自适应单神经元网络在耦合系统中的应用

基于神经网络PID控制和解耦系统的特点,应用一种针对多输入多输出解耦系统的单神经元PID解耦算法和结构,并在算法中增加了自适应学习速率,更好的实现对耦合系统的解耦控制。仿真结果表明这种单神经元PID解耦算法实现的控制比常规的PID解耦不仅具有较好的动态性能和稳态性能,而且还具有很强的自学习功能和自适应解耦能力。     

浅谈引黄济青工程现行水价存在的问题及建议

1 工程基本情况 山东省引黄济青工程是一项跨流域、跨市(地)、远距离的大型调水工程。工程通水运行10多年来,已累计向青岛市及沿线供水20多亿m~3,保证了青岛城市工业和居民生活用水,改善了青岛市的基础设施和外商投资环境。同时,工程还为博兴县和沿线扩大改善灌溉面积333.3km~0,浇地4000km~2,增产粮食约5亿kg,解决了沿途缺水地区71万群众的饮用水问题,并为青岛市和沿线补充地下水近4.3亿m~3,取得了巨     

重钢焦化废水新系统纯氧曝气技术的试验研究

重钢焦化厂与国内某企业合作,在不改变现有污水处理厂设施的前提下,用GWQ潜水式射流喷嘴扩散器和相应的供氧系统代替现有空气曝气系统,以考察现有污水处理新系统在采用纯氧曝气的情况下的潜能,即考察采用纯氧曝气后承受高负荷和冲击负荷的能力。     

主动配电网分布式电源并网和需求侧管理规划

针对长岛县规划发展海上风电以及对配电网进行改造的实际情况,本文提出考虑分布式能源并网和需求侧主动管理的综合规划方案。以年综合费用最小为目标函数,计及各种电气约束条件,建立风能并网的分布式能源和需求侧管理综合规划模型,并采用多场景技术和进化策略算法,对综合规划模型进行求解。同时,以修改后的长岛县30节点配电网系统为例,对规划模型进行仿真验证,并对不同规划方案进行经济性和可靠性分析。分析结果表明,得到的综合规划方案既能实现年综合费用最优,也符合该地区配电网安全稳定要求。该研究为长岛主动配电网分布式能源规划和建立需求侧管理机制提供了理论指导。     

简谐激励下一类干摩擦振子的响应计算

本文提出了计算简谐激励下一类干摩擦振子系统响应的解析方法,振子系统的摩擦力用含有限个Jenkins单元的Iwan模型描述。针对力-位移之间的分段线性关系,对振子运动逐段进行分析,并给出了各阶段内的系统的振动方程,最后通过变量代换,获得了方程的解析解. 由于每个阶段解的初值均由位移和速度的连续性条件得到,因此顺次求得各线性阶段中响应便获得了整个时域上的响应. 仿真结果表明,随着外激励量级的递增,接触面出现滑移,使得接触刚度减小,因而系统幅频曲线峰值明显左移;另一方面,系统的等效粘性阻尼会随着激励量级的递增而先增大后减小.     

CeO_2[100]∥MgO[100]in-plane Epitaxy for Bi-epitaxial Grain Boundary Junctions

ＣｅＯ２［１００］∥ＭｇＯ［１００］ｉｎｐｌａｎｅＥｐｉｔａｘｙｆｏｒＢｉｅｐｉｔａｘｉａｌＧｒａｉｎＢｏｕｎｄａｒｙＪｕｎｃｔｉｏｎｓＹａｎｇＪｉａｎ，ＧｕＨｏｎｇｗｅｉ，ＭａＰｉｎｇ，ＣｈｅｎＬａｎｆｅｎｇａｎｄＣｈａｎｇＳｈｉａｎ（杨坚）...     

火电厂主蒸汽温度的优化控制

火电厂主蒸汽温度的优化控制华北电力学院田沛，马平一、引言众所周知，主蒸汽温度是火电厂整个汽水流程中的温度制高点，它对机组运行的安全性和经济性有着重大的影响，为保障生产过程的正常运行，通常要求汽温偏差在士ｓｔ以内。但，对干现代大型锅炉来说，汽温对象的特...     

浅析巨野煤田龙固矿井水土流失预测及治理分析

预测及分析了矿井在施工过程中可能造成的水土流失及其危害.明确了在建设期水土保持措施布设应以工业场地、排矸场及厂外道路为重点防治区域,在生产运行期采空塌陷区的水土保持措施主要为预防保护,重点监测.提出了龙固矿井在建设过程中应采取的水土流失防治措施.     

桩锚与土钉墙联合支护土钉轴力监测

根据现场实测数据,分析了桩锚与土钉墙联合支护中上部土钉墙土钉轴力的变化规律,发展了基坑联合支护设计理念,为联合支护设计理论研究积累了试验数据。下部桩锚支护部分土体开挖会影响上部土钉墙稳定性,造成上部土体中应力发生转移,土钉轴力相对下部土体开挖前有显著增大。在桩锚与土钉墙联合支护设计中,上部土钉墙的设计必需考虑下部桩锚支护部分土体开挖的影响。     

基于USB2.0与CPLD的光刻机底面对准系统设计

介绍了光刻机底面对准系统的基本原理,并分析了传统底面对准系统存在的缺点,给出了基于USB2.0与CPLD的光刻机底面对准新系统的设计方案。论述了系统硬件和软件的实现,并对其中的关键模块进行了深入分析。与传统底面对准系统相比,该对准系统成本降低约70%,同时,系统的可靠性大幅提高。实验表明,该系统的底面对准精度达到0.25μm,满足系统设计要求。