蝌蚪图、△I=1/2增强及ε′/ε

本文分析标准模型中包括t及c夸克中间态的蝌蚪图对K~0→2π的振幅及ε′/s的贡献。结果表明它的贡献很可能是主要的。在对K~0波函数贡献的夸克相对动量割断取合理的数值时,它有可能给出足够的△l=1/2增强。不过,如果CP破坏全部起源于小林-益川相,得到的|ε′/s|偏大,或许可以假定ε主要起源于超弱CP破坏来克服这一困难。     

双圆盘上Hardy空间上Hankel 算子和Toeplitz 算子的交换性

In this paper, we characterize when the Toeplitz operator Tf and the Hankel operator Hg commute on the Hardy space of the bidisk. For certain types of bounded symbols f and g, we give a necessary and sufficient condition on the symbols to guarantee TfHg = HgTf.     

定解问题的可视化教学设计探讨

通过对一维弦振动的定解问题的计算机动态仿真,比较了不同定解条件下弦振动的视觉效果,讨论了相应的课外仿真设计.教学设计中突出了将传统的理论推导与计算机编程技术结合起来的教学思路,注重培养学生发现、分析和解决问题的兴趣和能力.     

High-voltage super-junction lateral double-diffused metal-oxide semiconductor with a partial lightly doped pillar

A novel super-junction lateral double-diffused metal-oxide semiconductor(SJ-LDMOS) with a partial lightly doped P pillar(PD) is proposed.Firstly,the reduction in the partial P pillar charges ensures the charge balance and suppresses the substrate-assisted depletion effect.Secondly,the new electric field peak produced by the P/P-junction modulates the surface electric field distribution.Both of these result in a high breakdown voltage(BV).In addition,due to the same conduction paths,the specific on-resistance(R on,sp) of the PD SJ-LDMOS is approximately identical to the conventional SJ-LDMOS.Simulation results indicate that the average value of the surface lateral electric field of the PD SJ-LDMOS reaches 20V/μm at a 15μm drift length,resulting in a BV of 300V.     

A low on-resistance buried current path SOI p-channel LDMOS compatible with n-channel LDMOS

A novel low specific on-resistance(R on,sp) silicon-on-insulator(SOI) p-channel lateral double-diffused metal-oxide semiconductor(pLDMOS) compatible with high voltage(HV) n-channel LDMOS(nLDMOS) is proposed.The pLDMOS is built in the N-type SOI layer with a buried P-type layer acting as a current conduction path in the on-state(BP SOI pLDMOS).Its superior compatibility with the HV nLDMOS and low voltage(LV) complementary metal-oxide semiconductor(CMOS) circuitry which are formed on the N-SOI layer can be obtained.In the off-state the P-buried layer built in the NSOI layer causes multiple depletion and electric field reshaping,leading to an enhanced(reduced) surface field(RESURF) effect.The proposed BP SOI pLDMOS achieves not only an improved breakdown voltage(BV) but also a significantly reduced Ron,sp.The BV of the BP SOI pLDMOS increases to 319 V from 215 V of the conventional SOI pLDMOS at the same half cell pitch of 25 μm,and R on,sp decreases from 157 mΩ·cm2 to 55 mΩ·cm2.Compared with the PW SOI pLDMOS,the BP SOI pLDMOS also reduces the R on,sp by 34% with almost the same BV.     

硫在不同碳载体材料中的电化学性能研究

为了探索碳载体材料结构对于硫的电化学性能的影响,本文通过高温固相法将升华硫与石墨烯、导电炭黑、多孔碳等三种不同结构的碳载体材料复合,制备得到硫含量相近的三种硫碳复合材料. 通过电镜扫描、低温氮吸附、X射线衍射等方法,对所制备的硫碳复合材料的结构和硫的分布状态进行了表征和分析. 并进一步对三种复合材料进行了电化学性能测试,结果表明,硫负载到多孔碳中的电化学性能最好,其初始放电比容量达到了1623.2 mA·h·g^-1,循环100周之后,其放电比容量仍能保持在845 mA·h·g^-1. 这主要因为相比于石墨烯的层状结构和导电炭黑的链状结构,多孔碳材料中含有大量的微孔和介孔,负载硫后,与硫分子的接触面积大,活性物质的利用率高,从而提高了硫的电化学性能.     

Co1-xNixSb3-ySey热电输运中晶界和点缺陷的耦合散射效应

结合机械合金化与放电等离子烧结工艺制备了Ni和Se共掺的细晶方钴矿化合物Co_1-xNi_xSb_3-ySe_y,研究了晶界和点缺陷的耦合散射效应对CoSb₃热电输运特性的影响.通过Ni掺杂优化载流子浓度提高功率因子.在x=0.1时,功率因子达到最大值1750μWm^-1K^-2(450℃),是没有掺Ni试样的两倍.晶界和点缺陷的耦合散射机理使晶格热导率急剧下降,其中Co_0.9Ni_0.1Sb_2.85Se_0.15的室温晶格热导率降低至1.67Wm^-1K^-1,接近目前单填充效应所能达到的最低值1.6Wm^-1K^-1,其热电优值ZT在450℃时达到最大值0.53.将Callaway-Von Baeyer点缺陷散射模型嵌入到Nan-Birringer有效介质理论模型,对晶界散射和点缺陷散射的耦合效应对热导率的影响进行了定量分析,模型计算与实验结果符合.理论模型计算表明,当晶粒尺寸下降到50nm同时掺杂引入点缺陷散射后,Co_0.9Ni_0.1Sb_2.85Se_0.15的晶格热导率下降到0.8Wm^-1K^-1. 关键词： 3')" href="#">CoSb₃ Ni和Se掺杂 热电性能 耦合散射效应     

溶剂萃取石墨炉原子吸收光谱测定盐卤中痕量铷

采用石墨炉原子吸收光谱（ＧＦＡＡＳ）研究盐卤中铷的原子化行为和机理,建立了热解石墨管,ＫＮＯ３－ＮＨ４ＮＯ３基体改进剂,１８－冠－６,溴百里香酚蓝,氯仿萃取分离ＧＦＡＡＳ测定盐卤铷的方法。用于测定盐卤中痕量铷,特征质量１．１×１０＾－１０ｇ／０．００４４,加标回收率８９％￣１１０％;相对标准偏差６．２８％（ｎ＝１３）。     

在层状超导体2H-NbSe2中的重入现象

我们测量了纯２Ｈ－ＮｂＳｅ２单晶样品在磁场下的直流电输运行为,得到了有重大现象的电阻随磁场变化Ｒ（Ｈ）、电阻随温度变化Ｒ（Ｔ）以及临界电流随磁场变化Ｉｃ（Ｈ）关系曲线。我们还采用六电极法同时测量了上、下表面的电势,得到了上、下表面重入不同步的新结果,这个新的实验结果可以由磁通动力学理论,结合Ａｎｄｅｒｓｏｎ磁通需动模型给予很好的解释。