首页 | 官方网站   微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   73篇
  免费   27篇
  国内免费   34篇
数理化   134篇
  2024年   2篇
  2023年   9篇
  2022年   14篇
  2021年   8篇
  2020年   2篇
  2019年   5篇
  2018年   5篇
  2017年   8篇
  2016年   2篇
  2015年   4篇
  2014年   14篇
  2013年   9篇
  2012年   5篇
  2011年   5篇
  2010年   5篇
  2009年   9篇
  2007年   1篇
  2006年   1篇
  2005年   1篇
  2004年   3篇
  2003年   3篇
  2002年   1篇
  2001年   3篇
  2000年   4篇
  1999年   3篇
  1998年   2篇
  1996年   1篇
  1995年   2篇
  1984年   2篇
  1959年   1篇
排序方式: 共有134条查询结果,搜索用时 15 毫秒
101.
引入了左R-模M关于可解模类X以及内射余生成子W的同调维数.给出了M的X-分解维数有限的几种刻画,进而讨论了M的这两种维数之间的关系.研究了相对于有限W-分解维数的模的稳定性以及相对于模类X的模的稳定性.  相似文献   
102.
对于水泥砂浆的抗弹性能研究,目前很少考虑靶体所处的应力状态,为此基于自研的真三轴静载混凝土侵彻实验装置和水泥砂浆抗弹性能实验结果,讨论了水泥砂浆在不同应力状态下的开坑深度和开坑阻力。应用侵彻深度的经验公式和基于HJC模型的有限元数值计算方法,对比分析了水泥砂浆侵彻实验,结果表明,对于低速冲击过程,采用UMIST公式和HJC模型的数值分析对开坑深度的预测较为有效。应力状态对开坑深度有明显的影响,即随着侧限增加,水泥砂浆的三轴强度提高,弹丸的开坑深度减小。应用基于HJC模型的数值分析方法,研究了弹丸开坑过程中弹体内的加速度波形和y轴支撑杆上的波形,结果表明:弹丸开坑过程对两种波形都有影响,其中y轴支撑杆上的波形可以更好地反映开坑过程。虽然数值模拟结果与实验波形的趋势基本一致,但是应力幅值有一定的差异,说明基于HJC模型的数值分析对开坑阻力的计算能力尚待提高。  相似文献   
103.
王鹏飞  刘墨  张集权  许念念  王顺宾 《强激光与粒子束》2021,33(11):111001-1-111001-4
研究了基于Ho3+/Pr3+共掺AlF3基玻璃单包层光纤的瓦级~3 μm激光。采用单模1150 nm光纤激光器泵浦上述增益光纤,得到了波长2.87 μm的激光输出,其最大输出功率为1.02 W,激光斜率效率为10.7%,输出激光的光束质量因子M2≈1.2。研究结果表明,AlF3基玻璃光纤是一种潜在的可获得高功率中红外激光输出的增益介质。  相似文献   
104.
利用紫外光照射制作两组光纤布拉格光栅,使用高温炉对第一组光栅进行850℃退火处理,在擦除初始光栅后制备出高温再生光栅,该组再生光栅的布拉格波长的变化范围为0.22nm;平均透射率为2.57dB,折射率变化范围为0.52dB。对第二组光栅在850℃退火处理后进行1 100℃后退火,该组的布拉格波长变化范围为0.41nm;平均透射率为0.69dB,折射率变化范围为0.16dB。后退火处理会放大再生光栅的波长差异,其原因是退火过程中各光栅固定拉力之间的微小差别。光纤布拉格光栅从擦除到再生是一个可控的过程,具有很好的重复性,通过高温退火法制备再生光栅的大规模生产是可行的。  相似文献   
105.
采用高温固相法制备了SrAl2Si2O8∶Eu2+系列荧光粉,研究了灼烧温度以及助熔剂硼酸浓度和激活剂Eu2+离子浓度对发光性能的影响,研究了SrAl2Si2O8的微结构。结果表明,以3.0wt%H3BO3为助熔剂,在1250℃灼烧3h可制备发光性能优良的SrAl2Si2O8∶Eu2+荧光粉,Eu2+离子的最佳掺杂浓度为2.5mol%,Eu2+离子浓度过大时的浓度猝灭是由电偶极-电四极之间的相互作用引起的。SrAl2Si2O8∶Eu2+的激发和发射光谱均为宽带谱,在280~380nm光的激发下,可发射峰值波长位于429nm的蓝色光。  相似文献   
106.
采用分光光度法检测以纳米金催化甲醛与菲林试剂反应生成的氧化亚铜微粒在870nm处的吸收值,建立了一种测定食品中甲醛的新方法.研究了纳米金、菲林试剂用量及反应温度、反应时间、共存离子的影响.在最佳实验条件下,甲醛浓度在1.2-600.0μg/mL范围内与吸光值△A线性关系良好,线性回归方程为△A870nm=0.0014C+0.0627,相关系数为0.9992,检出限为0.45μg/mL.加标回收率为98.0%~100.3%.该法灵敏度高,选择性好,体系干扰少,用于测定腐竹、精制粉丝、红薯粉丝和方便面中甲醛的含量获得满意的结果.  相似文献   
107.
DMF及热处理对常压制备Cu掺杂SiO2纳米复合气凝胶的影响   总被引:2,自引:0,他引:2  
以正硅酸乙酯(TEOS)为硅源,硝酸铜(Cu(NO3)2·3H2O)为铜源,通过在复合溶胶体系中引入干燥控制化学添加剂(DCCA)N,N-二甲基甲酰胺(DMF)进行原位共溶胶.凝胶,结合常压干燥工艺,制备出具有高比表面积(560 m2·g-1)的Cu-SiO2纳米复合气凝胶(含铜质量分数为5%).研究了 DMF 对凝胶时间、干燥过程和复合气凝胶形态结构的影响,利用 N2 物理吸附,全自动X射线衍射(XRD)仪,傅立叶变换红外(FT-IR)光谱仪,透射电子显微镜(TEM)等对样品的形貌结构进行了表征.实验结果表明,DMF能有效防止凝胶的开裂,抑制颗粒团簇的产生,使所得复合气凝胶的粒径减小,比表面积增加,微观结构更趋完善.高温热处理后,Cu-SiO2 中的铜物种仍高度分散于骨架网络中,复合气凝胶显示出良好的热稳定性.  相似文献   
108.
聚硅氧烷硅胶是一类以Si——O键为主链、硅原子上直接连接有机基团的无色透明高分子聚合物, 因其具有优异的超弹性性能而广泛应用于精密减震结构、柔性电子器件等领域. 在聚硅氧烷硅胶减震结构和柔性电子器件的设计中, 材料在大变形和动态加载下的黏超弹性力学行为的精确描述至关重要. 本文针对该问题进行了系统的研究:首先, 将该硅胶的超弹性和黏弹性行为进行解耦, 确定其黏超弹性本构方程的基本框架;其次, 基于单轴拉压、平面拉伸试验确定其准静态超弹性模型的各项参数;再次, 利用霍普金森压杆冲击试验确定其黏弹性模型的各项参数;在此基础上, 将超弹性和黏弹性模型合并为适用于大应变和大应变率的黏超弹性动态本构模型;最后, 利用落锤冲击试验对该硅胶薄片的冲击变形行为进行了研究, 并利用上述建立的动态本构模型对落锤冲击过程进行了有限元模拟. 结果表明:本文建立的黏超弹性本构模型可有效预测该硅胶在冲击载荷下的力学行为, 从而为聚硅氧烷硅胶减震结构和柔性电子器件的优化设计提供了理论和应用基础.   相似文献   
109.
离子交换铒掺杂硅酸盐玻璃波导光放大特性   总被引:5,自引:1,他引:4  
将集成光学放大器用于光纤通信系统中是人们越来越感兴趣的课题,由此导致人们寻找与此相适应的稀土掺杂玻璃材料。给出了一系列Er^3 /Yb^3 共掺杂硅酸盐玻璃波导的制备和光谱特性的基本结果。平面和条型波导均由Ag^ -Na^ 离子交换技术制备。光谱测量显示,所有样品在1532nm都观测到了荧光发射峰.其半高谱宽为19nm。用波长为514.5nm和980nm的激光抽运,测得多数样品中Er^3 离子在亚稳态^4I13.2能级上的荧光寿命均为7ms左右。Er^3 /Yb^3 共掺杂玻璃的上转换均低于单掺Er^3 玻璃。用250mW,波长为980nm的激光抽运3.5cm长的条形波导,在1536nm波段下得到的最大净增益是5dB,增益谱的半峰全宽是14nm。  相似文献   
110.
We investigate the spin relaxation time of holes in an ultrathin neutral InAs monolayer (1.5 ML) and compare with that of electrons, using polarization-dependent time-resolved photoluminescence (TRPL) experiments. With excitation energies above the GaAs gap, we observe a rather slow relaxation of holes (τ1h = 196± 17 ps) that is in the magnitude similar to electrons (t1e= 354 ± 32 ps) in this ultrathin sample. The results are in good agreement with earlier theoretical prediction, and the phonon scattering due to spin-orbit coupling is realized to play a dominant role in the carrier spin kinetics.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司    京ICP备09084417号-23

京公网安备 11010802026262号