基于隐写术的图像置乱算法

基于置乱技术在隐写术中的作用,一种新的置乱方法被提出,此方法置乱的对象是频域嵌入法中的小波系数.将图论中的笛卡儿积引入了进来,通过图论的方法来阐述置乱的过程.从系数应放置的位置入手,计算出可嵌入系数应放置的位置,对照该位置进行可嵌入系数的搬移来达到可嵌入系数的均匀分布.从理论和实验两方面对置乱效果进行验证,证明了此算法可以达到隐写术中均匀置乱的要求.     

纳米粒径RGTO SnO2薄膜的制备及气敏特性研究

针对RGTO SnO2薄膜颗粒粒径较大的问题，通过控制直流磁控溅射时的溅射气压，制备出了纳米粒径RGTO SnO2薄膜，用SEM表征了其形貌及粒径分布，研究了溅射气压对其形核及生长过程的影响，测试了薄膜对乙醇的气敏特性。研究结果表明，改变溅射气压能够有效控制RGTO SnO2薄膜的粒径，这种控制作用主要发生在形核阶段，是通过溅射气压对沉积速率的影响产生的；气敏测试结果证实了该纳米粒径敏感膜具有较高的灵敏度和较快的响应恢复特性。     

无线数据增值业务平台垄断与竞争商务模式

商务模式，乏移动商务的重要研究内容之一，随着无线数据增值业务的快速发展，人们发现开放或封闭的商务模式都可以找到成功和不太成功的案例。首先对中间平台商务模式的组织架构进行了定性的讨论，然后在建立理论模型的基础上对无线数据增值业务平台商务模式中开放和封闭的组织结构对平台利润的影响进行了比较分析，给出了不同商务模式所适用的不同条件。     

上紧质量“紧箍咒”蜡笔小新斩获“名”与“利”

瓜香果熟,我们迎来了九月金秋,同时也迎来了一个关乎国计民生的重要月份——全国质量月。毫无疑问,无论世界变化得多快,无论科技发展得如何迅猛,始终离不开"质量"这一永恒要求。对于消费者而言,关注质量,就是关爱生命,就是对自己负责;而对于生产企业而言,讲究质量,就是对消费者负责,对企业发展前途负责,对社会负责。激烈的行业竞争有如大浪淘沙,洗尽乱石砂砾,最终将还原金子闪亮的面目。"质量"是产品立足市场不可或缺的武器,是企业的立足之本,任何一家致力于长远发展的企业都离不开"产品质量"作后盾。投机造假者的行为令人不耻,而那些自始至终致力于"质量"投入,以"质"取胜的企业,在赢得了市场的同时,也赢得了消费者的口碑和全社会的认可和支持。本期特别报道栏目,我刊将围绕"质量兴企"这一主题针对相关质量达标企业进行一系列的采写活动。     

提高CO传感器抗H_2干扰能力的研究

基于单个商品化SnO2传感器,研究如何提高CO传感器抗H2干扰能力。利用多种周期性加热电压对传感器进行温度调制,通过实验对比,优选加热电压参数,在所选电压的调制加热下,获得传感器对CO/H2混合气体的动态响应曲线,利用支持向量机(SVM)估算混合气体中CO的浓度,平均估计误差为10.45%。     

移动数据业务商务模式与用户感知价值的关系分析

前言关于移动数据业务,近来一些研究认为,开放、合作的商务模式能带来业务的多样性和业务平台的广泛接受,而且经常提到北欧的短信和彩信的内容提供商模式。     

纤纤光缆 性能非凡——OBTELECOM中威电子OB9231D四路数字非压缩视频光端机折机实测

“上有天堂，下有苏杭。”坐落在人间天堂杭州的中威电子技术有限公司，于2000年在“浙江省光纤通信技术重点研究实验室”基础上成立，自此，中威电子专注于数字视频通信领域产品的研发和生产，先后开发出完全具有自主知识产权的全系列数字非压缩视频光端机产品。在本期的封面产品测试中，我们要为大家推介的就是中威电子OB9231D四路数字非压缩视频光端机。[编者按]     

优越性价比 开创新天地——经济型高清晰度彩色摄像机实测索尼SSC—DC493AP／DC498AP

提起索尼的CCTV产品，人们不禁会被其出色的性能表现和优良的制造工艺所折服，但是定位高端的价格也使工程商在采购产品时不得不慎重考虑。为了能够满足更广泛的工程商和用户的需求，使他们在工程报价范围内选择性价比最好的产品配置，索尼特别推出了定位中、低端市场的SSC—DC493AP／DC498AP经济型高清晰度彩色摄像机，该系列摄像机在保证图像品质的基础上，很好的兼顾到普遍关心的价格因素，使其拥有优越的性价比。[编者按]     

Al组分阶变势垒层AlGaN/AlN/GaN HEMTs的制备及性能

用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术,在蓝宝石衬底上生长了Al组分阶变势垒层结构的AlGaN/AlN/GaN高电子迁移率晶体管结构材料.用三晶X射线衍射(TCXRD)和原子力显微镜(AFM)对材料的结构、界面特性和表面形貌进行了研究.测试结果表明该材料具有优良的晶体质量和表面形貌,GaN(0002)衍射蜂的半高宽为4.56＇,AFM 5μm×5μm扫描面积的表面均方根粗糙度为0.159nm;TCXRD测试中在AlGaN(0002)衍射峰右侧观察到Pendell(o)sung条纹,表明AlGaN势垒层具有良好的晶体质量和高的异质结界面质量.     

采用AlN缓冲层在Si(111)衬底上生长GaN的形貌

针对Si衬底上生长GaN具有的特有形貌进行了研究,分析采用扫描电镜(SEM)、X射线能谱仪(EDS)、原子力显微镜(AFM)等手段,研究了使用AlN作为缓冲层的GaN的生长模式、缺陷形成机理、应力释放机制.并且发现缓冲层厚度和外延层生长温度对裂纹和表面缺陷的形成有很大的影响.