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Improved power simulation of AlGaN/GaN HEMT at class-AB operation via an RF drain–source current correction method 下载免费PDF全文
A new modified Angelov current–voltage characteristic model equation is proposed to improve the drain–source current(Ids) simulation of an Al Ga N/Ga N-based(gallium nitride) high electron mobility transistor(Al Ga N/Ga N-based HEMT) at high power operation. Since an accurate radio frequency(RF) current simulation is critical for a correct power simulation of the device, in this paper we propose a method of Al Ga N/Ga N high electron mobility transistor(HEMT)nonlinear large-signal model extraction with a supplemental modeling of RF drain–source current as a function of RF input power. The improved results of simulated output power, gain, and power added efficiency(PAE) at class-AB quiescent bias of Vgs =-3.5 V, Vds= 30 V with a frequency of 9.6 GHz are presented. 相似文献
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We propose a scheme for a chip-based dynamic micro atom trap where the trap potentials are created by square wave radiation and an inhomogeneoas static magnetic field. The parameters of this kind of trap array can be modulated dynamically. Both one-dimensional (I-D) and two-dimensional (2-D) trap array potentials for 6Li atoms are discussed. The 1-D trap is combined by a square wave radiation (6 kHz) and a gradient magnetic field (300G/cm), the array constant of 1-D trap is 0.85 μm. Since the trap array does not require any laser field, it can be easily integrated on a chip and it is useful in applications of scalable quantum information processing. 相似文献
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评估学习行为,改革教学模式 总被引:1,自引:0,他引:1
本文从调查研究着手,分析了当前大学生物理存在的问题,提出了具体的教学对策,并对一年来教改革实践效果用调查数据作了对比分析,得了有意义的教学启示,取得了有益经验。 相似文献
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用现场显微红外光谱电化学技术研究了聚电解质中TCNQ在电化学还原过程中二价阴离子在Li^+离子之间形成的离子对。离子对效应随阳离子浓度增加而增大。观察到一个文献中未曾报道的谱带位于2130cm^-1附近。 相似文献
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