X射线荧光光谱法测定铁矿石中SiO2含量的校准曲线的评估

<正>SiO₂是铁矿石主要杂质成分之一,是评价铁矿石品质的重要指标,常采用X射线荧光光谱法^[1]测定其含量。测定前,需要先用具有一定浓度水平范围的标准样品系列建立校准曲线,校准曲线性能检验不仅是方法确认和验证的重要内容,还是测量溯源的有效途径,获得满意测量结果的基础。大多数日常检测中,仅用校准曲线的相关系数作为曲线质量的评判准则是不够的,这是因为相关系数只能说明数据点是否近似在一条直线上,而不能评估校准曲线的精密度和准确度。     

"喧宾夺主"巧解题

你是否知道司马光砸缸救孩子的故事,一般人看来,要使掉进水缸的孩子不被淹死,就要把他拉出来,使"人离开水",但是缸高、人矮、力气小,怎么办呢?司马光急中生智,把缸打破,来了个"水离开人".……     

火棘果中总黄酮的含量测定

利用索氏提取法提取火棘果中总黄酮,以芦丁为对照品,紫外分光光度法测定其含量。在波长418nm处芦丁在浓度5—30μg.mL-1范围内具有良好线性关系,其相关系数r=0.9997。该方法简便、重现性好,可作为火棘中总黄酮含量测定的一种方法。     

槐枝中总黄酮的含量测定

采用索氏提取法提取槐枝中的总黄酮,芦丁为对照,分光光度法测定其含量。样品浓度在16.104—96.624μg.mL-1范围内线性关系良好,相关系数r=0.9996。该方法简便、准确,可用于槐枝中总黄酮的含量测定。     

土荆芥果实挥发油成分及抗氧化能力

对土荆芥果实挥发油成分及抗氧化能力进行研究。采用质谱技术与Kovats指数相结合对土荆芥果实挥发油化学成分进行分离鉴定;利用清除1,1-二苯基苦基苯肼(DPPH)自由基的方法,评价土荆芥果实挥发油的抗氧化能力。土荆芥果实挥发油中分离鉴定了11种组分,其相对含量占挥发油总质量的98.94%,含量较高组分是α-异松油烯(60.44%),驱蛔素(15.57%),对-聚伞花素(12.76%)和α-松油烯(4.51%)。清除DPPH自由基IC50为6.9053mg.mL-1。土荆芥果实挥发油主要成分是萜烯类化合物;并具有一定的抗氧化能力。     

锑化铟晶体材料的发展及应用

锑化铟(InSb)晶体材料自发现伊始,基于其独特的物理化学性质和优良的工艺兼容性,成为了半导体材料领域研究的热点。近几十年来,由于其在红外探测领域的应用前景,更是深受国内外研究机构的广泛关注和重视,技术发展迅速。目前,InSb晶体材料作为制备高性能中波红外探测器的首选材料,应用前景和商业需求巨大,基于InSb晶体材料的红外探测器的快速发展更是大大提升了红外系统的性能,促进了红外技术在军民领域的广泛应用。本文主要介绍了InSb晶体材料的性质,梳理了国内外各公司及研究机构关于InSb晶体材料的研究进展,以及其在红外探测领域的应用情况,对其发展前景和趋势进行了展望。     

考虑质量控制和损失规避的供应链网络均衡研究

研究质量控制和损失规避背景下供应链网络均衡问题,通过变分不等式原理描述供应链内部成员的最优行为,构建供应链网络均衡模型,证实均衡解的存在性和唯一性,并运用拟牛顿算法进行求解。最后通过算例对损失规避程度、产品合格率和补偿金等参数进行灵敏度分析,展现质量控制和损失规避等要素对供应链均衡解以及成员利益的作用。研究表明:制造商可以通过提高产品合格率来减少损失规避给其带来的损失;损失规避行为会降低因产品合格率提高给零售商带来的效用的增量;零售商可以通过收取补偿金的方式激励制造商生产高质量的产品。     

5英寸锑化铟晶片加工及表征

锑化铟(InSb)材料因其特殊的性质被广泛用于红外光电探测等领域。随着更大面阵中波红外焦平面探测器的发展以及对低成本InSb红外探测器的需求,所需的晶片材料尺寸也日益增加。本文通过采用新结构石墨托以及高精度低损伤单线切割实现了5英寸InSb晶体定向断段;采用低损伤边缘倒角技术同时优化研磨参数改善了5英寸InSb晶片研磨;通过优化贴片工序提高了5英寸InSb晶片抛光后的平整度;通过优化抛光液pH值以及配比提高了5英寸InSb晶片表面质量。同时,使用X射线晶体定向仪、原子力显微镜等测试仪器对5英寸InSb晶片的晶向及偏差、抛光表面宏观质量、几何参数、表面粗糙度、晶格质量进行了测试表征。测试结果表明,采用优化后的加工工艺制备出了高质量的5英寸InSb晶片,能够满足InSb红外探测器制备需求。     

A high performance HfSiON/TaN NMOSFET fabricated using a gate-last process

A gate-last process for fabricating HfSiON/TaN n-channel metal-oxide-semiconductor-field-effect transistors(NMOSFETs)is presented.In the process,a HfSiON gate dielectric with an equivalent oxide thickness of 10 A was prepared by a simple physical vapor deposition method.Poly-Si was deposited on the HfSiON gate dielectric as a dummy gate.After the source/drain formation,the poly-Si dummy gate was removed by tetramethylammonium hydroxide(TMAH)wet-etching and replaced by a TaN metal gate.Because the metal gate was formed after the ion-implant doping activation process,the effects of the high temperature process on the metal gate were avoided.The fabricated device exhibits good electrical characteristics,including good driving ability and excellent sub-threshold characteristics.The device’s gate length is 73 nm,the driving current is 117μA/μm under power supply voltages of VGS=VDS=1.5 V and the off-state current is only 4.4 nA/μm.The lower effective work function of TaN on HfSiON gives the device a suitable threshold voltage(~0.24 V)for high performance NMOSFETs.The device’s excellent performance indicates that this novel gate-last process is practical for fabricating high performance MOSFETs.     

RP/HPLC测定吡虫啉血药浓度及其大鼠灌胃药代动力学评价

建立了大鼠血浆中吡虫啉的反相高效液相色谱(RP/HPLC)分析方法,并用于吡虫啉在大鼠体内的代谢动力学行为及特征研究。血浆样品经甲醇萃取,反相HPLC法测定血浆中的吡虫啉浓度。色谱柱为Agilent ZORBAX C18柱(4. 6 mm×250 mm,5μm),流动相为甲醇-水(30∶70),进样量20μL,检测波长245nm,流速1. 0 m L/min。在最佳条件下,吡虫啉的线性范围为0. 5～100 mg·L-1(r2=0. 999 8),检出限为10μg·L-1,平均加标回收率为74. 7%。大鼠单剂量灌胃给予68. 1 mg·kg-1吡虫啉,分别测定给药后不同时间下血浆中吡虫啉的浓度,并计算代谢动力学参数。灌胃给药后吡虫啉的Cmax为23. 557 mg/L,tmax为7. 333h,t1/2α为4. 472 h,AUC(0-t)为276. 727 mg·h/L。代谢动力学结果显示,吡虫啉在大鼠体内呈二隔室模型分布,以一级药代动力学方式消除。该方法简便可靠,能够满足血浆中吡虫啉测定及药代动力学研究的要求。