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101.
对用于原子转移自由基聚合的过渡金属催化剂近年来的研究新进展作出了评述和展望.  相似文献   
102.
103.
104.
采用溶液培养法,在室温下合成了2个新的过渡金属配合物[Co(inta)2(H2O)4][Co(H2O)6](tdc)2.2H2O(1)和[Ni(inta)2(H2O)4](tdc).2H2O(2)(inta=异烟酰胺,H2tdc=2,5-噻吩二甲酸)。并对其进行了元素分析、红外光谱、紫外光谱、热重和X-射线单晶衍射测定。这两个配合物通过氢键和π-π相互作用形成了三维超分子网状结构。  相似文献   
105.
报道了一种合成氧化偶氮苯类化合物的新方法,即在含有β-环糊精和氢氧化钠的水溶液中,芳香硝基化合物可被较高选择性地还原为相应的氧化偶氮苯类化合物.该方法成本低廉、操作简单且环境友好.  相似文献   
106.
通过一步水热法合成了分散性良好、尺寸均一的桑葚状CaF2纳米材料,采用X射线粉末衍射(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)和透射电子显微镜(TEM)对产物的结构、形貌及尺寸进行了表征,发现CaF2纳米材料是由尺寸约为50 nm的纳米粒子构成.通过对不同反应阶段产物的分析提出了其形成机理,研究了yb3+掺杂CaF...  相似文献   
107.
通过水热法合成了1个新的金属-有机配位聚合物[Mn(NIPH)(phen)2]·4H2O(H2NIPH=5-硝基间苯二甲酸,phen=1,10-邻菲咯啉)。并对其进行了元素分析、热重、红外光谱和X-射线单晶衍射测定。该配合物属于单斜晶系,P21/n空间群。晶体学数据:a=1.082 2(2) nm,b=2.288 3(5) nm,c=1.289 6(3) nm,β=105.11(3)°,V=3.083 2(11) nm3,C32H27MnN5O10,Mr=696.53,Dc=1.501 g·cm-3,μ(Mo Kα)=0.497 mm-1,F(000)=1 436,Z=4,最终R=0.059 2,wR=0.134 5用于4 079个可观测点。在晶体结构中,锰原子为六配位与来自2个不同的NIPH配体上的2个羧基氧原子和来自2个phen配体上的4个氮原子配位,呈现畸变的八面体几何构型。而且该配合物通过氢键和π-π堆积作用扩展成三维超分子网状结构。  相似文献   
108.
A new metal-organic complex Zn2(cbba)4(phen)2 (Hcbba = 2-(4′-chlorine-ben-zoyl)benzoic acid, phen = 1,10-phenanthroline) 1 has been hydrothermally synthesized and structurally characterized by elemental analysis, IR, fluorescence spectrum and single-crystal X-ray diffraction. The compound crystallizes in orthorhombic, space group Pbcn with a = 12.0821(11), b = 18.3140(17), c = 30.961(3), V = 6850.7(11)3, C80H48Cl4N4O12Zn2, Mr = 1529.76, Dc = 1.483 g/cm3, μ(MoKα) = 0.925 mm?1, F(000) = 3120, Z = 4, the final R = 0.0559 and wR = 0.1146 for 3963 observed reflections (I > 2σ(I)). In the crystal structure, the zinc atom is five-coordinated with three carboxylate oxygen atoms from three different cbba ligands and two nitrogen atoms from the phen ligand, showing a distorted square-pyramidal geometry. Furthermore, it exhibits a 3D supramolecular network through π-π interactions and shows yellow photoluminescent property at room temperature.  相似文献   
109.
孙鹏  胡明  刘博  孙凤云  许路加 《物理学报》2011,60(5):57303-057303
采用双槽电化学腐蚀法制备多孔硅层,然后在多孔硅表面沉积形成金属电极,制备出M/PS/Si微结构.利用SEM分析多孔硅的表面形貌,通过测试其I-V特性分析M/PS/Si微结构的电学特性.结果表明:由Pt做电极形成的M/PS/Si结构,表现出非整流特性.M/PS/Si结构的I-V曲线由线性区和非线性区组成,多孔硅孔隙率越高的M/PS/Si结构的I-V特性曲线线性区越宽.由Cu做电极形成的M/PS/Si结构,表现出整流特性.其整流比随多孔硅孔隙率增加而减小. 关键词: M/PS/Si微结构 孔隙率 I-V特性')" href="#">I-V特性 欧姆接触  相似文献   
110.
为实现星光定向仪地面标定工作,同时满足辐射均匀性、特定辐照度和光谱三项模拟要求,提出了特定辐照度下均匀辐射的红外星模拟器光学系统设计方案.根据辐照度模拟要求和均匀辐照要求,建立光源系统辐通量传递模型,设计了满足辐射光谱要求的均匀辐射光源系统.结合星光定向仪和红外星模拟器的对接要求,设计了具有高成像质量的透射式准直光学系...  相似文献   
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