新型多巴胺D3受体抑制剂的发现

根据最新解析的多巴胺D3受体的晶体结构进行活性位点分析, 建立了基于受体的药效团模型, 并对Asinex Gold Collection 数据库进行筛选, 选择7个化合物进行生物活性测试, 得到了高活性新型多巴胺受体抑制剂(04932482), 它对多巴胺D3受体抑制率达85.45%, 其Ki值为(806.75±34.58) nmol/L. 进一步对活性化合物进行结构分析, 研究了其与受体相互作用的模式, 并以此为指导提出以04932482为先导化合物进行结构改造的方向.     

烧结空洞对半导体激光器热分布的影响

在半导体激光器芯片与热沉的焊接过程中不可避免地会在焊料层产生一些空洞,而空洞会在铟的电迁移以及电热迁移作用下慢慢变大,使芯片局部温度迅速上升,进而影响半导体激光器的性能。针对10 W的808 nm单管焊装半导体激光器建立三维有限元模型,分别模拟计算了空洞面积、空洞厚度和空洞位置与结温的关系。芯片出光面边缘的有源区区域形成的空洞对芯片的结温影响更为显著,最后得到空洞面积与器件结温的关系,并表明对空洞率控制的重要性。     

高亮度大功率半导体激光器光纤耦合模块

应用ZEMAX软件设计出高亮度大功率光纤耦合模块。采用16支输出功率12 W的单偏振态单边发射半导体激光器,耦合进芯径100 μm、数值孔径0.22的光纤中。模块输出功率达到189.4 W,耦合效率达到98.6%,亮度达到94.66 MW/cm²-str。通过SolidWorks软件优化得到新热沉结构,应用ANSYS软件进行热分析,结果表明新热沉结构最高温度为42.4℃,相比优化前温度降低1℃以上,得到良好散热结构模型。     

基于多波长布里渊光纤激光器的温度传感特性

为了在高腐蚀、高辐射和强电磁干扰等复杂环境下实现对温度的精确测量,设计并实验了一种基于传感多波长布里渊光纤激光器(MBFL)和参考MBFL的高灵敏度全光纤温度传感器。理论和实验上分析了布里渊散射光的频移与温度变化之间的关系,根据输出斯托克斯激光信号对拍频所得微波信号的频移变化,测量温度的变化。通过带宽为0.1 nm的可调谐光滤波器选择第10阶斯托克斯激光信号对输出,并对其进行拍频探测,实现对传感MBFL周围温度变化的精确测量。通过拍频探测第10阶斯托克斯激光信号对,得出其灵敏度为10.829 MHz/℃。当选用第10阶斯托克斯激光信号对进行温度测量时,温度变化40℃的测量误差约为0.138℃。     

堆外探测器响应函数三维空间分布计算

堆外探测器响应函数代表了堆芯活性区各组件对堆外探测器计数率的贡献,反映了堆芯功率分布与探测器计数率的关系。研究了三维离散纵标法(SN)程序TORT的共轭输运方法,并开发相应的处理程序,实现了柱坐标下的三维共轭中子注量率到压水堆各燃料组件响应函数的转换。并基于CAP1400核电厂反应堆模型,分析了其堆外探测器响应函数空间分布的特性,与采用TORT多次正向输运计算结果进行了对比分析,两者符合较好。通过本文研究,实现了压水堆核电厂堆外探测器响应函数的三维空间分布计算。     

Calculation of Higher-Order Foldy-Wouthuysen Transformation Hamiltonian

The Foldy-Wouthuysen Hamiltonian of a light atomic system that has an ma^8 contribution to energy levels is calculated. The case of a Dirac-Coulomb field is discussed. The results can be used for relativistic and radiative corrections to energy levels in the low-energy part. A divergent operator δ^2（r） emerges. This is probably due to the nature of the point-like charge source. The effective method of radiation calculation may be re-checked.     

基于腔面非注入区的半导体激光器的热特性分析

利用Ansys有限元分析软件模拟了宽条形激光器腔面在不同生热率条件下对有源区温度的影响,并对带有腔面非注入区的激光器结构进行了热分析,比较了不同长度的非注入区结构的器件的温度特性。腔面的温升对器件可靠性影响极大,计算结果表明随着非注入区宽度的增加,芯片前腔面有源区的温度明显降低。结果为采用非注入区结构提高COD阈值功率提供了设计参考。     

低压MOCVD生长参量对Ⅱ型InAs/GaSb超晶格材料表面形貌的影响

采用自制低压金属有机源化学气相沉积设备,在（100）面GaSb单晶衬底上生长了Ⅱ型InAs/GaSb超晶格材料.利用双晶X射线衍射、光学显微镜、原子力显微镜和光致发光谱等分析手段对材料特性进行了表征,获得了表面光亮的晶体质量较好的Ⅱ型InAs/GaSb超晶格材料,在77 K下得到光致发光谱峰值波长为3.25 μm.研究了生长温度、过渡层、界面层对其表面形貌的影响,得出生长温度在500 ℃~520 ℃,无过渡层,使用InAsSb界面层有利于改善材料的表面形貌.     

含1,2,4,5-四取代苯基的吡唑-4-甲酰胺类化合物的设计、 合成及生物活性

通过活性亚结构拼接的方法, 设计合成了一系列含四取代苯基的吡唑-4-甲酰胺类化合物, 所有化合物的结构均通过高分辨质谱（HRMS）和核磁共振氢谱（¹H NMR）确证. 生物活性测试结果表明, 部分化合物对苹果纹轮病菌、 水稻纹枯病菌、 油菜菌核病菌和黄瓜灰霉病菌表现出较好的杀菌活性. 化合物5c表现出较广的杀菌谱, 在浓度为50 μg/mL时对苹果纹轮病菌的抑制活性高达95.5%. 初步构效关系分析发现, 吡唑环N取代基为甲基或叔丁基时, 化合物表现出较好的活性; 含并环结构的化合物5′杀菌活性低于含单个苯环的化合 物5; 苯环取代基R²为低于4个碳的脂肪链时, 化合物杀菌活性更高.     

Ge(Ⅳ)与Ga(Ⅲ)、Pb(Ⅱ)、Ce(Ⅲ)、V(Ⅴ)和W(Ⅵ)的析相绿色萃取分离和富集

用光度法研究了正丙醇-碘化钾-水体系萃取分离锗的行为,探讨了Ge（Ⅳ）与一些金属离子的分离条件。实验表明.当溶液中正丙醇、碘化钾和硫酸铵的浓度分别为30%（V/V）、8.0×10^-3mol/L和0.20g/mL时,Ge（Ⅳ）与Ga（Ⅲ）、Pb（Ⅱ）、Ce（Ⅲ）、V（Ⅴ）和W（Ⅵ）可定量分离。