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<正>阳春4月,春暖花开,水乡交错的沟壑几乎没有任何垃圾,波光粼粼泛着白光,随处可见三三两两的垂钓爱好者在河边抛竿开钓。每每遇到水乡的老百姓,他们都毫不吝啬的夸耀:自从推行了河长制,政府搞起生态养殖,每个河道都有河长管着,还有人专门负责河道日常保洁,我们水阳镇的水跟以前比啊,真是大变样了!三分地七分水面,宣州区水阳镇拥有着得天独厚的水资源优势,水网交 相似文献
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高阻硅掩膜选择性生长多孔硅阵列 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍一种在低阻P型硅衬底上用氢离子注入技术形成局部高阻硅掩膜,用电化学腐蚀选择性生长多孔硅微阵列的工艺流程。结果证明,用高阻硅掩膜选择性生长多孔硅具有很好的掩蔽效果,生成的多孔硅阵列的有序性和完整性良好。 相似文献
64.
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66.
67.
The influence of operation parameters on the adsorptio11 perforn1ance of protein (bovin serum albumin,BSA) in an expanded bed was studied using Streamline diethyl aminoethyl (DEAE).The result of residence timedistributions (RTD) and breakthrough curves showed that adsorption performance of the expanded bed could notbe improved by increasing the fiow velocity at the range from 16ml.min~(-l)to 26ml.min~(-1).The increase of proteinconcentration from 0.5 mg.ml~(-1) to 2mg.ml~(-l) resulted in poor adsorption performance.With increasing temperaturefrom 5℃ to 30℃ and the sedimented bed height from 11.5cm to 22.5cm,the adsorption characteristics in theexpanded bed were improved. 相似文献
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69.
悬臂式RF MEMS开关的设计与研制 总被引:4,自引:2,他引:4
介绍了一种制作在低阻硅(3~8Ω·cm)上的悬臂式RF MEMS开关.在Cr/ Au CPW共面波导上,金/Si Ox Ny/金三明治结构或电镀金作为悬置可动臂,静电受激作为开关机理.当开关处于“关断”态,其隔离度小于- 35 d B(2 0~4 0 GHz) ;阈值电压为13V ;开关处于“开通”态,插入损耗为4~7d B(1~10 GHz) ,反射损耗为- 15 d B.另外,还分析了开关的悬臂梁弯曲度与驱动电压的关系,并应用ANSYS软件对开关进行了电学、力学及耦合特性的计算机模拟 相似文献
70.
通过在共平面波导上周期性地分布微机械电容,外加电压驱动改变电容值,可实现级联式MEMS移相器.本文讨论了优化相移特性对共平面波导特性阻抗及下拉电压的要求,通过工艺参数优化制备了高阻硅基上的Ka波段级联式MEMS移相器,测试结果表明制备器件具有较低的驱动电压,8V时即产生明显的相移量,在36GHz处15V驱动电压时相移量为118°,25V时为286°.对微结构弹性膜的机械振动寿命测试表明,13级级联的MEMS移相器所有弹性膜同步振动的寿命为3×106次.为器件的实用化提供了重要保障. 相似文献