ULTRAHIGH DATA DENSITY STORAGE WITH SCANNING TUNNELING MICROSCOPY

Ultrahigh density data storage devices made by scanning probe techniques based on various recording media and their corresponding recording mechanisms, have attracted much attention recently, since they ensure a high data density in a non-volatile, erasable form in some kinds of ways. It is of particular interest to employ organic polymers with novel functional properties within a single molecule (or a single molecular complex) for fabricating electronic devices on a single molecular scale. Here, it is reported that a new process for ultrahigh density and erasable data storage, namely, molecular bistability on an organic charge transfer complex of 3-nitrobenzal malononitrile and 1,4-phenylenediamine (NBMN-pDA) switched by a scanning tunneling microscope (STM). Data density exceeds 10¹³ bits/cm² with a writing time per bit of ～1μs. Current-voltage (I/V) measurements before and after the voltage pulse from the STM tip, together with optical absorption spectroscopy and macroscopic four-probe I/V measurements demonstrate that the writing mechanism is conductance transition in the organic complex. This mechanism offers an attractive combination of ultrahigh data density coupled with high speed. The ultimate bit density achievable appears to be limited only by the size of the organic complex, which is less than 1nm in our case, corresponding to 10¹⁴ bits/cm². We believe that provided the lifetime can be improved, molecular bistability may represent a practical route for ultrahigh density data storage devices.     

一层随机非球形粒子高阶散射矢量辐射传输迭代解的参数求逆

根据一层随机非球形粒子矢量辐射传输(VRT)方程的一阶与高阶Mueller矩阵解的差异,提出了在已知一些参数的条件下,用水平与垂直同极化和交叉极化后向散射测量反演非球形粒子复介电常数和单位面积粒子数的迭代方法,并用极化后向散射强度的模拟测量数据及机载合成孔径雷达(Air SAR)实测数据进行了反演试验,并对反演值与各参数的关系以及测量噪声对反演的影响进行了讨论.     

钙钛矿型稀土锰氧化物La0.7Sr0.3FexMn1—xO3的磁性和巨磁电阻效应

采用溶胶-凝胶工艺制备了La     

有机单体3-phenyl-1-ureidonitrile薄膜的超高密度信息存储

采用扫描隧道显微镜(STM)在3-phenyl-1-ureidonitrile(PUN)有机单体薄膜上进行了超高密度信息存储的研究.通过在STM针尖和高定向裂解石墨(HOPG)衬底之间施加一系列的电压脉冲,在薄膜上写入了一个稳定的5×6信息点阵,信息点的大小是0.8nm.电流电压(I-V)曲线表明,施加电压脉冲前后薄膜的导电性质发生了变化.信息点的写入机制可能是强电场作用下引发的PUN分子的局域聚合,从而导致薄膜由高电阻态向低电阻态转变. 关键词： 超高密度信息存储 有机薄膜 扫描隧道显微镜(STM)     

分形粗糙面双站散射的快速前后向迭代法数值模拟

为模拟复杂分形表面特别是在低掠角入射条件下的双站散射,发展了一种结合前后向迭代方法(FBM)与谱加速算法(SAA)快速求解散射场的Monte Carlo数值方法,计算了在TE,TM锥形波入射在一维分形导体粗糙面的双站散射以及有规则异物存在时的双站散射,讨论了分形粗糙面双站散射的角度性分布与其分数维的关系. 关键词： GFBM/SAA 分形粗糙面 双站散射     

粒子场同轴全息记录装置的通光孔径对信息量的影响

通过分析粒子场同轴全息记录装置通光孔径对粒子信息通过量的影响，对不同大小、形状的粒子在相同距离和实验装置下的信息通过量进行数值模拟，并进行实验说明，得到了小粒子信息基本通过时对装置通光孔径的参数要求，有助于爆轰实验装置参数的设计。     

粘结NdFeB永磁体化学镀Ni-Cu-P防护层工艺过程研究

研究了粘结NdFeB永磁体化学镀Ni Cu P合金防护层的工艺过程。研究表明:粘结磁体经碱性去油、缓蚀酸洗、镀前隔离与活化处理后再进行化学镀Ni Cu P,可获得镀层光亮平整,结合力好,孔隙率为每平方厘米0.5个,腐蚀速率为0.07mg·cm-2·h-1的耐蚀性镀层,该镀层对磁体磁性能无不良影响。     

横向塞曼激光器理论

根据Lamb理论,对横向磁场下任意J值(能级的总角动量)的激光场的振幅和频率方程进行了具体的计算,给出任意J值以及J=1→2的一阶、三阶系数的解析式。作为结果的一个具体应用实例,成功地解释了6328?的He-Ne²⁰横向塞曼激光器的拍频调谐曲线。 关键词：     

集成毛细管电泳芯片系统的制作、测试及应用

使用标准光刻和化学湿法腐蚀技术,在玻璃板材上制作了由样样管道和分离管道内构成的集成毛细管网路系统,对影响芯片质量的一些因素进行了讨论,并进行了性能测试和评价。芯片上毛细管道散热良好。使用激光诱导荧光和CCD成像检测系统,以电渗作用为驱动力,对混合样品进行了进样、快速分离（20s以内）和监测,证明了自制集成毛细管电泳芯片及检测系统的可行性。比较了两种注样方式（float和pinched)的不同;证明了在分离时可以优化加电策略,防止拖尾,改善峰形。