有机薄膜电致发光器件工艺检测的一种简便方法——覆膜加热观测法

提出了一种简便易行、并与有机薄膜电致发光器件制备工艺完全兼容的工艺检测方法－－覆膜加热观测法。这种方法是在器件的制备工艺过程中,同时在铟锡氧化物（ITO）电极的各层有机薄膜上覆盖一层不透气的薄膜（如金属Al膜等）,接着进行快速加热,最后对器件表面进行形貌观测。采用这种方法,观察了器件表面气泡的形成过程,观察了加热温度、ITO表面处理以及有机物纯度对敢泡形成的影响。实验表明,覆膜加热观测法能有效地对工艺进行对比检测,从而达到改进工艺、提高器件质量的目的。     

多孔硅光致发光的温度效应研究

通过对多孔硅光致发光峰随测量温度变化的研究，发现随测量温度的下降，光致发光峰位有两种截然不同的移动方向：发光峰中心波长较长的样品，主峰向低能方向移动(即红移)；而发光峰位波长较短的样品则向高能方向移动(即蓝移).根据多孔硅光致发光峰的温度效应，定性地给出了发光效率随波长变化的模拟曲线，并由此能较好地解释多孔硅光致发光峰位随温度变化而移动的实验现象. 关键词：     

多孔硅的微结构与发光特性研究

利用原子力显微镜（AFM）和光致荧光（PL）光谱对一系列直流腐蚀和脉冲腐蚀的多孔硅的微结构及发光特性进行了对比研究．表面和侧面的AFM结果表明，多孔硅表面呈“小山”状，有许多小的、突出的硅颗粒．在相同的腐蚀条件（等效）下，脉冲腐蚀的样品表面Si颗粒更加尖锐、突出，侧面的线状结构更明显，多孔硅层更厚．对应的PL谱，脉冲腐蚀的样品发光更强．量子限制效应的理论可以比较成功地解释这个结果 关键词：     

多孔硅在液体中的两种电致发光光谱

p-型硅片上制作的多孔硅在含有强氧化剂的酸液中处于正向偏压时，可先后产生两种不同的电致发光光谱．一种是红光发射，所需的工作电压极小．随着通电时间增加，红光峰位发生蓝移．这种发光可能与量子尺寸效应有关．另一种是红光猝灭之后出现的白光发射，所需的工作电压很高．由于在酸液中红光猝灭之后，多孔层中形成了一连续的SiO₂薄层，因此在高电场作用下，热电子注入该薄氧化层，从而导致白光发射 关键词：     

多孔硅的一种新的后处理方法──微波等离子体辅助钝化处理

报道了对多孔硅进行后处理的一种新方法，即真空中微波等离子体辅助的钝化处理．傅里叶变换红外吸收谱表明，经处理的样品表面主要是被SiS_x和SiO_y所覆盖．与未经处理的样品相比，其发光强度增加约3.5倍，PL峰位蓝移了40nm，而且在空气条件下存放60d后发光强度没有变化．表明这种方法是增加多孔硅发光强度和提高稳定性的有效方法之一．     

高效率有机电致发光器件的制备与研究

有机电致发光器件(OLED)具有亮度高、功耗低、色彩柔和以及制备简易等优点,有望在新一代显示与照明中得到重要应用.提高OLED的发光效率和出光效率,可以进一步使器件达到延长工作寿命和节约能源的目的,以满足实际应用的需求.     

基于联咔唑为骨架的双极主体材料的合成及其在有机电致发光器件中的应用

咔唑类衍生物具有良好的空穴传输性能和较高的三重态能级,在有机电致发光器件中一般用来构建空穴传输材料和主体材料。本文通过在联咔唑的3和6位引入具有电子传输能力的氰基,设计合成了一种以双咔唑二聚体为分子骨架的新型双极性有机电致发光主体材料6,6’-双氰基-9,9’-二苯基-3,3’-联咔唑（BCzDCN）,研究了其发光性能、热稳定性和电化学性质。低温磷光发射光谱测试表明BCzDCN的三重态能级高于传统的天蓝色磷光掺杂材料双（4,6-二氟苯基吡啶-N,C²’）吡啶甲酰合铱（FIrpic）。以BCzDCN为主体材料,FIrpic和双（4-苯并噻吩）[3,2-C]吡啶-N,C²’）乙酰丙酮合铱（PO-01）分别为蓝色和黄色磷光掺杂材料,制备了蓝色和白色有机磷光发光二极管器件。器件的最大电流效率分别达到34.6 cd/A和59.0 cd/A。并且在1000 cd/m²亮度下的效率滚降仅有4.1%和5.1%。     

高效有机发光二极管的光提取技术及其研究进展

高性能材料研究使有机发光二极管（Organic light-emitting diode,OLED）取得了突飞猛进的发展，但是器件内部生成的光子由于光学损耗无法全部发射到外部空间，从而极大地降低了OLED效率，并阻碍了其在节能照明市场的应用。通过调控光损失区域的波传导，光提取技术能够有效抑制衬底、波导、表面等离子激元等损耗模式，理论上可使效率扩大4倍。具有1.05～2倍扩大效果的光提取技术已被大量报道，但与理论极限仍存在很大差距。为此，本文简要分析了OLED光学损耗模式，综述了近年来高效的、特别是能实现2倍以上扩大效果的光提取技术。