, 475 cm-1 peak of a-Si:H disappears and 520 cm-1 peak of c-Si becomes stronger and sharper. The value of conductivity in the layer of LP-LCR is five orders of magnitude larger than the one in asepositedd a-Si:H film. We also discussed some problems to be overcome in application of a-Si : H TFTs in LCD.