MBE生长InGaAs/GaAs(001)多层矩阵式量子点

用分子束外延(MBE)设备以Stranski-Krastanov(S-K)生长模式,通过间歇式源中断方式外延生长了多个周期垂直堆垛的InGaAs量子点,首次获得大小及密度可调的In0.43Ga0.57As/GaAs(001)矩阵式量子点DWELL结构。样品外延结构大致为500nm的GaAs、多个周期循环堆垛InGaAs量子点和60ML的GaAs隔离层等。生长过程中用反射式高能电子衍射仪(RHEED)实时监控,样品经退火后使用扫描隧道显微镜(STM)进行表面形貌的表征。     

来宾电厂1号机组磨煤机隔声墙的效果分析

1　概况　　我厂1987年开始建设,一期工程装机容量250MW(2×125MW)。分别于1989年3月、1991年1月投产。每台机组配2台DTM320/580型干式高温钢球磨煤机,这4台球磨机、2座锅炉和4台送风机是锅炉零米层的主要噪声源,而球磨机的噪声最为严重。鉴于现有技术条件并结合本厂实际情况,我厂决定采用建造隔声墙的办法来减少零米层的噪声,以期达到“工业企业噪声卫生标准”的要求。2　隔声墙的建造　　1号机组隔声墙的俯视图呈“凹”字型。两端为固定墙,长1.64m,高4.9m(4.9m以上是原建筑结构);中间部份,长36.62m,高9.86m。为便于球磨机的维修,隔声墙…     

用于硫化橡胶脱硫过程能量分析之模型构建

双螺杆脱硫作为一种废旧橡胶脱硫的新方法、新技术,正引起越来越多的学者的关注。该脱硫方法属于一种热力双重作用脱硫方法,脱硫效果与温度和剪切力的选择密不可分。温度和剪切力提供了含硫键断裂所需的外部能量,所以含硫键断裂前后的系统能量变化问题是一个重要课题,而模型的建构则是最为关键的第一步。为此,构建了分别含2条链的天然橡胶（NR）、丁苯橡胶（SBR）以及8条链NR、SBR周期模型,其中主链与主链之间分别通过单硫、双硫、三硫键相连接（交联）。采用COMPASS力场,利用分子动力学方法,在一定的模拟条件下,对交联键断裂及未断裂系统进行了分子动力学模拟。根据分子动力学得出的能量数据,计算出交联键断裂前后的能量差。结果表明,2条链的NR模型获得的能量差数据存在较好的定性关系,在增加模拟时间和对模型通过周期性排列改善后,能量差数据更为合理。而对于2条链SBR模型和8条链SBR周期模型,由于非键能作用影响超过了断裂的键能,断裂能量数据不太稳定（出现负值且二硫键相关能量数据波动较大）,说明这两种模型不太适合本课题研究。相对而言,8条链NR周期模型中平均单个键的能量差数据波动幅度不大,断裂能量差偏差较小,结果非常理想;而且,能量差大小与键能理论值顺序完全一致,说明8条链NR周期模型非常适合于研究硫化橡胶含硫键的断裂能量差。     

基于斜台面工艺的背照式GaN雪崩探测器制备

为了获得高功率高光束质量激光输出,设计并制备了一种780nm波段5发光单元列阵器件,其采用10μm宽窄条形波导,各发光单元中心间距为100μm,填充因子仅为10%。在准连续注入电流由1.2A增加到2.5A条件下,该器件的输出光束侧向光学参量积由0.666mm·mrad增加至0.782mm·mrad。注入电流为2.5A时,该器件实现了单边准连续506mW的高光束质量激光输出。 更多还原     

改进潜水泵电机防水防潮性能的措施

本文通过对电机线圈部位受潮机理的分析，采取了增加漆包线防潮护层、改进绕组连接线绝缘、整机进行VPI处理工艺等措施，有力地提高了电机防水防潮性能。     

GaAs(001)-(2×6)重构下的表面形貌及其重构原胞

采用RHEED与STM技术对GaAs(001)-(2×6)表面重构下的表面形貌进行研究,研究发现GaAs(001)-(2×6)重构表面是GaAs(001)-β2(2×4)重构表面经530℃,1.33μPa As BEP退火获得,在(2×6)重构下的GaAs(001)表面形貌已经进入表面存在系列单层岛和坑覆盖的无序平坦状态。为了进一步确定(2×6)重构的原胞结构,采用球棍模型对其原胞结构进行模拟,提出新的As表面覆盖率计算方法、结合STM图片分析对球棍模型进行验证和筛选,首次在实验上证实(2×6)重构原胞中存在2个As Dimers和2个Ga Dimers,并以此重构原胞结构构建理论下的(2×6)重构表面,获得结果与STM图片高度吻合。     

自组织InAs/GaAs与InGaAs/GaAs量子点生长及退火情况的比较

本文采用MBE进行InAs/GaAs与InGaAs/GaAs量子点的生长,利用RHEED进行实时监测,并利用RHEED强度振荡测量生长速率。对生长的InAs/GaAs和InGaAs/GaAs两种量子点生长过程与退火情况进行对比,观察到当RHEED衍射图像由条纹状变为网格斑点时,InAs所需要的时间远小于InGaAs;高温退火下RHEED衍射图像恢复到条纹状所需要的时间InAs比InGaAs要长。     

高温AlN模板上p型GaN的生长研究

利用低压金属有机物化学气相沉积技术,采用均匀掺杂和渐变Mg-δ掺杂方法,分别在氮化镓(GaN)和高温氮化铝(HT-AlN)模板上,生长了p型GaN外延材料.生长后,双晶X射线衍射和霍尔测试结果表明:HT-AlN模板上采用渐变Mg-δ掺杂方法生长的p型GaN材料,具有最好的晶体质量和电学性能.该p型GaN样品的(0002)面半峰宽值小至178",其空穴氧浓度为5.78×1017 cm-3.在对Cp2Mg/TMGa进行了优化试验后,p型GaN的空穴氧浓度被提高到8.03×1017 cm-3.     

一种基于条件信度参数证据网络的态势感知方法

针对战场协同作战中的多平台多传感器探测的信息如何有效形成统一的战场态势感知的问题,本文提出一种基于条件信度参数的证据网络态势感知方法,该方法利用条件信度参数和证据理论,以图结构的方式组织先验知识,相比已有方法,可以有效地进行多源态势信息的融合,减少存储代价和计算复杂度.最后通过实例分析,验证了本文方法的优越性.     

110 kV大容量变电站建设方案

电网建设与城市用地之间的矛盾日趋突出,部地分区甚至出现变电站规划站址难以落实的现象,为此提出了大容量变电站建设方案,该方案可以合理利用有限的站址和通道资源,满足电网建设可持续发展要求。 提出了大容量变电站适用范围、变压器型式选择、电气主接线、全寿命周期成本以及大容量变电站设置的其他要求。