二硅烯异构化反应的理论研究, 从头等水平上的动力学, 热力学分析

本文在从头算水平上计算了二硅烯HXSi-SiH2(X=H,D)异构化反应的反应物、产物及过渡态构型的能量、谐振动频率和反应活化能等,又计算了反应的热力学函数变化, 平衡常数及速率常数, 结果表明,该异构化反应是放热的, 且可自发进行, 结论与Newman的实验事实相符合, 值得注意的是, 零点能校正对该异构化反应的计算有改进。     

对内、对间电子相关研究——G1、G2理论分析

具体深入地分析了G1、G2理论中E(HLC)校正的不合理性,同时指出了Post-HF计算校正的改进途径.     

Cl,Cl-和MCl(M=H,Li,Na,K)对内对间相关能的规律性

通过对内对间相关能的计算,发现Cl,Cl^-及其化合物中的K电子层的对内相关能基本上是一常数,而且Cl的K,L层电子层内相关能和它们之间的层间相关能也变化很小.另外,所研究的MCl系列化合物中Cl价电子对相关能的贡献是跟MCl的离子性有关,即随着化合物离子性的增加而增加,但其相关能最大不大于Cl^-离子的,最小不小于Cl原子的.这些规律对人们考虑一些化合物的相关能,以至化学反应能量很有参考意义.     

范德华络合物Rg-HCl、Rg-ClH(Rg=Ne,Ar)异构化的量子化学及热力学的分析

对标题异构化体系,在Ｇａｕｓｓｉａｎ９４程序的高水平ＭＰ４／６－３１１Ｇ＊＊下,进行了全参数几何优化、能量、频率计量得到了它们电子结构的相对稳定性。同时用统计热力学计算了Ｒｇ－ＨＣｌ、Ｒｇ－ＣｌＨ（Ｒｇ＝Ｎｅ,Ａｒ）等异构体的热力学性质及它们的相互转化的平衡常数等。结果表明：不同构型的稳定性是随实验温度变化的,两种构型也可在某一温度下共存。这一结果不同于仅通过电子结构能所的某异构体较稳定的简单推断     

HX体系电子对内、对间相关研究

在6-311+G^*基组水平上用CISD（configurationinteractionwithsinglyanddoublyexcitedconfigurations)方法研究HX(X=Li-F,HBe)体系电子对内、对间的相关能。计算结果表明不同元素形成的HX(X=Li-F,HBe^+,HBe)体系,其价层电子对内、对间相关能的变化较大,它们之间存在着轨道差别,不宜将其相关贡献归为简单的常数。在使用相同理论方法和相同质量基组的前提下,电子数将直接影响到电子对间相关能的大小。对于多电子体系,电子对间相关在总相关中占有优势,若将其忽略会引起较大误差。     

Cl+HCl非反应截面和速率常数的TST-CEQ研究Ⅲ

本文将TST-CEQ方法推广用于计算非反应弛豫速率和平均截面, 并以Cl+HCl反应为例作了计算, 与文献结果比较表明, 这种推广是可行的, 此外, 还给出了该体系反应和非反应一维态态速率常数; 结果发现, 低温时非反应弛豫速率大于反应速率; 高温时两种通道速率相近, 表现了反应的竞争机理。