高温AlN模板上p型GaN的生长研究

利用低压金属有机物化学气相沉积技术,采用均匀掺杂和渐变Mg-δ掺杂方法,分别在氮化镓(GaN)和高温氮化铝(HT-AlN)模板上,生长了p型GaN外延材料.生长后,双晶X射线衍射和霍尔测试结果表明:HT-AlN模板上采用渐变Mg-δ掺杂方法生长的p型GaN材料,具有最好的晶体质量和电学性能.该p型GaN样品的(0002)面半峰宽值小至178",其空穴氧浓度为5.78×1017 cm-3.在对Cp2Mg/TMGa进行了优化试验后,p型GaN的空穴氧浓度被提高到8.03×1017 cm-3.     

响应面法优化富硒米曲霉的培养条件的研究

文章首先用单因素法分别对富硒米曲霉发酵的培养条件:转速、接种量、装液量进行了考察.确定了最佳培养条件为:转速180 r/min,接种量10%,装液量320 mL/L.在此基础上,采用中心组合试验设计结合响应面分析法(Response Surface Methodology,RSM)对影响富硒米曲霉的发酵条件进行进一步优化.结果表明,主要影响因素的最佳条件为:转速180 r/min,接种量10.5%,装液量364 mL/L,米曲霉的胞内硒产量为2.512 mg/g,与理论值2.529 mg/g,相差0.67%.因此,利用响应面分析法对米曲霉富硒的培养条件进行优化合理可行.     

在RHEED实时监控下GaAs晶体生长研究

采用分子束外延技术,利用RHEED图像可研究GaAs表面重构方式和生长机制。报道了一种新型的分子束外延方法,在RHEED实时监控下,利用GaAs(001)基片同质外延GaAs。通过改变生长和退火的时间与温度(420、500、580℃),结合RHEED图像演变与GaAs表面平整度(粗糙化)的联系,得到表面原子级平整的GaAs样品。完成生长后对样品做EDS分析,确定样品为高纯度GaAs。利用这种方法,得到厚度约为4μm砷化镓晶体。     

MBE生长GaAs薄膜表面形貌的RHEED图样研究

本文通过在GaAs(100)单晶衬底上MBE生长GaAs过程中形成的RHEED衍射图样,对GaAs薄膜的表面形貌进行研究。分析GaAs表面粗糙和生长时不发生RHEED强度振荡的原因。讨论在生长GaAs时出现In(Ga)As/GaAs(100)体系的RHEED衍射图样这种异常现象的原因。     

不饱和聚酯亚胺/少胶粉云母带绝缘及VPI工艺在高压电机中的应用

论文介绍了不饱和聚酯亚胺／少胶粉云母带绝缘体系及真空压力浸渍（VPI）电机工艺技术，对模拟线棒进行了常规电气性能，电热老化试验，检测结果和模拟线圈的检测在电机上应用的结果表明绝缘完全可以满足电机的绝缘性能要求。     

湘南江永铅锌矿床成因:来自S、Pb同位素约束

江永铅锌矿是湘南的一处大型铅锌矿床,其主矿体矿石硫化物δ~(34)S值变化范围为1.1‰~3.5‰,平均值2.2‰,硫主要来源于壳—幔源混熔岩浆。矿石~(206)Pb/~(204)Pb、~(207)Pb/~(204)Pb、~(208)Pb/~(204)Pb比值分别为18.895~19.01、15.805~15.811、39.297~39.324;花岗闪长岩体岩石~(206)Pb/~(204)Pb、~(207)Pb/~(204)Pb、~(208)Pb/~(204)Pb比值分别为18.67~18.76、15.68~15.75、38.83~39.05;铅同位素构造模式图和△β-△γ成因分类图解揭示,两者铅同位素组成相同,都主要为上地壳铅,是由同一岩浆体系分异形成,可能来源于古老基底岩石。S、Pb同位素示踪江永矿床成矿物质主要来源于壳—幔混熔岩浆,少量来自赋矿地层。湘南江永大型铅锌矿的矿床类型为燕山期岩浆热液充填—交代型。     

体育课堂教学与信息技术深度融合实践策略探究——以水平三(五年级)蹲踞式起跑为例

基于体育课堂和学生综合素养的发展需要,在教学实践中,教师需要引导学生用更科学更先进更高效的方法参与体育学习活动,以信息技术媒介提高体育课堂教学效率,让学生通过信息媒介学习科学的锻炼方法,形成终身锻炼、科学健身的意识.因此,本文作者将小学体育教材(蹲踞式起跑)与武汉教育云平台等信息媒介整合开展教学实践,以期提高课堂效率,...     

对KDN型定氮仪测定蛋白质含量有关问题的探讨

为提高蛋白质的检测效率和检验结果的准确度,依据GB／T5511--2008《谷物和豆类氮含量测定和粗蛋白质含量计算凯氏法》要求,用KDN型定氮仪测定了色氨酸回收率和玉米中蛋白质含量,对硫酸最佳使用量进行了探讨,总结了注意事项。     

MBE生长InGaAs/GaAs(001)多层矩阵式量子点

用分子束外延(MBE)设备以Stranski-Krastanov(S-K)生长模式,通过间歇式源中断方式外延生长了多个周期垂直堆垛的InGaAs量子点,首次获得大小及密度可调的In0.43Ga0.57As/GaAs(001)矩阵式量子点DWELL结构。样品外延结构大致为500nm的GaAs、多个周期循环堆垛InGaAs量子点和60ML的GaAs隔离层等。生长过程中用反射式高能电子衍射仪(RHEED)实时监控,样品经退火后使用扫描隧道显微镜(STM)进行表面形貌的表征。     

高Al组分n-AlGaN的Ti/Al/Ti/Au欧姆接触

采用Ti/Al/Ti/Au多层金属电极对高Al组分n-AlxGa1-xN(x=0.6)欧姆接触的制备进行了研究,通过优化Ti接触层厚度以及合金退火条件,获得了较低的比接触电阻率(5.67×10-5Ω.cm2)。研究证实,Ti接触层厚度对欧姆接触特性有着重要影响,同时发现,高低温两步退火方式之所以能够改善欧姆接触特性的本质是与Al3Ti及TiN各自的生成条件直接相关,即低温利于生成Al3Ti,高温利于生成TiN,而这对n型欧姆接触的有效形成至关重要。