Bergman空间上Toeplitz算子的凸性

本文讨论了Ｂｅｒｇｍａｎ空间上Ｔｏｅｐｌｉｔｚ算子的凸性，证明了具有调和符号和一类连续函数符号的Ｔｏｅｐｌｉｔｚ算子是凸型算子，并举例说明，存在具有连续函数符号的非凸型Ｔｏｅｐｌｉｔｚ算子。     

插层化合物钨青铜单晶的物理研究

本工作利用X射线衍射分析、电导测量、红外、喇曼散射等手段,对用熔盐电解法生长的K_xWO₃,Na_yWO₃和K_xNa_yWO₃单晶进行了深入的研究,得出K_xNa_yWO₃是钠离子插入到K_xWO₃的结论,提出了K_xNa_{y关键词：}     

C70单晶的生长形貌和结构表征

用气相控制成核密度法 ,生长出了尺寸可达 5mm的C₇₀单晶 .X射线衍射分析及电子衍射分析结果表明C₇₀单晶在室温下为六方密堆积结构 (hcp)相与少量面心立方结构 (fcc)相共存 .用扫描电子显微镜和光学显微镜观察了C₇₀单晶的生长形貌 ,分析了形成机制 ,探讨了生长条件对C₇₀ 单晶生长形态的影响     

聚集效应对银纳米粒子的二阶非线性光学特性的影响研究

运用超瑞利散射(HRS)技术,对由KNO3诱导聚集的银纳米粒子的二阶光学非线性特性进行了实验研究.通过粒子尺寸测量和透射电镜观察，表明银纳米粒子的聚集方式为链状聚集.当聚集体平均尺寸为120nm时，银纳米粒子聚集体的HRS信号强度比聚集前增大了约15倍.分析表明，聚集导致银纳米粒子表面电场极化强度的增强和极化分布的改变，并通过表面和体贡献机理对二阶非线性极化过程产生影响. 关键词： 银纳米粒子 超瑞利散射 二阶光学非线性 聚集     

在修改的r~2势下q~3P_0凝聚

对r2 型关联核的大r行为作了修改 ,使得它在小r区域变为r2 关联核 ,而在大r区域趋于一个常数A ,因此不再是绝对禁闭的 .通过计算 ,发现这种对大r行为的修改虽然能够使真空凝聚保持在r2 关联核下的主要性质 ,但它的影响仍然是显著的 .     

A RECTANGULAR ELEMENT OF THIN PLATES BASED UPON THE GENERALIZED VARIATIONAL PRINCIPLES

Based on generalized variational principles,an element called MR-12 was constructed for the static and dynamic analysis of thin plates with orthogonal anisotropy.Numerical results showed that this incompatible clement converges very rapidly and has good accuracy.It was demonstrated that generalized variational principles are useful and effective in founding incompatible element.Moreover,element MR-12 is easy for implementation since it does not differ very much from the common rectangular element R-12 of thin plate.     

Li_3VO_4-Li_4TO_4(T=Ge,Si)固溶体离子导体~7Li的NMR研究

在150—573K温度范围内,研究了固溶体Li_3VO_4-Li_4TO_4(T=Ge,Si)系统不同成分的~7Li的NMR谱。发现γ_(II)相固溶体室温~7Li的NMR线宽和自旋晶格弛豫时间T_1的值都比Li_4GeO_4,Li_4SiO_4和Li_3VO_4小约一个数量级。这表明在γ_(II)相固溶体离子导体中,Li~+离子运动有可能比固溶前有数量级增长。同时还发现~7Li的电四极分裂伴线数随成分和温度而异,以及伴线强度百分比依赖于温度。这反映γ_(II)相的不同成分中,间隙Li~+离子占有的不等价位置个数不同,而Li~+离子在每个不等价位置上的占有率又随温度而变化。     

非晶态离子导体Li_2B_2O_4的核磁共振研究

本文报道了非晶态离子导体Li_2B_2O_4的~7Li核磁共振研究。测量了~7Li核磁共振谱与温度的关系。实验中发现,Li_2B_2O_4的晶态、非晶态和部分晶化样品的~7Li核磁共振谱有很大的不同,且在部分晶化样品的~7Li核磁共振谱上有附加的小峰,它与LiCl(Al_2O_3)的~7Li核磁共振谱上附加的小峰相类似。我们也对非晶态离子导体B_2O_3-0.7Li_2O-0.7LiCl进行了~7Li核磁共振研究,其结果与上面的类似。研究结果表明,它们都起因于非晶母体与微晶的界面效应。     

非晶态离子导体Li2B2O4晶化前期的离子导电性

本文研究了非晶态离子导体Li₂B₂O₄的离子电导率与温度的关系,特别着重于晶化前期的离子迁移特性。当温度低于T_K(≈310℃)时,离子电导率遵从Arrhenius关系。当高于晶化温度(≈411℃)时,以晶态中的离子迁移为主。在T_kc时,电导率偏离热激活机制呈反常增高。我们把这一过程称为晶化前期过程。可以用自由体积模型进行描述。晶化前期又可分为两部分:当温度低于、T_p(≈380℃)时,由于自由体积的重新分布,导致了电导率的增高;当T>T_p时,出现了少量微晶,但晶化量小于5%,由于非晶母体与微晶之间的界面效应使得离子导电性显著增强。可以通过室温淬火,把晶化前期非晶态的状态保持到室温,从而有可能制备出离子电导率高于纯非晶态的材料。 关键词：     

斜入射分层线性各向异性等离子体电磁散射时域有限差分方法分析

提出了斜入射分层线性各向异性等离子体电磁散射的时域有限差分(FDTD)方法,通过将二维麦克斯韦方程等价地转换为一维麦克斯韦方程,避免了用二维时域有限差分方法分析该散射问题,极大地提高了计算效率.分析推导了TEz和TMz波斜入射线性分层各向异性等离子体电磁散射的FDTD方法,然后通过该方法计算不同入射角的各向异性等离子板的电磁波反射系数,并与其解析解进行比较,结果表明该方法的准确性和有效性.最后,将该算法应用于计算涂覆分层各向异性等离子体金属板在不同入射角下的反射系数,分析了不同入射角对反射系数的影响.