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991.
992.
993.
李向阳 《计算机辅助设计与制造》1996,(1):42-44
本文介绍了Windows环境下用VisualBasic开发AutoCAD的ADS应用程序的方法,并给出了应用实例。 相似文献
994.
根据多年的实践,从操动机构的角度出发,对一些影响SN4—10G、CD8—370型断路器合闸可靠性的因素进行了分析并提出改进措施。 相似文献
995.
用冲击摆的方法测量了脉冲激光与碲锅汞冲量耦合系数,发现所测量的耦合系数受样品靶面积的影响,面积越大,系数越大;面积越小,系数也越小。这是因为强激光发射形成的激波引起的,利用激波膨胀模型,解释了这一现象。 相似文献
996.
997.
文章简单回顾了氮化镓基雪崩光电二极管的发展现状,从制作高响应率、低漏电流的雪崩器件出发,详细阐明了制作氮化镓基雪崩光电二极管的工艺过程,特别考虑了干法刻蚀带来的物理损伤以及后续的消除损伤处理。由于雪崩器件对于材料的质量具有较苛刻的要求,因此特别对材料进行了必要的筛选。通过一系列工艺上的改进,成功地制作出国内第一只氮化镓基雪崩光电二极管,器件的光敏面直径是40μm;并对其进行了光电性能测试。测试结果表明,当反向偏压是58V时,漏电流大约是1.18×10-7A,雪崩增益是3。 相似文献
998.
山东师范大学确立了以“数字化、网络化、多媒体信息资源建设与信息服务”为核心建设内容的、全面推进教育信息化的新思路,随着智能化、数字化校园系统建设的全面启动和运行,为学校实现跨越式发展提供了先进的平台和手段。本文将介绍山东师范大学校园“一卡通”系统的总体结构、系统功能、运行方式、安全性等,并对目前的使用情况进行总结和展望。 相似文献
999.
制备了Al0.1 Ga0.9N/GaN异质结P-I-N结构可见盲正照射紫外探测器.用能量为O.8MeV的电子对器件依次进行注量为5×1014,5×1015和5×1016n/cm2的辐照.通过测量辐照前后器件的Ⅰ-Ⅴ曲线和光谱响应曲线,讨论了不同注量的电子辐照对Al0.1Ga0.9N/GaN异质结P-I-N器件性能的影响.实验表明,小注量的电子辐照对器件的反向暗电流影响不大,当电子注量≥5×1O16n/cm2时才使器件的暗电流增大一个数量级.为了分析器件的辐照失效机理,制备SiN/GaN的MIS结构,并对其进行电子辐照,发现SiN/GaN之间的界面态随着电子辐照注量的增加而增加.这表明,器件的暗电流的增大的原因之一为钝化层与GaN材料之间因为辐照诱生的界面态.辐照前后器件的光谱响应曲线表明,电子辐照对器件的响应率没有产生明显的影响. 相似文献
1000.
由于卫星长寿命的要求与机械制冷机有限寿命的矛盾,制冷机必须采用间歇式工作模式,因此星载碲镉汞红外探测器在太空中工作会经受从常温(20℃)到低温(-173℃以下)的成千上万次的温度循环,这给红外探测器带来了新的可靠性问题。本文介绍了自主研发的高低温循环试验系统,液氮致冷,温度循环范围为295K到100K。利用试验系统对两种型号的红外探测器组件进行了温度循环试验可靠性研究,测试和统计了循环试验前后的电阻、信号和噪声变化,针对具体试验结果做了分析和解释,为器件的工艺研发和改进提供了参考。 相似文献