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11.
12.
淀粉接枝丙烯酸高吸水树脂的制备 总被引:1,自引:0,他引:1
采用间歇法制备淀粉接枝丙烯酸的高吸水树脂,用光学显微镜对共聚物结构进行了表征,探讨了反应温度、糊化时间、淀粉与丙烯酸的质量配比、中和度等反应条件对吸水率、吸盐水率的影响。反应温度为75℃、淀粉的糊化时间为40min、淀粉与丙烯酸质量比为1∶3、中和度为80%时树脂的吸水率最高。通过光学显微镜观察,共聚物表面为松针状结构时吸水性最好。 相似文献
13.
以2-甲基-3-丁烯-2-醇为单体,对C.I.活性红198染料进行改性,经紫外光引发将改性染料接枝到棉织物的表面而实现染色。在正交法和单因素法探讨得出的最佳工艺条件下,对光接枝染色的织物性能进行分析。结果表明,与浸染染色法相比较,光接枝染色织物的染色深度为浸染染色织物的63.4%,拉伸性能降低了3%,透气性减少了21.3%,柔软性能略下降,表面粗糙度增加。 相似文献
14.
硅橡胶力学性能差,需要补强,这是硅橡胶产品开发的关键。本文报道用溶胶沉淀法制备具有核-壳结构的纳米CaCO3/SiO2复合粒子,将该复合粒子替代部分二氧化硅作为硅橡胶的补强材料。通过实验确定它对硅橡胶的力学性能和热稳定性能的影响。比较用纳米CaCO3/SiO2复合粒子以及用CaCO3补强的硅橡胶,前者不仅物理力学性能较佳,而且能降低材料的成本。但后者耐热性能较好。 相似文献
15.
利用超高真空化学气相沉积(UHV/CVD)成功实现了Si1-xGex的低温选择性外延生长,并研究了H2对选择性外延生长的影响及其作用机理.以SiH4和GeH4为反应气源,在开有6mm×6mm窗口氧化硅片上进行Si1-xGex外延层的生长.首先分别以不含H2(纯GeH4)和含H2(90%H2稀释的GeH4)的两种Ge源进行选择性外延生长.通过SEM观察两种情况下氧化硅片表面,发现H2的存在对选择性外延生长有至关重要的作用.接着以90%H2稀释的GeH4为Ge源,变化Si源和Ge源的流量比改变H2分压,以获得SiH4和GeH4(90%H2)的最佳流量比,使外延生长的选择性达到最好.利用SEM观察在不同流量比时,经40min外延生长后各样品的表面形貌,并对其进行比较,分析了H2分压在Si1-xGex选择性外延生长中的作用机理. 相似文献
16.
采用金属Ni诱导与超高真空化学气相沉积相结合的方法,低温下在氧化Si衬底上制备出了多晶GeSi薄膜.利用X射线衍射仪、场发射扫描电镜等对多晶GeSi薄膜的晶体质量、表面形貌进行了表征,研究了在Ni上生长多晶GeSi的生长方式及表面形貌随生长参数变化的规律.结果表明,在温度高于510℃时,Ni金属诱导作用明显;生长压强为10Pa时,多晶GeSi能够形成连续致密的薄膜,而采用先低压(0.1Pa)后高压(10Pa)的生长方式,多晶GeSi呈现分离的晶须状,晶须尺寸多在100nm以上. 相似文献
17.
18.
为了更好地进行大口径光学元件轮廓测量,以激光跟踪仪作为测量的工具,引入测量平差理论对测量数据进行处理,以提高光学元件毛坯制作、铣磨加工阶段的轮廓测量精度。首先,对拟合误差的公式进行了推导,得出影响拟合精度的因素;之后,对于大口径元件轮廓测量的具体检测模型提出了提高拟合精度的方法;最后,对于实际的2 m量级口径的SiC主镜进行了实际的测量与拟合,并从F数、拟合残差、结构函数等角度分析了平差结果。所提出的方法对于大口径元件的加工检测具有较好的指导意义。 相似文献
19.
本文主要介绍了一种新型电磁振动细筛的工作原理与特点,并简要阐述了该设备在煤泥浆制备中的应用情况。 相似文献
20.
成庄煤矿供电自动化系统的技术改造 总被引:1,自引:0,他引:1
通过对成庄矿供电系统的设备及保护装置的技术改造,采用工业以太网和光缆方式组成电网监控系统实现遥测、遥控、遥信和遥调。重点介绍系统结构、功能。经实际运行,有效提高了矿井生产的管理水平,实现了矿井供电系统运行信息的安全监控。 相似文献