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1953年 | 6篇 |
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71.
A comprehensive study on Raman spectroscopy with different excitation wavelengths, sample sizes, and sample shapes for optic phonons (OPs) and acoustic phonons (APs) in polar and non-polar nano-semiconductors has been performed. The study affirms that the finite size effect does not appear in the OPs of polar nano-semiconductors, while it exists in all other types of phonons. The absence of the FSE is confirmed to originate from the long-range Fr¨ohlich interaction and the breaking of translation symmetry. The result indicates that the Raman spectra of OPs cannot be used as a method to characterize the scale and crystalline property of polar nano-semiconductors. 相似文献
72.
The work proposes a three-laser-beam streak tube imaging lidar system. Besides the main measuring laser beam,the second beam is used to decrease the error of time synchronization. The third beam has n+0.5 pixels' difference compared to the main measuring beam on a CCD, and it is used to correct the error caused by CCD discrete sampling. A three-dimensional(3D) imaging experiment using this scheme is carried out with time bin size of 0.066 ns(i.e., corresponding to a distance of 9.9 mm). An image of a 3D model is obtained with the depth resolution of 2 mm, which corresponds to ~0.2 pixel. 相似文献
73.
本文基于AR(2)模型的Yule-Walker方程组,利用二阶线性常系数递推关系的一般理论,导出了AR(2)过程自相关函数计算公式. 相似文献
74.
Monolithic integration of an AlGaN/GaN metalinsulator field-effect transistor with an ultra-low voltage-drop diode for self-protection
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In this paper,we present a monolithic integration of a self-protected AlGaN/GaN metal-insulator field-effect transistor(MISFET).An integrated field-controlled diode on the drain side of the AlGaN/GaN MISFET features a selfprotected function for a reverse bias.This diode takes advantage of the recessed-barrier enhancement-mode technique to realize an ultra-low voltage drop and a low turn-ON voltage.In the smart monolithic integration,this integrated diode can block a reverse bias(> 70 V/μm) and suppress the leakage current(< 5 × 10-11 A/mm).Compared with conventional monolithic integration,the numerical results show that the MISFET integrated with a field-controlled diode leads to a good performance for smart power integration.And the power loss is lower than 50% in conduction without forward current degeneration. 相似文献
75.
本文以氧化石墨烯包覆泡沫镍电极(GO@NF)作为基底,采用水热法在GO@NF基底上原位生长CoO纳米花,同时GO在水热过程中被同步热还原为还原氧化石墨烯(RGO),从而一步制得还原氧化石墨烯包覆泡沫镍负载CoO纳米花电极(CoO/RGO@NF)。使用XRD和SEM对CoO/RGO@NF电极进行表征,发现CoO纳米花均匀生长在泡沫镍三维网络结构上,CoO纳米花为大量针状纳米棒围绕一个中心而成的花状结构,纳米棒的长度约为10 ~ 15 μm,直径约为100 ~ 200 nm。使用循环伏安和线性扫描法测试了CoO/RGO@NF电极电催化CO2的还原性能,在-0.76 V(vs. SHE)电位下,CoO/RGO@NF电极电催化CO2还原的电流效率达到70.9%,产甲酸法拉第效率达到65.2%,甲酸产率为59.8 μmol·h-1·cm-2,且电极可持续稳定电催化还原CO2 4 h,表明CoO/RGO@NF电极对CO2电还原有着优良的催化活性、选择性和稳定性。 相似文献
76.
Improved performance of Au nanocrystal nonvolatile memory by N_2-plasma treatment on HfO_2 blocking layer
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The N_2-plasma treatment on a HfO_2 blocking layer of Au nanocrystal nonvolatile memory without any post annealing is investigated. The electrical characteristics of the MOS capacitor with structure of Al–Ta N/HfO_2/Si O2/p-Si are also characterized. After N_2-plasma treatment, the nitrogen atoms are incorporated into HfO_2 film and may passivate the oxygen vacancy states. The surface roughness of HfO_2 film can also be reduced. Those improvements of HfO_2 film lead to a smaller hysteresis and lower leakage current density of the MOS capacitor. The N_2-plasma is introduced into Au nanocrystal(NC) nonvolatile memory to treat the HfO_2 blocking layer. For the N_2-plasma treated device, it shows a better retention characteristic and is twice as large in the memory window than that for the no N_2-plasma treated device. It can be concluded that the N_2-plasma treatment method can be applied to future nonvolatile memory applications. 相似文献
77.
近年来,国际间通过合作对暗物质的探究非常活跃,在用仪器探测和理论研究两方面都有不少进展.本文向读者提供有关暗物质研究的三项信息. 相似文献
78.
79.
80.
2013年12月19日,"化学的创新与发展论坛"苏州大学分论坛在苏州大学成功举办.本次论坛由《中国科学》杂志社与苏州大学材料与化学化工学部联合主办,主要目的是促进物理化学的学科发展与人才培养,并对《中国科学:化学》期刊进行宣传. 相似文献