Cu∶KLN晶体的生长及物理性能研究

在KLN中掺进CuO ,以Czochralski法生长Cu∶KLN晶体 ,研究Cu∶KLN晶体的成分配比以及配比与生长速度的关系。采用场冷法极化Cu∶KLN晶体 ,以HF和HNO3混合液腐蚀极化晶片 ,测试Cu∶KLN晶片的红外光谱 ,研究Cu2 + 在KLN晶体中的占位情况。测试晶体的拉曼光谱 ,研究Cu∶KLN晶体的开裂和失透的因素和克服措施。生长出 6× 8× 30 (mm3)的Cu∶KLN晶体     

Zn:Fe:LiNbO3晶体全息干涉计量的研究

以Ｚｎ：Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３作为记录介质,Ｃｕ：ＫＮＳＢＮ晶体为自泵浦位相共轭镜,实现双曝光实时干涉计量。用于无损检测系统中,测量精度高,误差小。Ｚｎ：Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体的抗光致散射能力和响应速度皆优于Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体。     

超大容量光学体全息存储技术与材料的研究动态

结合国内外发展动态以LiNbO3晶体为主说明了光学体全息存储材料具有超大容量、数据传输快、并行计算、按页存储和内容寻址等优点 ,详细介绍了光学体全息存储的原理及技术特点。以实验中的数据为基础指出 :抑制串扰噪声和改进双掺和三掺铌酸锂晶体的存储性能应成为今后研究的主攻方向     

新型闪烁晶体NaBi(WO4)2的研制及闪烁性能的研究

报道了新型闪烁晶体ＮａＢｉ（ＷＯ４）２的生长。测试了晶体的透过率，抗辐照损伤能力和发光效率，ＮａＢｉ（ＷＯ４）２晶体的衰减为３ｎｓ，是闪烁晶体中最短者之一。     

Zn:Fe:LiNbO3晶体全息存储性能

在ＬｉＮｂＯ３中掺进ＺｎＯ和Ｆｅ２Ｏ３生长了Ｚｎ：Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体。     

In离子在掺杂LiNbO3晶体中的占位研究

测量了掺In系列LiNbO3晶体的吸收光谱和红外透射光谱,研究了In离子在掺In系列的固液同成分配比LiNbO3晶体中的占位情况。在In^3 的掺入量低于阈值3％(摩尔分数)时,In离子占据NbLi^4 位;在掺入量高于阈值3％时,In^3 占据NbNb位和LiLi位。利用光斑畸变法得到掺In系列LiNbO3晶体的抗光损伤能力,发现在In^3 掺入量高于阈值3％时的抗光损伤能力增强,比掺入量低于阈值的晶体高1～3个数量级。通过In^3 的占位情况讨论了In系列掺杂LiNbO3晶体抗光损伤能力增强的机理。     

Ce：Eu：KNSBN晶体位相共轭效应的研究

在KNSBN晶体中掺进CeO2和Eu2O3,以硅钼棒作加热体,利用Czochralski法生长Ce:Eu:KNSBN晶体,测试18度切和0度切晶体的自泵浦位相共轭反射度和响应时间,18度切的样品自泵浦位相共轭性能位于0度切的样品,采用自泵浦位相共轭镜,In:Fe：LiNbO3晶体作为存储介质,实现了关联存储。     

Ce∶Mn∶SBN晶体的生长及位相共轭效应的研究

采用垂直提拉法生长了Ｃｅ∶Ｍｎ∶ＳＢＮ晶体。测试了晶体的位相共轭反射率、自泵浦位相共轭反射率和响应时间。以Ｃｅ∶Ｍｎ∶ＳＢＮ晶体位相共轭镜作阈值、增益反馈系统,以Ｚｎ∶Ｆｅ∶ＬｉＮｂＯ３ 晶体作为存储介质,实现了关联存储。Ｃｅ∶Ｍｎ∶ＳＢＮ晶体的位相共轭性能优于ＳＢＮ晶体。     

Mg:In:LiNbO3晶体波导基片光损伤性能研究

在LiNbO3中掺入3％MgO和1％In2O3(摩尔分数，下同)，采用Czochralski法生长了3％Mg：2％In：LiNbO3晶体。极化后，对晶体进行氧化和还原处理。利用光斑畸变法，测试了晶体在488．0nm波长下的抗光损伤能力，结果表明：Mg：In：LiNbO3晶体抗光损伤能力比LiNbO3晶体提高2个数量级以上。通过Li空位模型，研究了Mg：In：LiNbO3晶体抗光损伤能力增强的机理。利用苯甲酸质子交换法制备了几种晶体的光波导基片，并采用m—线法测试了y切型波导基片在632．8nm波长下的光损伤阈值，Mg：In：LiNbO3；光波导基片的抗光损伤能力也相应提高了2个数量级。     

全息法研究Mg:In:LN晶体波导基片的光损伤

在ＬＮ中掺进ｘ（ＭｇＯ）＝３％和ｘ（Ｉｎ２Ｏ３）＝１％、２％,用Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ法生长Ｍｇ：１％Ｉｎ：ＬＮ和Ｍｇ：２％ＩＮ：：ＬＮ晶体。以光斑畸变法测试晶体光损伤阈值,通过质子交换技术（ＰＥ）制备ＬＮ和Ｍｇ：Ｉｎ：ＬＮ晶体光波导基片,用全息法研究晶体波导基片的光损伤。结果表明,ＰＣ：Ｍｇ：１％Ｉｎ：ＬＮ的光损伤阈值比ＰＥ：ＬＮ提高２个数量级以上,ＰＥ：Ｍｇ：２％Ｉｎ：ＬＮ的光损伤阈值比ＰＥ：