工艺参数对新型AgInSbTe相变薄膜反射率的影响

利用磁控溅射法制备了一种新型AgInSbTe相变薄膜。分析了溅射气压和溅射功率对非晶态和晶态相变薄膜反射率的影响,结果表明不同溅射气压、功率下制备的相变薄膜的反射率具有明显差异,阐述了引起相变薄膜反射率变化的原因,并研究了蓝光(405nm)波长处相变薄膜反射率随溅射气压和溅射功率的变化规律。     

第三届国际新玻璃讨论会和国际新玻璃科学和技术会议

第三届国际新玻璃讨论会和国际新玻璃科学和技术会议于1991年10月14—17日在日本东京召开。前一会议由日本新玻璃论坛主办,讨论侧重于工业应用的新玻璃,分3个主题,全为特邀报告。     

酞菁化合物L—B薄膜的可逆光学变化和光记录特性

报导了酞菁化合物的吸收光谱随中心金属离子的有机基团的替代而产生的变化，以及酞菁铜（ＴＮＰｃＣｕ）和酞菁锌（ＴｎＰＰｃＺｎ）的单分子薄膜的吸收光谱随温度的变化。发现酞菁铜薄膜在７４０ｍｍ波长的光吸收的滞后回旋现象以及酞菁锌的可逆光吸收变化。报导了利用上述现象的可擦重写的光存储特性。     

聚焦脉冲激光作用下Ge2Sb2Te5薄膜晶化过程及机理

采用聚焦脉冲激光研究了Ge2Sb2Te5薄膜在沉积和激光淬火两种非晶态下反射率与激光脉冲宽度变化的关系，发现沉积态的Ge2Sb2Te5薄膜在晶化触发阶段内的反射率随激光脉冲宽度增加而减小，经过激光淬火的非晶态Ge2Sb2Te5薄膜在晶化触发阶段内的反射率随激光脉冲宽度增加而变化平缓。本文借用气－液体系中过饱和度分析液滴形成的原理，从统计物理学角度详细研究了两种非晶态Ge2Sb2Te5薄膜在脉冲激光作用下的晶化过程及机理，结果表明，当Ge2Sb2Te5的非晶态程度处于未饱和或饱和状态时不形成晶核；当Ge2Sb2Te5的非晶态程度处于过饱和状态时，此时的Ge2Sb2Te5为亚稳态，可能形成大小不等的晶核，但只有半径大于临界晶核尺寸时才可能长大成晶粒，而应力降低晶化能垒，增加非晶态Ge2Sb2Te5的过饱和度是导致沉积态与激光淬火态的Ge2Sb2Te5薄膜在晶化触发阶段内反射率随激光脉冲宽度变化规律不一致的根本原因，并据此解释了Ge2Sb2Te5薄膜在这两种状态下的反射率随激光脉冲宽度的变化特点及规律。     

第四届全苏玻璃态会议概况

第四届全苏玻璃态会议于1964年3月16日至21日在列宁格勒召开。会议是由苏联科学院硅酸盐化学所、国家光学研究所和门捷列也夫化学学会联合组织的。出席会议的有苏联各地40多个单位的450多位正式代表,此外尚有列席代表100～200人。本届会议苏联事先对外国代表作了广泛的邀请,应邀参加的代表团计有:保加利亚、匈牙利、东德、捷克斯洛伐克、法国、美国等。中国     

飞秒脉冲激光对Ti宝石辐照作用的研究

采用波长800nm、脉冲宽度120fs的飞秒激光对温度梯度(TGT)生长的Ti宝石进行辐照后,材料呈暗黑色。通过相关数学模型计算出Ti宝石在激光辐照瞬间的热影响范围(HAZ)为1.968×10-3μm,材料最高温度达1.47×105K。样品经飞秒激光辐照后吸收增大,但没有新吸收峰出现,通过对比不同品质因数(FOM)值的Ti宝石样品在420nm处荧光谱发现,飞秒激光辐照后420nm处荧光强度增大是由于样品中Ti4+浓度增大引起的。拉曼光谱和X射线衍射(XRD)的检测结果表明,激光辐照后材料的晶格产生畸变,晶格质量明显下降。     

磷酸盐和氟磷酸盐玻璃中Cr~(3 )的激光激发的荧光光谱研究

对磷酸盐和氟磷酸盐玻璃中Cr~(3 )离子的吸收光谱、荧光光谱及荧光寿命作了测定。根据配位场理论对实验数据作了分析处理。同时采用铜蒸汽激光器作为激光源,用它的5106A和5782A两条线分别研究了两种玻璃中Cr~(3 )的荧光光谱。实验中观察到Cr~(3 )离子被激光窄线所选择激发。进一步测定了室温下这两条线所激发的时间分辨的荧光光谱,观察到荧光光谱峰值的位移和线宽变窄。     

激光作用下GeS2非晶半导体薄膜的性能及结构变化

采用514.5石nm波长的氩离子激光器,结合X射线衍射分析（XRD）、红外光谱分析（IR）、扫描电镜分析（SEM）和透射光谱分析,研究了GeS₂非晶半导体薄膜在激光辐照后的性能及结构变化.实验结果发现,经热处理和激光辐照后,薄膜的光学吸收边均移向短波长处,并且随着辐照激光强度和辐照时间的增加而增加,这种平移在退火薄膜中是可逆的.SEM结果分析表明,薄膜在激光辐照后有晶相出现,且随着辐照激光强度的增加,晶相更多.     

聚焦脉冲激光作用下Ge2Sb2Te5薄膜晶化过程及机理

采用聚焦脉冲激光研究了Ge₂Sb₂Te₅薄膜在沉积和激光淬火两种非晶态下反射率与激光脉冲宽度变化的关系,发现沉积态的Ge₂Sb₂Te₅薄膜在晶化触发阶段内的反射率随激光脉冲宽度增加而减小,经过激光淬火的非晶态Ge₂Sb₂Te₅薄膜在晶化触发阶段内的反射率随激光脉冲宽度增加而变化平缓.本文借用气-液体系中过饱和度分析液滴形成的原理,从统计物理学角度详细研究了两种非晶态Ge₂Sb₂Te₅薄膜在脉冲激光作用下的晶化过程及机理,结果表明,当Ge₂Sb₂Te₅的非晶态程度处于未饱和或饱和状态时不形成晶核;当Ge₂Sb₂Te₅的非晶态程度处于过饱和状态时,此时的Ge₂Sb₂Te₅为亚稳态,可能形成大小不等的晶核,但只有半径大于临界晶核尺寸时才可能长大成晶粒.而应力降低晶化能垒,增加非晶态Ge₂Sb₂Te₅的过饱和度是导致沉积态与激光淬火态的Ge₂Sb₂Te₅薄膜在晶化触发阶段内反射率随激光脉冲宽度变化规律不一致的根本原因,并据此解释了Ge₂Sb₂Te₅薄膜在这两种状态下的反射率随激光脉冲宽度的变化特点及规律.     

偶氮染料掺杂高分子薄膜的光学常数

在单晶硅片上 ,以旋涂 (Spin- Coating)法制备了推 -拉型偶氮染料掺杂高分子 (PMMA)薄膜 ,其中二甲基胺基 [N(CH3 ) 2 ]作为推电子基团 ,羧基 (COOH)作为拉电子基团。利用椭圆偏振光谱和吸收光谱 ,研究了薄膜的复折射率、复介电函数和吸收系数 ,分析了影响薄膜电子光谱的因素。结果表明 ,该薄膜在 40 0～ 60 0 nm波长范围内 ,存在强而宽的吸收 ,并发现染料分子的聚集状态对其吸收光谱有较大的影响