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受主掺杂 BaPbO3中的非化学计量比 总被引:1,自引:0,他引:1
采用高温平衡电导法测定了高温平衡电导率随氧分压(10^-12~10^5 Pa)的变化曲线,由此确定了未掺杂和Al受主掺杂BaPbO3陶瓷多晶体中的主导缺陷及其电荷补偿缺陷.同时讨论了受主掺杂浓度对材料的高温平衡电导率、高氧分压和低氧分压下主导缺陷转变点的影响,确定了受主掺杂BaPbO3缺陷行为随掺杂量的变化机理.在高氧分压下,材料表现出本征缺陷行为,Pb离子空位占主导,电荷补偿缺陷为空穴;随着氧分压的下降,材料由本征缺陷控制区域进入非本征缺陷控制区域,受主杂质取代Pb离子空位占主导;在低氧分压区域,随着氧离子空位浓度的上升,氧离子空位取代空穴,成为受主杂质的电荷补偿缺陷. 相似文献
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BaPbO3 thin films were deposited on Al2O3 substrates by sol-gel spin-coating and rapid thermal annealing. The microstructure and phase of BaPbO3 thin films were determined by X-ray diffractometry, scanning electrons microscopy and energy dispersive X-ray spectrometry. The influence of annealing temperature and annealing time on sheet resistance of the thin films was investigated. The results show that heat treatment, including annealing temperature and time, causes notable change in molar ratio of Pb to Ba, resulting in the variations of sheet resistance. The variation of electrical properties demonstrates that the surface state of the film changes from two-dimensional behavior to three-dimensional behavior with the increase of film thickness. Crack-free BaPbO3 thin films with grain size of 90 nm can be obtained by a rapid thermal annealing at 700 ℃ for 10 min. And the BaPbO3 films with a thickness of 2.5 μm has a sheet resistance of 35 Ω·-1. 相似文献
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采用氧化物固相反应法制备了A、B位离子掺杂0.67Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.33PbTiO3陶瓷,研究了掺杂对陶瓷的相结构、介电和铁电性能等的影响。Sm和La两种A位掺杂离子的引入,均较大幅度的降低了样品的介电常数峰温和声誉极化值,同时材料的最大介电常数也有了不同程度的降低。而随着B位离子Mn掺杂量的增加,使陶瓷样品中钙钛矿相逐渐增加,焦绿石相逐渐降低;而且部分掺杂的Mn离子会进入到晶格的B位,形成第二相;同时随着Mn离子掺杂量的增加,介电峰值逐渐增大,压电性能有所提高,弥散度依次增大。当锰掺杂量为1.5%mol时的压电陶瓷组分,其介电和压电性能各为:ε=2300,kp=0.54,Qm=900,tanδ=0.004,d33=400pC/N,适合于制作大功率压电陶瓷变压器。 相似文献
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陶瓷成型新方法及其应用的研究 总被引:7,自引:0,他引:7
介绍和讨论了作为一种借助酶催化化学反应实现原位凝固的崭新近净尺寸陶瓷成型概念的直接凝固注浆成型方法与技术,以及通过与陶瓷粉料混合形成浓悬浮胶体的有机单体在加人偶联剂、催化剂和引发剂后的聚合反应促成原位聚合凝固的注疑成型方法与技术。利用这两种成型技术可以获得均匀、无密度梯度的近净尺寸坯体和致密陶瓷制品。这里也简单介绍和讨论了喷墨打印成型技术。它是一种利用计算机控制实现多层打印、逐层叠加制出三维陶瓷坯体的计算机辅助制造(CAM)陶瓷的成型新技术。 相似文献