小型腔式微波离子源的等离子体产生及引出特性

研制了一种用石英管制作的小型腔式微波离子源，该腔套在石英管的一端，封装两电极引出系统。该了源利用腔激发起的表面波在石英管内产生等离子体柱。在微波频率为２．４５ＧＨｚ，输入功率为９３．Ｗ时，氮的引出离子流密度可高达９１．７ｍＡ／ｃｍ２＾２。，这种表面波放电等离子体源具有体积小，结构简单，在宽的压强范围内能产生再生性好，工作十分稳定的等离子体柱等特点。     

Ti-Mo互扩散界面吸氢同位素效应的离子束分析研究

为探究Ti-Mo互扩散对金属吸氢的影响,本文采用离子束分析方法对Ti-Mo薄膜的膜-基互扩散界面的吸氢同位素（H和D）效应进行了研究。通过氩离子刻蚀减薄的方法有效降低了表面碳、氧杂质对样品吸氢的影响。吸氢结果表明,对于表面洁净的样品,氢化后固相中氢或氘的浓度均沿着深度随钼原子含量的增加而减小。在单一气体吸氢实验中,氢原子浓度减小的趋势较氘原子缓慢;而在氢氘混合气体吸氢实验中,当容器中的氢氘压强比p(H2)∶p(D2)≥05∶1时,固体中氘氢浓度之比随钼浓度的增加而降低,但当p(H2)∶p(D2)<05∶1时,氘氢浓度之比随钼浓度的增加而升高。因此,由于Ti Mo界面的互扩散,吸氢出现了显著的氢同位素效应,钼的存在不利于体系对氢同位素气体的吸收。     

贮氢金属中氢同位素的离子束分析方法评估

文章介绍用离子束方法分析贮氢金属中氢同位素含量与分布的实验条件与设计，并分析各自的优、缺点。通过实验测量与分析表明，用离子束分析方法可获得氢同位素含量与分布的丰富信息和精确数值。用6.0MeV的O离子束进行ERD分析的优点是截面为卢瑟福截面，所用的Mylar膜薄，能使H、D、T明显分开，测量精确，缺点则是对样品制备要求高，分析深度小；用7.4MeV的⁴He离子束进行ERD分析能得到H、D、T的分布信息，对Ti的分析深度可达到3.0μm，缺点则是三者的谱图相互重叠，模拟解谱的误差较大；用3.0MeV的质子进行PBS分析，只能获得D、T的分布信息，但分析深度更深。      

城市1∶500比例尺地形图网格化更新模式的探讨

当前各地城市1∶500比例尺地形图动态更新所采用的技术和方法大致相似,本文从质量、效率及作业人员满意度三方面对其存在的问题进行了剖析,认为类似的更新模式存在进一步改进的空间。考虑到此项工作的长期性,本文提出了一种网格化更新模式,通过分析比较,网格化更新模式在效率及作业人员满意度等方面有明显的改进,并对如何保证更新质量提出了建议;文章最后对网格化更新模式在数字城市或智慧城市建设中的潜在价值进行了展望。     

小型腔式微波离子源的等离子体产生及引出特性

研制了一种用石英管制作的小型腔式微波离子源，该腔套在石英管的一端，封装两电极引出系统。该离子源利用腔激发起的表面波在石英管内产生等离子体柱。在微波频率为2．45GHz、输入功率为93W时，氮的引出离子流密度可高达91．7mA／cm2。这种表面波放电等离子体源具有体积小、结构简单，在宽的压强范围内能产生再生性好、工作十分稳定的等离子体柱（1012～1013cm-3）等特点。还给出了放电的自一致描述以及放电的电子密度与压强、等离子体柱半径和输入功率的关系。     

小型腔式微波离子源的表面波放电模型

研究了小型腔式微波离子源的表面波放电模型。当考虑了放电管几何参量及放电参量（如压强、气体流量、微波频率等）的影响时，对低气压下的等离子体柱轴向密度分布曲线和色散特性进行了较为系统的理论描述。数值计算结果发现，放电管参数γ＝１＋ｄ／Ｒ（ｄ为管厚，Ｒ为等离子体柱半径）、介电常数εｄ和气体流量及方向对密度分布曲线影响十分显著。ＡＳｏｌａ及ＳＤｖｌａｕｄ测得的表面波产生等离子体柱轴向密度分布与计算结果一致。用该理论模型预测了这种表面波离子源的放电结果。     

基于NBCORS的宁波市现代测绘基准建设成果融合应用研究

阐述了宁波市现代测绘基准建设成果的组成结构,由此提出了基准成果间的融合应用总体建设思路,它将NBCORS与控制测量成果、似大地水准面、测绘行政监控和坐标转换进行集成,并通过项目的实施对测绘基准建设成果进行了融合应用研究。     

轨道交通管线详查方法研究

根据宁波市轨道交通建设过程中对管线详查的特殊要求,介绍了相应管线探测的主要技术方法,并成功解决了深埋金属管线和深埋非封闭非金属管线的探测技术方法,同时优化了数据处理技术,提高了数据查询效率。     

质子在固体中的多次散射对PBS法分析Ti、Zr膜中D、T的影响

在对固体中的D、T进行PBS分析实验中,质子的多次散射影响不可忽略。本文采用简单的线性修正方法,通过数据分析获取质子在不同材料中,多次散射计数与道数的拟合线性关系,获得满意的修正结果,总的分析误差可控制在10%以内。     

PBS法测量Ti膜中H同位素深度分布

在Mo底衬上制备了约5m的3个TiDxTy样品,用质子背散射（PBS）法分析了D、T在Ti膜中的深度分布,其中,T的分析能得出较为准确的结果,而D的分析结果受质子在Mo底衬中多次散射信号的影响偏差较大。分析结果表明,PBS法测量的T含量和浓度与样品制备过程中测量的结果一致,且T在Ti膜中分布均匀。这证明PBS法可用于对材料中T浓度与分布的分析。