在Si和GaAs衬底上分子束外延CdTe的晶格应变

本文利用高分辨率多重晶多重反射X射线衍射技术对分子束外延CdTe(211)B/ Si(211)与CdTe(211)B/GaAs(211)B材料的CdTe外延薄膜进行了倒易点二维扫描,并通过获得的倒易点二维图,对CdTe缓冲层的应力和应变状况进行了分析.研究显示,对于一定厚度的CdTe外延薄膜,在从生长温度280℃降至室温20℃的过程中,由于和衬底存在热膨胀系数的差异,将在外延薄膜中产生热应力,使外延薄膜发生应变,并且这种应变取代了失配应变,在晶格畸变中占据主导地位.对于Si衬底,热应变表现为张应力;对于GaAs衬底,热应变表现为压应力.该研究结果对于进一步优化在大失配的异质衬底上外延同Hg1-xCdxTe材料晶格匹配的Cd1-yZnyTe材料的Zn组分具有指导意义.     

3-乙基-2-乙酰吡嗪缩4-甲基氨基硫脲Cu(Ⅱ)配合物的合成、结构和DNA结合性质（英文）

合成并通过单晶衍射、元素分析、红外光谱表征了配合物[Cu(L)Br]·DMF (1),[Cu(L)Cl]·2H2O (2)和[Cu2(L)2(SO4)]·H2O·CH3OH (3)的结构(HL为3-乙基-2-乙酰吡嗪缩4-甲基氨基硫脲)。单晶衍射结果表明,配合物1和2中的Cu(Ⅱ)离子与来自1个缩氨基硫脲阴离子配体的N2S给体及1个卤素阴离子配位(1和2中分别为溴离子和氯离子),采取扭曲的平面正方形配位构型。而双核配合物3中,2个Cu(Ⅱ)中心由2个缩氨基硫脲配体的2个硫原子桥联形成Cu2S2簇,Cu…Cu距离为0.318 0 nm。每个Cu(Ⅱ)离子还与来自同一缩氨基硫脲配体的2个氮原子和处于外轴向位置η2-SO42-的1个氧原子配位,配位构型为扭曲的四方锥。此外,荧光光谱结果表明,配合物与DNA的相互作用强于配体。     

吡咯腙对溶酶体中Hg2+的荧光成像

合成了一种新的吡咯腙探针1，用于Hg²⁺的比色和荧光开启检测。探针1对Hg²⁺的检测限为45 nmol·L^-1，缔合常数为5.78×10⁸ L·mol^-1。值得注意的是，工作pH范围为4.0~10.0。Job曲线和MS数据证实探针与Hg²⁺形成1∶1的配合物。通过1H NMR、时间分辨荧光光谱和密度泛函理论(DFT)计算系统研究了探针与Hg²⁺的配位模式。此外，由于吗啉基团的存在，探针可以检测HeLa细胞溶酶体中的Hg²⁺。     

吡嗪酰腙配体Cu(Ⅱ)/Ni(Ⅱ)配合物的合成、晶体结构及DNA结合性质（英文）

合成并通过单晶衍射、元素分析及红外光谱表征了配合物[Ni(L)(HL)](SO_4)_(0.5)·3CH_3OH (1)和[Cu_2(L)_2SO_4]·1.5CH_3OH (2)的结构(HL为3-甲基-2-乙酰吡嗪苯甲酰腙)。单晶衍射实验结果表明,在配合物1中,Ni(Ⅱ)中心离子与2个酰肼配体的[ONN]配位原子组配位,形成扭曲的八面体配位构型;2的最小非对称单元中含有1个独立的双核Cu(Ⅱ)配合物分子,它的2个Cu(Ⅱ)中心由2个酰肼配体中的2个O原子桥联。每个Cu(Ⅱ)离子还与L-配体中的2个氮原子和η_2-SO_4~(2-)阴离子中的1个O原子配位,拥有扭曲的四方锥配位构型。此外,荧光光谱表明配合物和DNA的结合能力强于配体。     

N-((喹啉-8-基)亚甲基)水杨酰肼Sn(Ⅳ)/Ag(Ⅰ)配合物的合成、晶体结构和DNA相互作用（英文）

合成并通过单晶衍射、元素分析及红外光谱表征了配合物[Sn(L)Ph_2Cl]·0.25CH_3OH (1)和[Ag(HL)(NO_3)]·CH_3OH (2)(HL=N-(喹啉-8-亚甲基)水杨酰肼)的结构。单晶衍射结果表明,配合物1的Sn(Ⅳ)与配体中的1个ON2供体,1个氯离子,2个苯环上的碳原子配位,形成扭曲的八面体结构。配合物2的中心金属离子与配体中的ON_2供体和1个双齿硝酸根配位,拥有扭曲的四方锥配位构型。此外,荧光光谱表明配合物与DNA的相互作用强于配体。