一种剪枝压缩CNN移动设备端图像篡改检测方法

针对现有图像篡改检测方法应用场景单一,检测率不佳的问题,提出了一种适用于移动设备端的篡改检测方法.该方法基于CNN模型实现,考虑到CNN网络层与参数的复杂性过高,设计了剪枝压缩策略.通过激活值与信息熵的融合,有效评判CNN加权的重要程度,裁掉重要程度不高的加权.在其基础上结合逐层裁剪,根据精度和剪枝效果进行反馈调整,控制剪枝压缩的均衡性.针对剪枝压缩CNN设计了相应的卷积层、pooling池化层和调节层,分别从层和篡改方式的角度进行分析优化,并根据图像块相关度确定篡改位置.通过数据集仿真分析,验证了剪枝压缩策略在控制精度损失的同时,对CNN模型采取合理压缩,有效降低了复杂度和处理开销,适于部署在移动设备端;同时整体方法对于图像篡改检测表现出良好的准确性和全面性,能够对篡改区域及其边缘进行准确定位.     

基于DSP的H.264关键模块技术的研究及实现

本文介绍了视频编码标准H.264的技术特点,研究了基于DM642关键模块的技术,在此基础上着重讨论了最耗时的整数变换、运动估计的实现算法.实验结果表明,对其进行并行汇编优化,可提高指令的并行度,达到提高程序执行效率的目的.     

降低脲基润滑脂工作噪声的研究

从基础油、稠化剂的配方比和后处理工艺3个方面分析了影响脲基润滑脂工作噪声的因素。结果表明:低粘度的环烷基矿物油作为基础油制备的润滑脂,具有良好的降噪声效果;脂肪胺和环烷胺为原料制备的脲基润滑脂具有较好的降噪声特性。通过实验证明,采用低粘度的环烷基矿物油作为基础油,采用TDI、脂肪胺、环烷胺作为稠化剂,通过控温慢冷和循环剪切方式,可以制得具有良好降噪声效果的二聚脲润滑脂。     

浅谈分析化学实验中的环保措施

分析化学实验废弃物成分复杂、毒性高、难降解，易在环境中不断积累而造成许多潜在的危害。化学实验的污染防治工作必须“防”与“治”并举，“防”是根本，“治”是必要补充。对此，文章结合分析化学实验自身的特点，提出一些具体的污染防治措施。     

m叉树的一种画树算法

本文将E．M.Reingold和J.S.Tilford的二叉树画树算法推广到m叉树画树算法，并给出了算法的时间复杂度分析和实验结果。     

EcoCell浮选系统运行平衡控制的探讨

介绍了EcoCell浮选系统的组成和控制原理，根据生产运行的体会，提出要平衡控制一段浮选进浆量和二段浮选良浆分配量的观点。     

印度独一无二的新纸机

印度巴拉普尔有限公司（Ballarpur Industries Limited BILT））在马哈拉斯特拉邦Bhigwan纸厂的新纸机——一台带在线涂布机的2号纸机,正在成为印度涂布纸机的新标杆。     

仪器分析实验"课程思政"教学改革探索与评价分析

为客观了解仪器分析实验实施课程思政教学改革两年来的效果,以进一步提高课程思政教学质量。采用问卷调查的方式,了解学生对课程思政教学的认识,以及对仪器分析实验课程开展课程思政的教学内容、教学方式、教学时间、教学效果等方面的评价。结果表明,在仪器分析实验中开展课程思政教育,总体满意度较高,在提升教师思政素养、丰富课程思政资源、探索有效教学方式等方面要持续改进、不断完善。     

Co、Mn共掺杂铋层状Na_(0.5)Bi_(4.5)Ti_4O_(15)无铅压电陶瓷的显微结构及电性能

采用固相法制备Na0.5Bi4.5Ti4O15+x%Co2O3+y%MnCO3(NBT-CM-x)(y=0.1x)铋层状无铅压电陶瓷,研究了Co、Mn共掺杂对Na0.5Bi4.5Ti4O15陶瓷显微结构和电性能的影响。结果表明:所有样品均为铋层状结构;Co、Mn共掺杂能促进陶瓷晶粒生长;随Co、Mn共掺杂量的增加,Curie温度TC逐渐升高(均在635℃以上);Cole-Cole图出现2个圆弧,表明存在晶粒和晶界效应;适量Co、Mn共掺杂提高了Na0.5Bi4.5Ti4O15陶瓷的压电常数d33、剩余极化强度Pr、机械品质因数Qm和相对介电常数εr,降低了直流电导率σDC和介电损耗tanδ。当x=3.0时,NBT-CM-x陶瓷的综合性能最佳:d33=24pC/N,Pr=11.70μC/cm2,Qm=3 117,εr=198,tanδ=0.19%,kp=9.9%,kt=14.7%,表明该陶瓷材料具有良好的高温应用前景。     

Ce掺杂Na_(0.25)K_(0.25)Bi_(2.5)Nb_2O_9-0.4wt%Cr_2O_3高温无铅压电陶瓷的研究

采用固相法制备了Na0.25K0.25Bi2.5Nb2O9-0.4wt%Cr2O3-xwt%CeO2(x=0.00~1.00)高温无铅压电陶瓷,研究了Ce掺杂对该系列陶瓷微观结构及电性能的影响。结果表明所有样品均为单一的铋层状结构陶瓷,适量的Ce掺杂明显改善了陶瓷的压电与铁电性能,降低了陶瓷的电导率和介电损耗。当掺杂量x=0.50时,样品具有最佳性能:d33=27 pC/N,tanδ=0.09%,kp=7.97%,Qm=2637,Tc=656℃,Ec=46 kV/cm和Pr=4.4μC/cm2,表明该材料在高温领域内具有良好的应用前景。