首页 | 官方网站   微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   207篇
  免费   10篇
  国内免费   35篇
工业技术   252篇
  2024年   1篇
  2023年   6篇
  2022年   10篇
  2021年   8篇
  2020年   5篇
  2019年   12篇
  2018年   8篇
  2017年   5篇
  2016年   8篇
  2015年   9篇
  2014年   16篇
  2013年   13篇
  2012年   11篇
  2011年   12篇
  2010年   17篇
  2009年   11篇
  2008年   7篇
  2007年   21篇
  2006年   7篇
  2005年   20篇
  2004年   13篇
  2003年   5篇
  2002年   4篇
  2001年   4篇
  2000年   2篇
  1999年   2篇
  1998年   7篇
  1997年   1篇
  1994年   2篇
  1991年   2篇
  1990年   2篇
  1984年   1篇
排序方式: 共有252条查询结果,搜索用时 31 毫秒
11.
基于序次Logistic回归的产品意象造型设计研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
为设计出符合消费者感性需求的产品,提出基于序次Logistic回归的产品意象造型设计方法.首先,应用KJ法和因子分析法确定产品的感性意象,使用形态分析法确定造型设计要素,在此基础上由正交试验设计法构建产品全轮廓卡片,对其感性意象进行调查.其次,通过对感性意象评价等级分布的分析,选择Probit函数作为序次Logistic回归的联接函数,建立感性意象与设计要素之间的数学模型.最后,通过测试验证了模型的有效性.文中结合办公座椅的设计进行研究,结果表明该方法是正确可行的.  相似文献   
12.
对硝酸-硫酸混酸法硝酸磷肥生产装置进行改造,添加硫酸钾生产三元硝基复合肥。介绍三元硝基复合肥的生产工艺流程、装置特点。生产的三元复合肥料产品水溶率高,深受用户好评,提高了公司市场竞争力。  相似文献   
13.
本文主要对高清三维釉面砖模具设计的独特性、合理性进行了分析与研究。同时,探讨了如何在大批量生产中,通过优化成型工艺、釉料性能、淋釉设备及工艺等改进,以保证高清三维釉面砖的质量及独特的装饰效果。  相似文献   
14.
为研究252Cf自发裂变碎片电荷分布,建立了由屏栅电离室和ΔE-E粒子望远镜构成的探测器系统。在该系统中,将薄的屏栅电离室作为碎片的ΔE探测器,E探测器是金硅面垒半导体探测器。通过分析实验测量的4参数关联数据,得到了252Cf自发裂变碎片质量数、动能及碎片在气体ΔE探测器中的能量沉积分布等物理量。用多高斯(multi-Gaussian)分布函数对ΔE探测器的能量响应函数进行最小二乘法拟合,得到了在固定质量数A*L和动能条件下轻碎片的电荷分布。结果表明:该探测器系统的电荷分辨能力Z/ΔZ约为40∶1;建立起来的测量技术可用于测定235U(n,f)和239Pu(n,f)反应碎片的电荷分布。  相似文献   
15.
利用直流反应磁控溅射法,以N2O为N掺杂源,用Al-N共掺技术制备了p型Zn0.95Mg0.05O薄膜.用X射线衍射分析(XRD)、Hall测试仪和紫外可见(UV)透射谱等研究方法对其晶体结构、电学性能和禁带宽度进行分析.XRD分析结果表明,Zn0.95Mg0.05O薄膜具有良好的晶格取向,Hall测试的结果所得p型Zn0.95Mg0.05O薄膜最低电阻率为58.5Ω·cm,载流子浓度为1.95×1017 cm-3,迁移率为0.546cm2/(V·s),UV透射谱所推出的薄膜禁带宽度中,纯ZnO,p型Zn0.95Mg0.05O和p型Zn0.9Mg0.1O分别为3.34,3.39和3.46eV,可以看出Mg在ZnO禁带宽度中起了调节作用.  相似文献   
16.
采用脉冲激光沉积方法在石英衬底上生长了掺锑(Sb)的p型ZnO薄膜.X射线衍射测试表明薄膜具有c轴择优取向的结构特性,霍尔测试表明ZnO薄膜呈p型导电特性,XPS分析表明Sb掺入了ZnO薄膜,且Sb掺人ZnO中是占据Zn的位置,而不是O的晶格位置.通过优化温度获得了电学性能优良的p型ZnO薄膜,其电阻率为2.21Ω·cm,迁移率为1.23cm2/(V·s),空穴浓度为2.30×1018cm-3.  相似文献   
17.
通过直流反应磁控溅射法在玻璃衬底上制备了掺镓ZnO(ZnO:Ga)透明导电薄膜,研究了溅射压强对ZnO:Ga透明导电薄膜结构、形貌和电光学性能的影响.X射线衍射结果表明,所制备的ZnO:Ga薄膜具有C轴择优取向的六角多晶结构.SEM测试表明,ZnO:Ga薄膜的形貌强烈依赖于沉积压强的变化.沉积的ZnO:Ga薄膜最低电阻率可达4.48×10-4Ω·cm,在可见光范围内平均透射率超过90%.  相似文献   
18.
使用脉冲激光沉积法(PLD)在Si(100)衬底上无催化生长出了MgxZn1-xO纳米柱阵列.扫描电镜结果发现:在较大的范围内,直径为30~50nm、长度约为60nm均匀分布的纳米柱阵列生长在一层厚度约为70nm的纳米晶薄膜上.XRD结果中的(002)峰和PL谱中的带边发射峰相对于纯ZnO薄膜都发生了不同程度的偏移,表明了Mg组分的掺入改变了ZnO的晶格常数和带隙宽度.分析了MgxZn1-xO纳米柱的生长机制.  相似文献   
19.
为设计出符合消费者感性需求的产品,采用基于模糊逻辑的产品意象造型设计方法.首先确定感性词汇与造型设计要素,利用模糊逻辑建立二者之间的关系.通过模糊化、模糊规则的构建、模糊推理以及反模糊化等过程进行模糊逻辑控制器的设计,用Matlab 建立仿真模型,最后通过测试验证了模型的有效性.结合折叠自行车造型设计进行研究,结果表明...  相似文献   
20.
目前在电厂水汽系统在线监测中广泛使用了经氢离子交换后的电导率表 [简称 DD(H+)表 ],目的是为了能更直观有效地监督水汽系统中盐份含量水平。通常 DD(H+)反应灵敏而可靠。但在特定情况下它的使用应具有补充措施。我厂机组为 30 0 MW亚临界直流炉 ,给水处理采用加氨及二甲基酮肟除氧剂处理。在 1 997年年中水汽分析时发现系统中给水及蒸汽 Na+超标 ,而且 4台机组均有此现象。 1 997年 8月 1 4日 ,对 1号机凝水精处理混床 B(已经运行 8d)出水水质进行跟踪分析 ,测得 NH+4 含量为 2 0 0 μg/L ,Na+1 8.0μg/L时 ,系统中给水 Na+≤ 1 0…  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司    京ICP备09084417号-23

京公网安备 11010802026262号