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研究了K3C60单晶薄膜在200K附近的导带结构.样品温度为190K时,同步辐射角分辨光电子谱能够观察到[111]方向有规律的能带色散.而在220K附近色散不存在.这一实验结果与K3C60在200K存在取向相变相符合.用反铁磁Ising模型对实验结果进行了分析.结果表明,K3C60在200K的相变是由低温下的一维无序取向结构转变为200K以上的双取向结构畴与无序分子(约占40
关键词:
3C60')" href="#">K3C60
取向相变机理 相似文献
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利用同步辐射角分辨光电子能谱研究了分子束外延生长的Co/Cu(111)超薄膜电子结构的变化.Cu(111)的位于表面布里渊区Γ点的表面态在覆盖度为两单层时仍然可以分辨,说明薄膜生长模式不是二维层状生长.在一单层和二单层时,动量沿Cu体布里渊区ΓΛL方向变化,Co的最明显的峰包有能量色散.在覆盖度从一单层到两单层的变化过程中,固定光子能量测谱发现Co的能带的能量调整.实验测得的Co膜的电子结构与已有理论计算的结果对比,初步确定Co原子在生长初期阶段为两层岛生长,而且在一单层时已经具有铁磁性. 相似文献
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利用紫外光电子谱 (UPS)对乙烯 (C2 H4)和乙炔 (C2 H2 )气体在Ru(10 10 )表面的吸附及与K的共吸附进行了研究 ,实验结果表明 :当衬底温度超过 2 0 0K ,乙烯即发生脱氢反应后 ,σCH 和σCC 能级均向高结合能方向移动 .在室温下 ,σCH和σCC 能级位置与乙炔在Ru(10 10 )表面的吸附时的分子能级完全一致 .乙烯发生脱氢反应后的主要产物为乙炔 .衬底温度从 12 0K升到室温 ,Ru(10 10 )表面上乙炔的σCH 和σCC 能级均未发现变化 .室温下乙炔仍然可以在Ru(10 10 )表面以分子状态稳定吸附 .在有K的Ru(10 10 )表面上 ,室温时σCC谱峰几乎消失 .碱金属K的存在促进了乙炔的分解 . 相似文献
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在超高真空系统中制备了Yb275C60薄膜.对样品进行了同步辐射光电子能谱研究.在费米能级以下约5 eV范围内的谱数据由Yb275C60价带(C60分子轨道LUMO,HOMO和HOMO 1导出的能带)和芯态(Yb 4f7/2,4f5/2)能级构成.用紫外能区不同能量的入射光子,用C 2p和Yb 4f光电离截面随光子能量的不同变化规律,通过定量拟合,得到了对谱线有贡献的上述各个组分的峰位、峰宽和强度.结果表明,光子能量高于约300 eV时,芯态4f的贡献使得实验结果远远偏离价带的本征态密度分布.因此,研究Yb275C60价态时,应使用能量低于300 eV的光子.对实验和拟合结果分析,发现了类似纯C60的光电离截面振荡现象.振荡幅度相对于纯C60较小,反映了化合物中C60分子的化学环境对光电离截面振荡现象起着不可忽略的作用.
关键词:
Yb275C60
同步辐射光电子能谱
光电离截面振荡 相似文献
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不同的光电子能谱仪有不同的探测面积和接收角度,在所探测范围内实验光源的单位面积强度直接决定了实验计数率的高低, 因此了解所用能谱仪在什么样大小的光源尺寸下实验以获得最佳的实验条件就显得很为重要. 本文分析了北京同步辐射实验室光电子能谱仪在4B9B光束线所提供的光源下对能谱仪测试的实验结果,从现在所用的光源尺寸大小上讨论了以往实验计数及分辨能力不很理想的原因,提出了在现有能量分析器条件下4B9B光束线的光源尺寸要求.从而进一步确定了光束线的高能分支增加后聚焦镜以改善聚焦的改进方案,同时对束线的低能分支也作了相应的改进设计. 相似文献
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用紫外光电子能谱和同步辐射光电子能谱研究了Sm掺杂C60薄膜的价带电子结构.Sm的价电子大部分转移给C60,化学键以离子性为主.对于任何化学配比都没有观察到费米边,所以Sm富勒烯超导相在室温下为半导体性质.获得了很接近单相Sm2.75C60的样品在费米能级附近的电子态密度分布.固溶相的光电子发射与Sm2.75C60有明显区别.SmxC60关键词:
60的Sm填隙化合物')" href="#">C60的Sm填隙化合物
价带光电子能谱
电子结构 相似文献
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用X射线光电子能谱和同步辐射光电子能谱研究了Sb掺杂的钙钛矿型氧化物SrTi1-xSbxO3(x=0.05,0.10,0.15,0.20)薄膜的电子结构.薄膜由紫外脉冲激光淀积在SrTiO3(001)单晶衬底上.该薄膜系列在可见光波段透明,透过率均超过90%.其导电性与掺杂浓度有关,当Sb掺杂浓度x=0.05时,薄膜显示金属型导电性.X射线光电子能谱和同步辐射光电子能谱研究结果表明,Sb掺杂在母化合物SrTiO3的禁带内引入了浅杂质能级和深杂质能级.浅杂质能级上的退局域化电子离化到导带中会产生一定的传导电
关键词:
光电子能谱
光学透过率
脉冲激光沉积薄膜 相似文献
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