凸轮测绘数据的分析与修正

通过分析利用三座标测量机测绘片梭织机中推梭凸轮的数据，提出利用计算机辅助设计合理的修正测绘数据的可能性及必要性，从而为设计、制造提供可靠的凸轮数据。     

俄罗斯伺服技术的发展

文中主要概述了俄罗斯伺服技术的现状及发展方向。具体介绍伺服阈技术、伺服系统及其测试技术、工业ＣＴ、伺服机构密封技术，实验室等５个方面，对我国未来航空伺服技术的发展直到很好的借鉴作用。，     

基于线性特征的中分辨率航天遥感器MTF在轨评价及其在图像恢复中的应用

文章在简要介绍遥感器在轨MTF评测值在遥感图像处理中的意义基础上，分析了中分辨率遥感卫星成像过程MTF在轨测试的各种方法的适用性、算法和具体指标要求，提出了适合于中分辨率遥感卫星成像过程MTF的在轨评价方法，并剖析了遥感卫星成像过程中影响MTF的多种因素；最终以CBERS-02星CCD图像为对象进行了试验，并有效运用于图像恢复。     

前斜视SAR成像中几何校正问题研究

前斜视合成孔径雷达（SAR）成像算法广泛应用于军用SAR系统,其中几何校正是前斜视SAR成像算法的一项重要内容。为此,以经典的chirp变标成像算法为例,研究了前斜视SAR成像中的几何校正问题,内容主要包括SAR目标位置偏移几何校正和用于评估目标成像品质的图像旋转校正。提出的几何校正方法简单实用,可为其它前斜视SAR成像算法的几何校正提供参考。     

防护林防沙效应风洞模拟实验

本文叙述防护林防沙效应的风洞模拟实验。分析比较不同结构型式防护林的流场特性及相对积沙量分布规律,得出最优结构型式为小密度灌木片林与疏透乔木林带组合结构。     

SiC MOSFET器件单粒子烧毁仿真分析

应用于航天器的宽禁带半导体功率器件会受到空间带电粒子的影响而存在单粒子烧毁（SEB）风险。为研究单粒子烧毁的机理及防护措施,文章利用半导体工艺器件仿真（TCAD）对SiC MOSFET器件进行了SEB仿真分析,发现粒子入射最敏感位置时器件发生SEB的阈值电压在500 V。同时,通过仿真获得器件微观电参数分布特性,分析认为器件发生SEB的机理是寄生晶体管的正反馈作用导致缓冲层和基区的电场强度（5.4 MV/cm和4.2 MV/cm）超过SiC材料击穿场强（3 MV/cm）。此外,针对仿真揭示的器件SEB薄弱区域,提出将P+源区的深度向下延伸至Pbase基区底部的工艺加固思路,并通过仿真验证表明该措施使器件发生SEB的阈值电压提高到近550 V。以上模拟结果可为该类器件的抗SEB设计提供技术支持。     

钨渗铜材料在真空高压开关上的应用

为适应高压真空开关抗熔焊、耐电蚀、高电导、低含气量等要求，对传统的生产工艺作了一系列改进，采用纯钨粉经模压成型、高温烧结，然后一次完成渗铜和覆铜。结果表明，钨骨架强度高，钢呈网状分布，基体组织细小均匀，气体含量低，覆铜层与钨铜基体结合紧密，从而满足了使用要求，降低了成本，获得了较好的经济效益。